Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer Verlag
[2021]
|
Schriftenreihe: | Solare Energie- und Systemforschung
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltstext Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | iii, 288 Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm |
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adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLAGEN
UND
HERSTELLUNGSMETHODEN
9
2.1
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
MOVPE
........................
9
2.1.1
CRIUS
CLOSE
COUPLED
SHOWERHEAD
REAKTOR
.............
11
2.1.2
AIX
2800G4
PLANETENREAKTOR
.....................................
13
2.1.3
IN-SITU
REFLEKTOMETRIE
..................................................
13
2.2
III-V
AUF
SI
NUKLEATION
..............................................................
20
2.3
VERSETZUNGEN
IN
FCC
KRISTALLEN
..................................................
23
2.3.1
PARTIELLE
VERSETZUNGEN
..................................................
27
2.4
GITTERFEHLANGEPASSTE
EPITAXIE
..................................................
30
2.4.1
VERSETZUNGSDICHTE
IN
METAMORPHEN
PUFFERSTRUKTUREN
32
2.5
SCHICHTCHARAKTERISIERUNG
...........................................................
34
2.6
XRD
-
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
...............................................
36
3
DEFEKTCHARAKTERISIERUNG
41
3.1
DEEP
LEVEL
TRANSIENT
SPECTROSCOPY
-
DLTS
..............................
41
3.2
ELECTRON
CHANNELING
CONTRAST
IMAGING
-
ECCI
........................
46
3.2.1
ANTIPHASEN
....................................................................
53
3.2.2
QUERSCHNITTSAUFNAHMEN
...............................................
57
3.2.3
DURCHSTOSSVERSETZUNGEN
CL
VS.
ECCI
..............................
60
4
DEGRADATION
DER
LEBENSDAUER
IM
SILICIUM
MATERIAL
65
4.1
LEBENSDAUER
DER
MINORITAETSLADUNGSTRAEGER
............................
65
4.1.1
DEEP
LEVEL
TRANSIENT
SPECTROSCOPY
-
DLTS
............
66
4.1.2
PHOTOLUMINESZENZ
-
PL
...............................................
72
5
GAP
NUKLEATION
AUF
SILICIUM
77
5.1
NUKLEATIONSPROZESS
....................................................................
77
5.2
DEFEKTANALYSE
..............................................................................
80
5.2.1
STAPELFEHLERTRAPEZOIDE
UND
EINFACHE
STAPELFEHLER
.
.
82
5.2.2
NACHWEIS
VON
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
.........................
87
II
INHALTSVERZEICHNIS
5.2.3
UNVOLLSTAENDIGE
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
UND
STAIR-ROD
VERSETZUNGEN
.................................................................
91
5.2.4
INTERAKTION
VON
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
MIT
VERSET
ZUNGEN
.................................................................
94
5.2.5
KORRELATION
DER
MORPHOLOGIE
MIT
KRISTALLDEFEKTEN
.
.
98
5.2.6
REDUKTION
DER
STAPELFEHLERPYRAMIDENDICHTE
............
100
5.3
GITTERANGEPASSTE
GANP
SCHICHT
.................................................
109
5.4
NUKLEATION
AUF
KOSTENGUENSTIG
PRAEPARIERTEN
SI
OBERFLAECHEN
.
115
6
GAASP
PUFFERSTRUKTUR
125
6.1
BESTIMMUNG
DES
AS/P
EINBAUS
IN
GAAS
Y
PI.
Y
........................
125
6.2
EINFLUSS
VERSCHIEDENER
WACHSTUMSPARAMETER
...........................
129
6.2.1
WACHSTUMSTEMPERATUR
....................................................
129
6.2.2
V/III
VERHAELTNIS
.............................................................
136
6.3
ENTWICKLUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
IN
METAMORPHEN
PUFFERN
138
6.4
PUFFERDESIGN
...................................................................................
141
6.4.1
GRADINGRATE
.......................................................................
142
6.4.2
SCHRITTWEITE
DER
FEHLANPASSUNG
....................................
144
6.5
VERGLEICH
DER
DURCHSTOSSVERSETZUNGSDICHTE
MIT
LITERATURWERTEN
145
6.6
EINFLUSS
DES
SUBSTRATS
(GAP
VS.
GAP/SI)
.................................
147
6.7
KRISTALLORDNUNG
IN
GAAS
Y
PI.
Y
....................................................
150
6.7.1
GAAS
Y
PI.
Y
AUF
GAP
SUBSTRAT
.......................................
151
6.7.2
GAAS
Y
PI.
