Systemintegration :: vom transistor zur grossintegrierten schaltung /
Systemintegration : Vom Transistor zur großintegrierten Schaltung.
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| Format: | Elektronisch E-Book |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Munich, Germany :
Oldenbourg Verlag,
2011.
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| Ausgabe: | 3., korrigierte und erweiterte Auflage. |
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| Online-Zugang: | Volltext |
| Zusammenfassung: | Systemintegration : Vom Transistor zur großintegrierten Schaltung. |
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| 505 | 0 | |a Inhaltsverzeichnis; Vorwort; Zum Inhalt des Buches; Formelzeichen und Symbole; Umrechnungsfaktoren und Konstanten; Wichtige Beziehungen; 1 Grundlagen der Halbleiterphysik; 1.1 Theorie des Bändermodells; 1.2 Dotierte Halbleiter; 1.3 Gleichungen für den Halbleiter im Gleichgewichtszustand; 1.3.1 Fermi-Verteilungsfunktion; 1.3.2 Ladungsträgerkonzentration im Gleichgewichtszustand; 1.3.3 Das Dichteprodukt im Gleichgewichtszustand; 1.3.4 Elektronenenergie, Spannung und elektrische Feldstärke; 1.4 Ladungsträgertransport; 1.4.1 Driftgeschwindigkeit; 1.4.2 Driftstrom; 1.4.3 Diffusionsstrom. | |
| 505 | 8 | |a 1.4.4 Kontinuitätsgleichung1.5 Störungen des thermodynamischen Gleichgewichts; 1.6 Übungen; 1.7 Literatur; 2 Metallurgischer pn-Übergang; 2.1 Inhomogener n-Typ-Halbleiter; 2.2 Der pn-Übergang im Gleichgewichtszustand; 2.3 Der pn-Übergang bei Anlegen einer Spannung; 2.3.1 Das Dichteprodukt bei Abweichungen vom Gleichgewichtszustand; 2.3.2 Stromspannungsbeziehung; 2.3.3 Abweichungen von der Stromspannungsbeziehung; 2.3.4 Spannungsbezugspunkt; 2.4 Kapazitätsverhalten des pn-Übergangs; 2.4.1 Sperrschichtkapazität; 2.4.2 Diffusionskapazität; 2.5 Schaltverhalten des pn-Übergangs. | |
| 505 | 8 | |a 2.6 Durchbruchverhalten2.7 Modellierung des pn-Übergangs; 2.7.1 Diodenmodell für CAD-Anwendungen; 2.7.2 Diodenmodell für überschlägige statische Berechnungen; 2.7.3 Diodenmodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 2.8 Übungen; 2.9 Literatur; 3 Bipolarer Transistor; 3.1 Herstellung einer Bipolarschaltung; 3.2 Wirkungsweise des bipolaren Transistors; 3.2.1 Stromspannungsbeziehung; 3.2.2 Transistor im inversen Betrieb; 3.2.3 Spannungssättigung; 3.2.4 Temperaturverhalten; 3.2.5 Durchbruchverhalten; 3.3 Effekte zweiter Ordnung; 3.3.1 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Kollektorstrom. | |
| 505 | 8 | |a 3.3.2 Basisweitenmodulation3.3.3 Emitterrandverdrängung; 3.4 Abweichende Transistorstrukturen; 3.5 Modellierung des bipolaren Transistors; 3.5.1 Transistormodell für CAD-Anwendungen; 3.5.2 Transistormodell für überschlägige statische Berechnungen; 3.5.3 Transistormodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 3.5.4 Bestimmung der Transitzeit; 3.6 Übungen; 3.7 Literatur; 4 Feldeffekttransistor; 4.1 Herstellung einer CMOS-Schaltung; 4.2 MOS-Struktur; 4.2.1 Charakteristik der MOS-Struktur; 4.2.2 Kapazitätsverhalten der MOS-Struktur; 4.2.3 Flachbandspannung; 4.3 Gleichungen der MOS-Struktur. | |
| 505 | 8 | |a 4.3.1 Ladungen in der MOS-Struktur4.3.2 Oberflächenspannung bei starker Inversion; 4.3.3 Einsatzspannung und Substratsteuereffekt; 4.4 Wirkungsweise des MOS-Transistors; 4.4.1 Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.2 Genauere Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.3 Transistorgleichungen bei schwacher Inversion; 4.4.4 Temperaturverhalten des MOS-Transistors; 4.5 Effekte zweiter Ordnung; 4.5.1 Beweglichkeitsdegradation; 4.5.2 Kanallängenmodulation; 4.5.3 Kurzkanaleffekte; 4.5.4 Heiße Ladungsträger; 4.5.5 Gateinduzierter Drainleckstrom. | |
