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VLSI-Entwurf: Modelle und Schaltungen

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hoffmann, Kurt 1940- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	München [u.a.] Oldenbourg 1993
Ausgabe:	2., durchges. Aufl.
Schriftenreihe:	Einführung in die Nachrichtentechnik
Schlagworte:	Schaltungsentwurf Entwurf VLSI Einführung
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS FORAELZEICHEN UND SYMBOLE. 13 UMRECHNUNGSFAKTOREN UND KONSTANTEN. 16 1.0 GRUNDLAGEN DER HALBLEITERPHYSIK. 17 1.1 THEORIE DES BAENDERMODELLS. 17 1.2 DOTIERTE HALBLEITER. 22 1.3 GLEICHUNGEN FUER DEN HALBLEITER IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 24 1.3- 1 FERMI-VERTEILUNGSFUNKTION. 2K 1.3.2 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 27 1.3- 3 DAS DICHTEPRODUKT IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 29 1.3.4 ELEKTRONENENERGIE, SPANNUNG UND ELEKTRISCHE FELDSTAERKE. 33 1.4 LADUNGSTRAEGERTRANSPORT. 36 1.4.1 DRIFTGESCHWINDIGKEIT. 36 1.4.2 DRIFTSTROM. 38 1.4.3 DIFFUSIONSSTROM. 4L 1.4.4 KONTINUITAETSGLEICHUNG. 42 1.5 STOERUNGEN DES THERMODYN. GLEICHGEWICHTS. 44 UEBUNGEN. 52 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 54 LITERATURHINWEISE. 55 2.0 DIE DIODE. 56 2.1 INHOMOGENER N-TYP-HALBLEITER. 56 2.2 DER PN-UEBERGANG IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT. 58 2.3 DIE PN-DIODE BEI ANLEGEN EINER SPANNUNG. 60 2.3.1 DIE PN-DIODE IN DURCHLASSRICHTUNG. 61 2.3.2 DIE PN-DIODE IN SPERRICHTUNG. 63 2.3.3 DAS DICHTEPRODUKT BEI ABWEICHUNGEN V.THERMODYN.GLEICHGEWICHT. 65 2.4 PN-DIODENGLEICHUNG. 67 2.4.1 IDEALE DIODENGLEICHUNG. 67 2.4.2 ABWEICHUNGEN VON DER IDEALEN DIODENGLEICHUNG. 70 2.4.3 SPANNUNGSBEZUGSPUNKT. 73 2.5 KAPAZITAETSVERHALTEN DES PN-UEBERGANGS. 74 2.5.1 SPERRSCHICHTKAPAZITAET. 74 2.5.2 DIFFUSIONSKAPAZITAET. 80 2.6 MODELLIERUNG DER PN-DIODE. 85 2.6.1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 86 2.6.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 90 2.6.3 DIODENMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 92 2.7 SCHALTVERHALTEN DER PN-DIODE. 93 2.8 TEMPERATURVERHALTEN. 95 2.9 DURCHBRUCHVERHALTEN. 96 2.10 METALL-HALBLEITER-UEBERGANG. 98 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/921518137 6 INHALTSVERZEICHNIS 2.10.1 SCHOTTKY-DIODE.. 99 2.10.2 OHMSCHE KONTAKTE. 105 {-RU 107 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. YY YY .. LITERATURHINWEISE. 111 112 3.0 BIPOLARER TRANSISTOR. 3.1 WIRKUNGSWEISE DES BIPOLAREN TRANSISTORS. 112 3.1.1 TRANSISTOR IM NORMALEN VERSTAERKERBETRIEB. 8 3.1.2 TRANSISTOR IM INVERSEN VERSTAERKERBETRIEB. 23 3.1.3 TRANSISTOR IM NORMALEN SAETTIGUNGSBETRIEB. 127 3.2 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG. YY * 3.2.1 ABHAENGIGKEIT DER STROMVERSTAERKUNG VOM ARBEITSPUNKT. 130 3.2.2 BASISWEITENMODULATION. 3^ 3.2.3 EMITTERRANDVERDRAENGUNG. YY . 38 3.2.4 TEMPERATURVERHALTEN. . ** 3.2.5 DURCHBRUCHVERHALTEN. 3 3.3 MODELLIERUNG DES BIPOLAREN TRANSISTORS. 146 3 . 3 .1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 146 3.3.