VLSI-Entwurf: Modelle und Schaltungen
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München [u.a.]
Oldenbourg
1993
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| Series: | Einführung in die Nachrichtentechnik
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INHALTSVERZEICHNIS
FORAELZEICHEN UND SYMBOLE.
13
UMRECHNUNGSFAKTOREN UND KONSTANTEN. 16
1.0 GRUNDLAGEN DER HALBLEITERPHYSIK. 17
1.1 THEORIE DES BAENDERMODELLS.
17
1.2 DOTIERTE HALBLEITER. 22
1.3 GLEICHUNGEN FUER DEN HALBLEITER IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 24
1.3- 1 FERMI-VERTEILUNGSFUNKTION.
2K
1.3.2 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 27
1.3- 3 DAS DICHTEPRODUKT IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 29
1.3.4 ELEKTRONENENERGIE, SPANNUNG UND ELEKTRISCHE FELDSTAERKE. 33
1.4 LADUNGSTRAEGERTRANSPORT.
36
1.4.1 DRIFTGESCHWINDIGKEIT.
36
1.4.2 DRIFTSTROM.
38
1.4.3 DIFFUSIONSSTROM. 4L
1.4.4 KONTINUITAETSGLEICHUNG. 42
1.5 STOERUNGEN DES THERMODYN. GLEICHGEWICHTS. 44
UEBUNGEN.
52
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 54
LITERATURHINWEISE. 55
2.0 DIE DIODE. 56
2.1 INHOMOGENER N-TYP-HALBLEITER.
56
2.2 DER PN-UEBERGANG IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT.
58
2.3 DIE PN-DIODE BEI ANLEGEN EINER SPANNUNG. 60
2.3.1 DIE PN-DIODE IN DURCHLASSRICHTUNG. 61
2.3.2 DIE PN-DIODE IN SPERRICHTUNG.
63
2.3.3 DAS DICHTEPRODUKT BEI ABWEICHUNGEN V.THERMODYN.GLEICHGEWICHT.
65
2.4 PN-DIODENGLEICHUNG. 67
2.4.1 IDEALE DIODENGLEICHUNG.
67
2.4.2 ABWEICHUNGEN VON DER IDEALEN DIODENGLEICHUNG. 70
2.4.3 SPANNUNGSBEZUGSPUNKT. 73
2.5 KAPAZITAETSVERHALTEN DES PN-UEBERGANGS. 74
2.5.1 SPERRSCHICHTKAPAZITAET. 74
2.5.2 DIFFUSIONSKAPAZITAET. 80
2.6 MODELLIERUNG DER PN-DIODE. 85
2.6.1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 86
2.6.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 90
2.6.3 DIODENMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 92
2.7 SCHALTVERHALTEN DER PN-DIODE. 93
2.8 TEMPERATURVERHALTEN. 95
2.9 DURCHBRUCHVERHALTEN. 96
2.10 METALL-HALBLEITER-UEBERGANG. 98
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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6
INHALTSVERZEICHNIS
2.10.1 SCHOTTKY-DIODE.*. 99
2.10.2 OHMSCHE KONTAKTE.
105
{-RU 107
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. YY YY *.*.
LITERATURHINWEISE.
111
112
3.0 BIPOLARER TRANSISTOR.
3.1 WIRKUNGSWEISE DES BIPOLAREN TRANSISTORS.
112
3.1.1 TRANSISTOR IM NORMALEN VERSTAERKERBETRIEB.
**8
3.1.2 TRANSISTOR IM INVERSEN VERSTAERKERBETRIEB. *
23
3.1.3 TRANSISTOR IM NORMALEN SAETTIGUNGSBETRIEB. 127
3.2 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG. YY *
3.2.1 ABHAENGIGKEIT DER STROMVERSTAERKUNG VOM ARBEITSPUNKT. 130
3.2.2 BASISWEITENMODULATION. *3^
3.2.3 EMITTERRANDVERDRAENGUNG. YY . *38
3.2.4 TEMPERATURVERHALTEN. . ****
3.2.5 DURCHBRUCHVERHALTEN. ***3
3.3
MODELLIERUNG DES BIPOLAREN TRANSISTORS.
146
3
.