Y
AUF
GAP/SI
QUASISUBSTRAT
..........................
157
6.8
NIEDERTEMPERATUR
GAAS
Y
PI.
Y
PUFFERSTRUKTUREN
.....................
160
6.8.1
RELAXATION
.....................................................
164
6.8.2
DOTIERUNG
..........................................................................
165
6.9
ANALYSE
DER
RELAXATIONSMECHANISMEN
MITTELS
ECCI
............
167
6.10
TRANSPARENTE
AL
X
GAI.
X
AS
Y
PI.
Y
PUFFERSTRUKTUREN
.....................
174
6.10.1
OPTISCHE
TRANSPARENZ
....................................................
174
6.10.2
MORPHOLOGIE
.......................................................................
177
6.10.3
DURCHSTOSSVERSETZUNGSDICHTE
...........................................
177
7
MEHRFACHSOLARZELLEN
181
7.1
DESIGN
UND
HERSTELLUNG
DER
SI
UNTERZELLE
...................................
181
7.2
HERSTELLUNGSPROZESS
DER
GALNP/GAAS/SI
DREIFACHSOLARZELLE
.
186
7.3
CHARAKTERISIERUNG
DER
SOLARZELLEN
..............................................
187
7.4
UEBERSICHT
DER
HERGESTELLTEN
GALNP/GAAS/SI
DREIFACHSOLAR
ZELLEN
...................................................................................
189
7.5
ERSTE
GENERATION:
HOHE
DEFEKTDICHTEN
(?)
=
19,3%)
................
192
INHALTSVERZEICHNIS
III
7.6
ZWEITE
GENERATION:
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
(77
=
22,3
%)
.
.
.
198
7.6.1
RISSBILDUNG
-
THERMISCHE
AUSDEHNUNG
........................
206
7.7
DRITTE
GENERATION:
ALGAASP
PUFFERSTRUKTUREN
(R/
=
24,3
%)
207
7.7.1
S-SHAPE
MAJORITAETENBARRIERE
...........................................
213
7.8
VIERTE
GENERATION:
MAJORITAETENBARRIERE
(77
=
25,9
%)
....
223
7.9
WEITERE
ZELLDESIGNS
.......................................................................
226
7.9.1
TEXTURIERUNG
DER
SI
UNTERZELLE
(RANDOM
PYRURNIDS)
.
226
7.9.2
ALGAAS
MITTELZELLE
..........................................................
229
8
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
233
LITERATUR
241
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
273
TABELLENVERZEICHNIS
279
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
281
VEROEFFENTLICHUNGEN
285
DANKSAGUNG
287
|
adam_txt |
INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLAGEN
UND
HERSTELLUNGSMETHODEN
9
2.1
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
MOVPE
.
9
2.1.1
CRIUS
CLOSE
COUPLED
SHOWERHEAD
REAKTOR
.
11
2.1.2
AIX
2800G4
PLANETENREAKTOR
.
13
2.1.3
IN-SITU
REFLEKTOMETRIE
.
13
2.2
III-V
AUF
SI
NUKLEATION
.
20
2.3
VERSETZUNGEN
IN
FCC
KRISTALLEN
.
23
2.3.1
PARTIELLE
VERSETZUNGEN
.
27
2.4
GITTERFEHLANGEPASSTE
EPITAXIE
.
30
2.4.1
VERSETZUNGSDICHTE
IN
METAMORPHEN
PUFFERSTRUKTUREN
32
2.5
SCHICHTCHARAKTERISIERUNG
.
34
2.6
XRD
-
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
.
36
3
DEFEKTCHARAKTERISIERUNG
41
3.1
DEEP
LEVEL
TRANSIENT
SPECTROSCOPY
-
DLTS
.
41
3.2
ELECTRON
CHANNELING
CONTRAST
IMAGING
-
ECCI
.
46
3.2.1
ANTIPHASEN
.
53
3.2.2
QUERSCHNITTSAUFNAHMEN
.
57
3.2.3
DURCHSTOSSVERSETZUNGEN
CL
VS.
ECCI
.
60
4
DEGRADATION
DER
LEBENSDAUER
IM
SILICIUM
MATERIAL
65
4.1
LEBENSDAUER
DER
MINORITAETSLADUNGSTRAEGER
.
65
4.1.1
DEEP
LEVEL
TRANSIENT
SPECTROSCOPY
-
DLTS
.
66
4.1.2
PHOTOLUMINESZENZ
-
PL
.
72
5
GAP
NUKLEATION
AUF
SILICIUM
77
5.1
NUKLEATIONSPROZESS
.