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 150 3.4 TRANSISTORMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 159 3.4.1 MODELLRAHMEN. 59 3- 4.2 TRANSPORTMODELL.. 82 3.4.3 GUMMEL-POON-MODELL. 83 UEBUNGEN. * . 7** DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 77 LITERATURHINWEISE. 79 4.0 INTEGRIERTE BIPOLARE SCHALTUNGEN. * 8 * 4.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN BIPOLAREN SCHALTUNG. L 8 L 4.2 TRANSISTORSTRUKTUREN. 87 4.2.1 ZUSAMMENFASSUNG MEHRERER NPN-TRANSISTOREN. 187 4.2.2 PNP-TRANSISTOR. 88 4.3 PASSIVE BAUELEMENTE. 90 4- 3-1 WIDERSTAENDE. 91 4.3-2 KONDENSATOREN. 95 4.3.3 DIODEN. 197 4.4 BIPOLARER INVERTER. 199 4.4.1 STOERABSTAND BEIM INVERTER. 201 4.4.2 SCHALTVERHALTEN DES INVERTERS. 204 4.4.3 UNGESAETTIGTER INVERTER. 207 4.5 GESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN. 208 4.5.1 TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIK (TTL). 211 4.6 UNGESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN. 213 4.6.1 SCHOTTKY-TTL. 213 4.6.2 CML-SCHALTUNGEN. . 215 4.6.3 ECL-SCHALTUNGEN.. 220 INHALTSVERZEICHNIS 7 UEBUNGEN. 227 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 229 LITERATURHINWEISE. 230 5-0 FELDEFFEKTTRANSISTOR. 231 5-1 MOS-STRUKTUR. 231 5-1.1 CHARAKTERISTIK DER MOS-STRUKTUR. 233 5.1.2 KAPAZITAETSVERHALTEN DER MOS-STRUKTUR. 236 5.1.3 FLACHBANDSPANNUNG. 238 5-1.4 GLEICHUNGEN DER MOS-STRUKTUR. 243 5 .1.4.1 LADUNG IN DER RAUMLADUNGSZONE. 243 5 .1.4.2 LADUNG IN DER INVERSIONSSCHICHT. 245 5.1.4.3 EINSATZSPANNUNG. 251 5-2 WIRKUNGSWEISE DES MOS-TRANSISTORS. 253 5.2.1 ABLEITUNG DER TRANSISTORGLEICHUNGEN. 254 5.2.2 GENAUERE TRANSISTORGLEICHUNGEN. 259 5.3 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG. 260 5-3-1 BEWEGLICHKEITSDEGRADATION. 261 5 . 32 KANALLAENGENMODULATION. 262 5.3.3 EINSATZSPANNUNGSVERAENDERUNG BEI KLEINEN GEOMETRIEN. 265 5-3.4 MOS-TRANSISTOR BEI SCHWACHER INVERSION. 269 5.3.5 IMPLANTIERTE MOS-TRANSISTOREN. 271 5 . 3.6 TEMPERATURVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS. 273 5.3.7 DURCHBRUCHVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS. 274 5 . 3.8 BIPOLAREFFEKTE BEI MOS-TRANSISTOREN. 276 5.4 MODELLIERUNG DES MOS-TRANSISTORS. 280 5.4.1 DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD. 280 5.4.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHAL TBILD. 283 5.5 TRANSISTORMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN. 286 5.5.1 MODELLRAHMEN. 286 5-52 INNERES TRANSISTORMODELL. 288 5-5-3 LADUNGSMODELL DES INNEREN TRANSISTORS. 291 5.5.4 BESTIMMUNG DER MODELLPARAMETER. 293 56 SONDERBAUELEMENTE. 296 5.6.1 LADUNGSVERSCHIEBEELEMENTE. 296 5.6.2 EIN-TRANSISTOR-SPEICHERZELLE. 298 5 . 6.3 NICHTFLUECHTIGE SPEICHERZELLEN. 301 UEBUNGEN. 304 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN. 308 LITERATURHINWEISE. 309 6.0 GRUNDLAGEN INTEGRIERTER MOS-SCHALTUNGEN. 312 6.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN CMOS-SCHALTUNG. 312 6.2 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN NMOS-SCHALTUNG. 320 6.3 GEOMETRISCHE ENTWURFSREGELN. 320 6.4 ELEKTRISCHE ENTWURFSREGELN. 323 6.5 CAD-WERKZEUGE BEIM PHYSIKALISCHEN ENTWURF INTEGR. 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