3
.1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 146
3.3.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 150
3.4 TRANSISTORMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 159
3.4.1 MODELLRAHMEN. *59
3- 4.2 TRANSPORTMODELL.*. *82
3.4.3 GUMMEL-POON-MODELL. *83
UEBUNGEN. * * *. *7**
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. *77
LITERATURHINWEISE. *79
4.0 INTEGRIERTE BIPOLARE SCHALTUNGEN. *
8
*
4.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN BIPOLAREN SCHALTUNG. L
8
L
4.2 TRANSISTORSTRUKTUREN. *87
4.2.1 ZUSAMMENFASSUNG MEHRERER NPN-TRANSISTOREN. 187
4.2.2 PNP-TRANSISTOR.
*88
4.3 PASSIVE BAUELEMENTE. *90
4- 3-1 WIDERSTAENDE. *91
4.3-2 KONDENSATOREN. *95
4.3.3 DIODEN. 197
4.4 BIPOLARER INVERTER. 199
4.4.1 STOERABSTAND BEIM INVERTER. 201
4.4.2 SCHALTVERHALTEN DES INVERTERS. 204
4.4.3 UNGESAETTIGTER INVERTER. 207
4.5 GESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN. 208
4.5.1 TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIK (TTL). 211
4.6 UNGESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN. 213
4.6.1 SCHOTTKY-TTL. 213
4.6.2 CML-SCHALTUNGEN. . 215
4.6.3 ECL-SCHALTUNGEN.*. 220
INHALTSVERZEICHNIS
7
UEBUNGEN. 227
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 229
LITERATURHINWEISE. 230
5-0 FELDEFFEKTTRANSISTOR. 231
5-1 MOS-STRUKTUR. 231
5-1.1 CHARAKTERISTIK DER MOS-STRUKTUR. 233
5.1.2 KAPAZITAETSVERHALTEN DER MOS-STRUKTUR.
236
5.1.3 FLACHBANDSPANNUNG. 238
5-1.4 GLEICHUNGEN DER MOS-STRUKTUR. 243
5
.1.4.1 LADUNG IN DER RAUMLADUNGSZONE. 243
5
.1.4.2 LADUNG IN DER INVERSIONSSCHICHT. 245
5.1.4.3 EINSATZSPANNUNG. 251
5-2 WIRKUNGSWEISE DES MOS-TRANSISTORS. 253
5.2.1 ABLEITUNG DER TRANSISTORGLEICHUNGEN. 254
5.2.2 GENAUERE TRANSISTORGLEICHUNGEN. 259
5.3 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG. 260
5-3-1 BEWEGLICHKEITSDEGRADATION. 261
5
.
3*2
KANALLAENGENMODULATION. 262
5.3.3 EINSATZSPANNUNGSVERAENDERUNG BEI KLEINEN GEOMETRIEN.
265
5-3.4 MOS-TRANSISTOR BEI SCHWACHER INVERSION. 269
5.3.5 IMPLANTIERTE MOS-TRANSISTOREN. 271
5
.
3.6
TEMPERATURVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS. 273
5.3.7 DURCHBRUCHVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS. 274
5
.
3.8
BIPOLAREFFEKTE BEI MOS-TRANSISTOREN. 276
5.4 MODELLIERUNG DES MOS-TRANSISTORS. 280
5.4.1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 280
5.4.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHAL TBILD. 283
5.5 TRANSISTORMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 286
5.5.1 MODELLRAHMEN. 286
5-5*2 INNERES TRANSISTORMODELL. 288
5-5-3 LADUNGSMODELL DES INNEREN TRANSISTORS. 291
5.5.4 BESTIMMUNG DER MODELLPARAMETER. 293
5*6 SONDERBAUELEMENTE.
296
5.6.1 LADUNGSVERSCHIEBEELEMENTE.
296
5.6.2 EIN-TRANSISTOR-SPEICHERZELLE. 298
5
.
6.3
NICHTFLUECHTIGE SPEICHERZELLEN. 301
UEBUNGEN. 304
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 308
LITERATURHINWEISE. 309
6.0 GRUNDLAGEN INTEGRIERTER MOS-SCHALTUNGEN. 312
6.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN CMOS-SCHALTUNG. 312
6.2 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN NMOS-SCHALTUNG. 320
6.3
GEOMETRISCHE ENTWURFSREGELN. 320
6.4 ELEKTRISCHE ENTWURFSREGELN. 323
6.5
CAD-WERKZEUGE BEIM PHYSIKALISCHEN ENTWURF INTEGR. SCHALTUNGEN. 325
8
INHALTS VERZEICHNIS
6.6 MOS-INVERTER. 327
6.6.1 NMOS-INVERTER.*. 329
6.6.2 CMOS-INVERTER. YY 333
6.6.3 SCHALTVERHALTEN DER NMOS-INVERTER. 339
6.6.4 SCHALTVERHALTEN DER CMOS-INVERTER. 344
6.6.5 DIMENSIONIERUNG DER MOS-INVERTER. 346
6.7 TREIBERSCHALTUNGEN. 349
6.8 TRANSFER-ELEMENTE. - .*. 356
UEBUNGEN. 357
DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 362
LITERATURHINWEISE. 363
7.0 SCHALTNETZE UND SCHALTWERKE IN CMOS-TECHNIK. 364
7.1 STATISCHE SCHALTNETZE. 364
7.1.1 STATISCHE GATTERSCHALTUNGEN. 365
7.1.2 LAYOUT STATISCHER GATTERSCHALTUNGEN. 368
7.1.3 TRANSFER - GATTER SCHALTUNGEN. 371
7.2 GETAKTETE SCHALTNETZE. 374
7.2.1 GETAKTETE GATTERSCHALTUNGEN (C
2M0S). 375
7.2.2 DOMINOSCHALTUNGEN.* YY 377
7.2.3 MODIFIZIERTE DOMINOSCHALTUNG (NORA). 379
7.2.4 DIFFERENTIELL KASKADIERTE SCHALTUNG (DCVS). 382
7.2.5 SCHALTVERHALTEN DER GATTER. 383
7.3
LOGISCHE FELDER. 385
7.3*1 DEKODER. 386
7.3*2 PROGRAMMIERBARE LOGIKANORDNUNG (PLA). 390
7-4 SCHALTWERKE. 392
7.4.1 FLIPFLOPS. 393
7.4.2 REGISTER UND ZAEHLER. 396
7.4.3 MOS-SPEICHER. 399
UEBUNGEN. 415
LITERATURHINWEISE. 420
8.0 INTEGRIERTE BICMOS-SCHALTUNGEN. 422
8.1 HERSTELLUNG EINER BICMOS-SCHALTUNG. 422
8.2 VERGLEICH VON CMOS- UND BIPOLARGATTERN. 424
8.3
BICMOS-TREIBER UND -GATTER. 427
8.4 BANDABSTANDS-REFERENZSPANNUNG. 432
8.5
ECL-PERIPHERIESCHALTUNGEN. 440
8.6 STATISCHE BICMOS-SPEICHER. 444
UEBUNGEN. 448
LITERATURHINWEISE. 450
SACHREGISTER. 452 |
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