Grundlagen der Mikroelektronik: 1
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Springer Vieweg
[2021]
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Inhaltsverzeichnis 1 Einführung in die Elektronik. 1.1 Grundlegende Konzepte. 1.1.1 Ohmsches Gesetz. 1.1.2 Knotenregel (1. Kirchhoffsches Gesetz). . 1.1.3 Maschenregel (2. Kirchhoffsches Gesetz). . 1.1.4 Parallelschaltung von Widerständen . 1.1.5 Stromteiler. . 1.1.6 Reihenschaltung von Widerständen. 1.1.7 Spannungsteiler. . 1.2 Zweipoltheorie. 1.2.1 Zählpfeilsysteme. . . 1.2.2 Ideale und lineare Stromquellen. . . 1.2.3 Ideale und lineare Spannungsquellen . . 1.2.4 Ersatzstromquelle . . 1.2.5 Ersatzspannungsquelle. . 1.2.6 Superposition. 1.3 Zweitortheorie. 1.3.1 Ein-und Ausgangswiderstand. . . . 1.3.2 Zweitorparameter. . 1.3.3 Gesteuerte ideale Quellen. Zusammenfassung. 2
Halbleiterphysik. 2.1 Halbleitermaterialien. 2.1.1 Ladungsträger im intrinsischen Halbleiter. 2.1.2 Dotierung. 2.1.3 Ladungsträger im extrinsischen Halbleiter. . . 2.1.4 Verbindungshalbleiter . . 1 2 2 5 7 8 10 11 12 14 15 16 17 19 21 24 27 28 30 39 41 43 44 46 50 52 56 IX
Inhaltsverzeichnis X Stromtransportmechanismen. 2.2.1 Driftstrom. 2.2.2 Diffusionsstrom. 2.2.3 Gesamtstrom. Zusammenfassung. 57 58 64 68 69 Diode. 3.1 Struktur. 3.2 Diode im thermischen Gleichgewicht. 3.2.1 Funktionsprinzip. 3.2.2 Diffusionsspannung. 3.2.3 Elektrische Feldstärke. 3.2.4 Weite der Raumladungszone. 3.3 Diode mit angelegter Spannung. 3.3.1 Sperrpolung. 3.3.2 Flusspolung. . 3.3.3 Strom-Spannungs-
Kennlinie. 3.3.4 Temperaturverhalten . 3.3.5 Durchbruchmechanismen. 3.4 Modellierung der Diode. 3.4.1 Ideales Diodenmodell. 3.4.2 Diodenmodell mit konstantemSpannungsabfall. 3.4.3 Diodenmodell mit konstantemSpannungsabfall und Widerstand. 3.4.4 Diodenmodell für den Durchbruch. 3.4.5 Zusammenfassung der Diodenmodelle und Analysemethoden. 3.5 Anwendungen. 3.5.1 Spannungsbegrenzung. 3.5.2 Spannungsstabilisierung. 3.5.3 Gleichrichtung. Zusammenfassung. 71 72 75 75 78 80 81 84 85 88 92 95 99 102 106 109 4 Bipolartransistor. 4.1 Struktur und
Zählpfeilrichtungen. 4.2 Betriebsbereiche. 4.3 Funktionsweise und Stromgleichungen. 4.3.1 Vorwärtsaktiver Betrieb. 4.3.2 Rückwärtsaktiver Betrieb. 4.3.3 Sättigungs- und Sperrbetrieb. 143 144 146 149 149 156 159 2.2 3 111 113 118 119 120 126 128 140
Inhaltsverzeichnis 5 XI 4.4 Strom-Spannungs-Kennlinien. 4.4.1 Eingangskennlinie Ib =/(Vbe). 4.4.2 Übertragungskennlinie lc = f^BEÌ. 4.4.3 Ausgangskennlinie Ic = /(Усе). 4.5 Modellierung des Bipolartransistors. 4.5.1 Vorwärtsaktiver Betrieb. 4.5.2 Rückwärtsaktiver Betrieb. 4.5.3 Transportmodell. 4.5.4 Sättigungs- und Sperrbetrieb. 4.5.5 Zusammenfassung der Transistormodelle. 4.6 Basisweitenmodulation oder Early-Effekt. 4.7. 4.7.1 Vorwärtsaktiver Betrieb. 4.7.2 Rückwärtsaktiver Betrieb. 4.7.3 Sättigungsbetrieb. 4.7.4 Sperrbetrieb. 4.7.5
