Lehrbuch der Hochfrequenztechnik: 2. Band Elektronik und Signalverarbeitung

Der vorliegende zweite Band mit den Kapiteln 7 bis 12 ist vollständig umgearbeitet und dem heutigen Stand der Halbleitertechnik angepaßt worden. Im Kapitel 7 über Elektronenröhren und Halbleiter sind dementsprechend besonders die Abschnitte über Trioden und Mehrgitterröhren stark gekürzt worden. Im...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Zinke, Otto (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin ; Heidelberg Springer-Verlag Berlin Heidelberg GmbH 1974
Ausgabe:2., neubearbeitete und erweiterte Auflage
Schlagworte:
Online-Zugang:BTU01
FAW01
FAW02
FHI01
FHN01
TUM01
UBY01
Volltext
Zusammenfassung:Der vorliegende zweite Band mit den Kapiteln 7 bis 12 ist vollständig umgearbeitet und dem heutigen Stand der Halbleitertechnik angepaßt worden. Im Kapitel 7 über Elektronenröhren und Halbleiter sind dementsprechend besonders die Abschnitte über Trioden und Mehrgitterröhren stark gekürzt worden. Im Abschnitt über Halbleiterdioden sind u.a. Schottky-Diode, Rückwärtsdiode, Tunneldiode, PIN -Diode, Sperrschicht-Varaktor, Speichervaraktor, Photodiode und Referenzdiode behandelt. Ein ausführlicher Abschnitt über bipolare Transistoren bringt nach den Grundlagen über Herstellung und Aufbau anhand der grundlegenden EBERs-MoLL-Gleichungen Betriebsbereiche, Kennlinienfelder, Kleinsignalgleichungen und Grundschaltungen, Temperaturabhängigkeit und Stabilisierung sowie das Hochfrequenzverhalten. Der Abschnitt über Feldeffekt-Transistoren behandelt diese Eigenschaften in komprimierter Form. Der Leser findet ein neues Kapitel 8 über Störungen und Rauschen mit den Grundbegriffen der Statistik und den Hauptrauschquellen. Rauschen in Vierpolschaltungen wird mit den verschiedenen Begriffen Rauschfaktor, Rauschzahl, Rauschmaß und Rauschtemperatur ausführlich dargestellt und an vier Beispielen erläutert. Das Verstärker-Kapitel 9 wurde gestrafft und durch neue Abschnitte über Operationsverstärker und Tunneldiodenverstärker ergänzt; der Abschnitt über Reaktanzgeradeausverstärker wurde neu bearbeitet. Im Kapitel 10 (Oszillatoren) sind die Abschnitte über Tunneldioden-Oszillatoren, Elektronen-Transfer-Elemente (Gunn-Elemente) und Lawinenlaufzeitdioden neu aufgenommen und die Abschnitte über Laufzeitoszillatoren besonders beim Carcinotron überarbeitet. Der Abschnitt über Vierpoloszillatoren erhielt bei den RC-Oszillatoren eine ausführliche Diskusion der Schaltungstechnik hinsichtlich Phasensteilheit und Stabilitätsfaktor.
Beschreibung:1 Online-Ressource (XII, 385 Seiten)
ISBN:9783662083000
DOI:10.1007/978-3-662-08300-0

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