77
5.2
DEFEKTANALYSE
.
80
5.2.1
STAPELFEHLERTRAPEZOIDE
UND
EINFACHE
STAPELFEHLER
.
.
82
5.2.2
NACHWEIS
VON
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
.
87
II
INHALTSVERZEICHNIS
5.2.3
UNVOLLSTAENDIGE
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
UND
STAIR-ROD
VERSETZUNGEN
.
91
5.2.4
INTERAKTION
VON
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
MIT
VERSET
ZUNGEN
.
94
5.2.5
KORRELATION
DER
MORPHOLOGIE
MIT
KRISTALLDEFEKTEN
.
.
98
5.2.6
REDUKTION
DER
STAPELFEHLERPYRAMIDENDICHTE
.
100
5.3
GITTERANGEPASSTE
GANP
SCHICHT
.
109
5.4
NUKLEATION
AUF
KOSTENGUENSTIG
PRAEPARIERTEN
SI
OBERFLAECHEN
.
115
6
GAASP
PUFFERSTRUKTUR
125
6.1
BESTIMMUNG
DES
AS/P
EINBAUS
IN
GAAS
Y
PI.
Y
.
125
6.2
EINFLUSS
VERSCHIEDENER
WACHSTUMSPARAMETER
.
129
6.2.1
WACHSTUMSTEMPERATUR
.
129
6.2.2
V/III
VERHAELTNIS
.
136
6.3
ENTWICKLUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
IN
METAMORPHEN
PUFFERN
138
6.4
PUFFERDESIGN
.
141
6.4.1
GRADINGRATE
.
142
6.4.2
SCHRITTWEITE
DER
FEHLANPASSUNG
.
144
6.5
VERGLEICH
DER
DURCHSTOSSVERSETZUNGSDICHTE
MIT
LITERATURWERTEN
145
6.6
EINFLUSS
DES
SUBSTRATS
(GAP
VS.
GAP/SI)
.
147
6.7
KRISTALLORDNUNG
IN
GAAS
Y
PI.
Y
.
150
6.7.1
GAAS
Y
PI.
Y
AUF
GAP
SUBSTRAT
.
151
6.7.2
GAAS
Y
PI.
Y
AUF
GAP/SI
QUASISUBSTRAT
.
157
6.8
NIEDERTEMPERATUR
GAAS
Y
PI.
Y
PUFFERSTRUKTUREN
.
160
6.8.1
RELAXATION
.
164
6.8.2
DOTIERUNG
.
165
6.9
ANALYSE
DER
RELAXATIONSMECHANISMEN
MITTELS
ECCI
.
167
6.10
TRANSPARENTE
AL
X
GAI.
X
AS
Y
PI.
Y
PUFFERSTRUKTUREN
.
174
6.10.1
OPTISCHE
TRANSPARENZ
.
174
6.10.2
MORPHOLOGIE
.
177
6.10.3
DURCHSTOSSVERSETZUNGSDICHTE
.
177
7
MEHRFACHSOLARZELLEN
181
7.1
DESIGN
UND
HERSTELLUNG
DER
SI
UNTERZELLE
.
181
7.2
HERSTELLUNGSPROZESS
DER
GALNP/GAAS/SI
DREIFACHSOLARZELLE
.
186
7.3
CHARAKTERISIERUNG
DER
SOLARZELLEN
.
187
7.4
UEBERSICHT
DER
HERGESTELLTEN
GALNP/GAAS/SI
DREIFACHSOLAR
ZELLEN
.
189
7.5
ERSTE
GENERATION:
HOHE
DEFEKTDICHTEN
(?)
=
19,3%)
.
192
INHALTSVERZEICHNIS
III
7.6
ZWEITE
GENERATION:
STAPELFEHLERPYRAMIDEN
(77
=
22,3
%)
.
.
.
198
7.6.1
RISSBILDUNG
-
THERMISCHE
AUSDEHNUNG
.
206
7.7
DRITTE
GENERATION:
ALGAASP
PUFFERSTRUKTUREN
(R/
=
24,3
%)
207
7.7.1
S-SHAPE
MAJORITAETENBARRIERE
.
213
7.8
VIERTE
GENERATION:
MAJORITAETENBARRIERE
(77
=
25,9
%)
.
223
7.9
WEITERE
ZELLDESIGNS
.
226
7.9.1
TEXTURIERUNG
DER
SI
UNTERZELLE
(RANDOM
PYRURNIDS)
.
226
7.9.2
ALGAAS
MITTELZELLE
.
229
8
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
233
LITERATUR
241
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273
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