Transportmodell. 4.7.6 Zusammenfassung der Transistormodelle. 4.7.7 Basisweitenmodulation oder Early-Effekt. Zusammenfassung. 161 162 163 163 166 166 169 173 173 177 177 183 183 186 187 189 190 191 191 192 Feldeffekttransistor. 5.1 Struktur und Zählpfeilrichtungen. 5.2 Funktionsweise und Betriebsbereiche des FET. 5.2.1 MOS-Kondensator. 5.2.2 FET mit angelegter Gate-Spannung. 5.2.3 FET mit angelegter Gate- und Drain-Spannung . 5.3 Stromgleichungen. 5.3.1 Triodenbereich. . 5.3.2 Sättigungsbereich. 5.3.3 Sperrbereich. 5.4 Strom-Spannungs-Kennlinien. 5.4.1 Übertragungskennlinie 7Ö
=/(VGS). 5.4.2 Ausgangskennlinie Id = f(Vps). 5.5 Kanallängenmodulation. 5.6 Body-Effekt. 5.7 p-Kanal-Transistor. 5.8 Zusammenfassung der Transistormodelle. 5.9 CMOS-Technologie. 5.10 Vergleich von Feldeffekt-und Bipolartransistoren. Zusammenfassung. 195 196 198 199 202 204 206 206 211 215 216 217 217 220 224 228 232 233 235 236
Inhaltsverzeichnis XII 6 Kleinsignalmodellierung und Arbeitspunkteinstellung. Groß- und Kleinsignalverhalten. Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor. 6.2.1 Rückkopplungswiderstand am Emitter. 6.2.2 Rückkopplungswiderstand zwischen Kollektor und Basis. 6.3 Arbeitspunkteinstellung beim Feldeffekttransistor. 6.3.1 Rückkopplungswiderstand am Source. 6.3.2 Rückkopplungswiderstand zwischen Drain und Gate. 6.4 Kleinsignalmodellierung. 6.4.1 Diode. 6.4.2 Bipolartransistor. 6.4.3 Feldeffekttransistor. 6.4.4 Vergleich der Kleinsignalmodelle von Feldeffekt- und Bipolartransistoren. 6.5 Groß- und Kleinsignalanalyse. Zusammenfassung. 6.1 6.2 7
Grundschaltungen. Grundlegende Betrachtungen. Klassifizierung der Verstärkergrundschaltungen. Emitterschaltung. 7.3.1 Emitterschaltung mit Degeneration. 7.3.2 Emitterschaltung mit Basiswiderstand . 7.3.3 Emitterschaltung mit Vorspannungsnetzwerk. 7.4 Source-Schaltung. 7.4.1 Source-Schaltung mit Degeneration. 7.5 Basisschaltung. 7.5.1 Basisschaltung mit Degeneration. 7.5.2 Basisschaltung mit Basiswiderstand. 7.5.3 Basisschaltung mit Vorspannungsnetzwerk. 7.6 Gate-Schaltung. 7.6.1 Gate-Schaltung mit Degeneration. 7.7 Kollektorschaltung (Emitterfolger) . 7.7.1 Kollektorschaltung mit
Basiswiderstand. 7.7.2 Kollektorschaltung mit Vorspannungsnetzwerk. 7.8 Drain-Schaltung (Source-Folger). 7.9 Übersicht der wichtigsten Ergebnisse. Zusammenfassung. 7.1 7.2 7.3 8 Operationsverstärker. 8.1 8.2 Grundlegende Betrachtungen. Lineare gegengekoppelte Schaltungen mit idealen Operationsverstärkern. 239 240 251 252 257 260 261 264 266 266 273 281 288 291 297 299 300 305 308 314 319 322 323 328 329 335 337 339 341 342 343 349 351 352 353 365 367 368 372
