Physics-based trap modeling of GaN HEMTs:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Beleniotis, Petros (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Cottbus ; Senftenberg Brandenburgische Technische Universität 2024
Schlagworte:
Online-Zugang:kostenfrei
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Beschreibung:xi, 152 Seiten Illustrationen, Diagramme
DOI:10.26127/BTUOpen-6933

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