Zum Wachstum vergrabener Oxidschichten und der Ausscheidung von Sauerstoff in einkristallinem Silizium:
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1995
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
VERHALTEN
VON
SAUERSTOFF
UND
SILIZIUM
3
2.1
SAUERSTOFF
IN
SILIZIUM
.
3
2.1.1
EINBAU
VON
SAUERSTOFF
.
3
2.1.2
ISOLIERTER
SAUERSTOFF
.
4
2.1.3
LOESLICHKEIT
.
5
2.1.4
DIFFUSIONSKOEFFIZIENT
.
8
2.1.5
PRAEZIPITATION
.
11
2.2
KONZEPT
DER
SOI-TECHNOLOGIE
.
20
2.2.1
ANWENDUNGEN
DER
SOI-TECHNOLOGIE
.
20
2.2.2
SOI-FABRIKATIONSTECHNIKEN
.
22
3
DYNAMIK
DES
OXIDWACHSTUMS
31
3.1
THERMISCHE
OXIDATION
VON
SILIZIUM
.
31
3.2
OXIDATIONSINDUZIERTE
LOESLICHKEITSERHOEHUNG
DES
SAUERSTOFFS
IN
SILI
~
ZIUM
.
36
3.3
REAKTIONEN
AN
DER
SIOZ-SI
GRENZFLAECHE
.
38
3.4
WACHSTUM
EINER
VERGRABENEN
OXIDSCHICHT
.
40
3.4.1
PROZESSBESCHREIBUNG
.
41
3.4.2
MODELL
EINES
UEBERSAETTIGUNGSLIMITIERTEN
OXIDWACHSTUMS
.
.
42
.
3.4.3
SEGREGATIONSKOEFFIZIENTENMODELL
.
44
3.4.4
MODELLVERGLEICH
.
47
3.5
STABILITAET
VERGRABENER
OXIDSCHICHTEN
.
49
3.6
SPANNUNGEN
WAEHREND
DES
OXIDWACHSTUMS
.
57
4
EXPERIMENTELLES
59
4.1
SOI-PRAEPARATION
.
59
4.1.1
VERBINDEN
VON
OBERFLAECHEN
.
59
4.1.2
OBERFLAECHENREINIGUNG
.
61
4.1.3
SCHICHTTRANSFER
.
62
4.2
TEM-UNTERSUCHUNGEN
.
63
4.2.1
QUERSCHNITTSPRAEPARATION
.
63
IXHALTSL'ERZEICHNIS
II
4.2.2
TEM-UNTERSUCHUNGSTECHNIKEU
.
G4
4.2.3
KL-L
'
NTERSUCHUNGSTECHNIKEN
.
64
5
ERGEBNISSE
66
5.1
WACHSTUM
VERGRABENER
OXIDSCHICHTEN
.
66
5.1.1
VERSUCHSDURCHFUEHRNUG
.
66
5.1.2
EXPERIMENTELLER
BEFUND .
67
5.1.3
DISKUSSION
.
79
5.2
OXIDATIONSINDUZIERTES
ERZEUGEN
EINER
VERGRABENEN
OXIDSCHICHT
.
.
85
5.2.1
VERSUCHSDURCHFUEHRUNG
.
86
5.2.2
EXPERIMENTELLER
BEFUND
.
87
5.2.3
DISKUSSION
.
-.
90
5.3
PRAEZIPITATIONSVERHALTEN
.
94
5.3.1
VERSUCHSDURCHFUEHRUNG
.
94
5.3.2
EXPERIMENTELLER
BEFUND
.
96
5.3.3
DISKUSSION
.
100
6
ZUSAMMENFASSUNG
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