Inhaltsverzeichnis 9 XIII 8.2.1 Invertierender Verstärker. 8.2.2 Nichtinvertierender Verstärker. 8.2.3 Spannungsfolger. 8.2.4 Addierverstärker. 8.2.5 Subtrahierverstärker. 8.2.6 Instrumentations Verstärker. 8.2.7 Integrator und Differenzierer. 8.3 Nichtlineare gegengekoppelte Schaltungen mit idealen Operationsverstärkern. 8.3.1 Präzisionsgleichrichter. 8.3.2 Logarithmischer Verstärker. 8.3.3 Exponentieller Verstärker. 8.3.4 Wurzelverstärker. 8.4 Nichtlineare mitgekoppelte Schaltungen. 8.4.1 Komparator. 8.4.2 Bistabile Kippstufe oder Schmitt-Trigger. 8.4.3 *Astabile Kippstufe. 8.4.4 *Monostabile
Kippstufe. 8.5 *Nichtidealer Operationsverstärker. 8.5.1 Spannungsverstärkung. . . 8.5.2 Eingangswiderstand. 8.5.3 Ausgangswiderstand. 8.5.4 Eingangs-Offset-Spannung. 8.5.5 Eingangsstrom und Eingangs-Offset-Strom . 8.5.6 Ausgangsspannungshub. 8.5.7 3-dB-Grenzfrequenz und -Bandbreite. 8.5.8 Anstiegs-und Abfallrate der Ausgangsspannung. 8.5.9 Leistungsbandbreite. Zusammenfassung. 392 392 397 399 400 401 401 403 409 413 416 418 425 433 439 443 448 449 457 462 463 Einführung in die rechnergestützte Schaltungssimulation mit SPICE. 9.1 Netzlisten. 9.2 Netzwerkelemente. 9.2.1 Widerstände. 9.2.2 Kondensatoren und
Spulen. 9.2.3 Unabhängige Spannungs- und Stromquellen. 9.2.4 Gesteuerte Quellen. 9.2.5 Dioden. 9.2.6 Bipolartransistoren. 9.2.7 Feldeffekttransistoren. 9.2.8 Operationsverstärker . 465 466 468 470 471 473 478 479 480 482 485 372 375 378 379 380 384 385
XIV Inhaltsverzeichnis Bauelementmodelle. 9.3.1 Dioden. 9.3.2 Bipolartransistoren. 9.3.3 Feldeffekttransistoren. 9.4 Analysearten. 9.4.1 Arbeitspunktanalyse (. OP). 9.4.2 Gleichstromanalyse (. DC). 9.4.3 Wechselstromanalyse (. AC). 9.4.4 Transientenanalyse (. TRAN). Zusammenfassung. 488 489 490 493 497 497 498 500 502 504 Anhang A Spannungsverlauf der astabilen Kippstufe. 507 Anhang В Übersetzungstabelle Englisch-Deutsch. 511 Anhang C Schaltzeichen. 531 Anhang D Formeln zur Berechnung von Ein- und Ausgangswiderständen . 537 Anhang E Einheiten und Umrechnungsfaktoren. 543 Anhang F Physikalische Konstanten und
Materialeigenschaften. 547 Literatur. 549 Stichwortverzeichnis. 551 9.3 |
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| spelling | Momeni, Massoud 1981- Verfasser (DE-588)14217419X aut Grundlagen der Mikroelektronik 1 Massoud Momeni Berlin Springer Vieweg [2021] XXV, 556 Seiten Illustrationen, Diagramme 24 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Electronics and Microelectronics, Instrumentation Nanotechnology and Microengineering Circuits and Systems Electronics Microelectronics Nanotechnology Electronic circuits Mikroelektronik (DE-588)4039207-7 gnd rswk-swf Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf Mikroelektronik (DE-588)4039207-7 s Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s DE-604 (DE-604)BV047946233 1 Erscheint auch als Online-Ausgabe, PDF/ePub 978-3-662-62032-8 Digitalisierung UB Passau - ADAM Catalogue Enrichment application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=032885879&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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