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| spelling | Hoffmann, Kurt. Systemintegration : vom transistor zur grossintegrierten schaltung / von Kurt Hoffmann. 3., korrigierte und erweiterte Auflage. Munich, Germany : Oldenbourg Verlag, 2011. ©2011 1 online resource (622 pages) : illustrations text txt rdacontent computer c rdamedia online resource cr rdacarrier Includes bibliographical references and index. Online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed January 31, 2014). Inhaltsverzeichnis; Vorwort; Zum Inhalt des Buches; Formelzeichen und Symbole; Umrechnungsfaktoren und Konstanten; Wichtige Beziehungen; 1 Grundlagen der Halbleiterphysik; 1.1 Theorie des Bändermodells; 1.2 Dotierte Halbleiter; 1.3 Gleichungen für den Halbleiter im Gleichgewichtszustand; 1.3.1 Fermi-Verteilungsfunktion; 1.3.2 Ladungsträgerkonzentration im Gleichgewichtszustand; 1.3.3 Das Dichteprodukt im Gleichgewichtszustand; 1.3.4 Elektronenenergie, Spannung und elektrische Feldstärke; 1.4 Ladungsträgertransport; 1.4.1 Driftgeschwindigkeit; 1.4.2 Driftstrom; 1.4.3 Diffusionsstrom. 1.4.4 Kontinuitätsgleichung1.5 Störungen des thermodynamischen Gleichgewichts; 1.6 Übungen; 1.7 Literatur; 2 Metallurgischer pn-Übergang; 2.1 Inhomogener n-Typ-Halbleiter; 2.2 Der pn-Übergang im Gleichgewichtszustand; 2.3 Der pn-Übergang bei Anlegen einer Spannung; 2.3.1 Das Dichteprodukt bei Abweichungen vom Gleichgewichtszustand; 2.3.2 Stromspannungsbeziehung; 2.3.3 Abweichungen von der Stromspannungsbeziehung; 2.3.4 Spannungsbezugspunkt; 2.4 Kapazitätsverhalten des pn-Übergangs; 2.4.1 Sperrschichtkapazität; 2.4.2 Diffusionskapazität; 2.5 Schaltverhalten des pn-Übergangs. 2.6 Durchbruchverhalten2.7 Modellierung des pn-Übergangs; 2.7.1 Diodenmodell für CAD-Anwendungen; 2.7.2 Diodenmodell für überschlägige statische Berechnungen; 2.7.3 Diodenmodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 2.8 Übungen; 2.9 Literatur; 3 Bipolarer Transistor; 3.1 Herstellung einer Bipolarschaltung; 3.2 Wirkungsweise des bipolaren Transistors; 3.2.1 Stromspannungsbeziehung; 3.2.2 Transistor im inversen Betrieb; 3.2.3 Spannungssättigung; 3.2.4 Temperaturverhalten; 3.2.5 Durchbruchverhalten; 3.3 Effekte zweiter Ordnung; 3.3.1 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Kollektorstrom. 3.3.2 Basisweitenmodulation3.3.3 Emitterrandverdrängung; 3.4 Abweichende Transistorstrukturen; 3.5 Modellierung des bipolaren Transistors; 3.5.1 Transistormodell für CAD-Anwendungen; 3.5.2 Transistormodell für überschlägige statische Berechnungen; 3.5.3 Transistormodell für überschlägige Kleinsignalberechnungen; 3.5.4 Bestimmung der Transitzeit; 3.6 Übungen; 3.7 Literatur; 4 Feldeffekttransistor; 4.1 Herstellung einer CMOS-Schaltung; 4.2 MOS-Struktur; 4.2.1 Charakteristik der MOS-Struktur; 4.2.2 Kapazitätsverhalten der MOS-Struktur; 4.2.3 Flachbandspannung; 4.3 Gleichungen der MOS-Struktur. 4.3.1 Ladungen in der MOS-Struktur4.3.2 Oberflächenspannung bei starker Inversion; 4.3.3 Einsatzspannung und Substratsteuereffekt; 4.4 Wirkungsweise des MOS-Transistors; 4.4.1 Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.2 Genauere Transistorgleichungen bei starker Inversion; 4.4.3 Transistorgleichungen bei schwacher Inversion; 4.4.4 Temperaturverhalten des MOS-Transistors; 4.5 Effekte zweiter Ordnung; 4.5.1 Beweglichkeitsdegradation; 4.5.2 Kanallängenmodulation; 4.5.3 Kurzkanaleffekte; 4.5.4 Heiße Ladungsträger; 4.5.5 Gateinduzierter Drainleckstrom. Systemintegration : Vom Transistor zur großintegrierten Schaltung. Semiconductors. http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85119903 Transistors. http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85136935 Very high speed integrated circuits. http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85142925 Semi-conducteurs. Transistors. Circuits intégrés à très grande vitesse. semiconductor. aat transistors. aat TECHNOLOGY & ENGINEERING Mechanical. bisacsh Semiconductors fast Transistors fast Very high speed integrated circuits fast Print version: Hoffmann, Kurt. Systemintegration : vom transistor zur grossintegrierten schaltung. 3., korrigierte und erweiterte Auflage. Munich, Germany : Oldenbourg Verlag, ©2011 xxvii, 594 pages 9783486706819 FWS01 ZDB-4-EBA FWS_PDA_EBA https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=674528 Volltext |
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