Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Elektronisch E-Book |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Erlangen ; Nürnberg
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
2021
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext Volltext Volltext |
Beschreibung: | 1 Online-Ressource Illustrationen, Diagramme |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nmm a2200000zc 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV047451094 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20220311 | ||
006 | a m||| 00||| | ||
007 | cr|uuu---uuuuu | ||
008 | 210902s2021 gw |||| o||u| ||||||ger d | ||
015 | |a 21,O09 |2 dnb | ||
016 | 7 | |a 1239898479 |2 DE-101 | |
024 | 7 | |a urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334 |2 urn | |
035 | |a (OCoLC)1268176023 | ||
035 | |a (DE-599)DNB1239898479 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
041 | 0 | |8 3\p |a ger | |
044 | |a gw |c XA-DE-BY | ||
049 | |a DE-384 |a DE-473 |a DE-703 |a DE-1051 |a DE-824 |a DE-29 |a DE-12 |a DE-91 |a DE-19 |a DE-1049 |a DE-92 |a DE-739 |a DE-898 |a DE-355 |a DE-706 |a DE-20 |a DE-1102 |a DE-860 |a DE-2174 | ||
084 | |8 1\p |a 621.381528 |2 23ksdnb | ||
084 | |8 2\p |a 621.3 |2 23sdnb | ||
100 | 1 | |a Endruschat, Achim |0 (DE-588)1240401221 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |c vorgelegt von Achim Endruschat |
246 | 1 | 3 | |a Simulation model for a GaN-HEMT with Schottky p-GaN-Gate |
264 | 1 | |a Erlangen ; Nürnberg |b Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg |c 2021 | |
300 | |a 1 Online-Ressource |b Illustrationen, Diagramme | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b c |2 rdamedia | ||
338 | |b cr |2 rdacarrier | ||
502 | |b Dissertation |c Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg |d 2021 | ||
583 | 1 | |a Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet |5 DE-101 |2 pdager | |
650 | 0 | 7 | |a Leistungselektronik |0 (DE-588)4035235-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Simulation |0 (DE-588)4055072-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Eigenerwärmung |0 (DE-588)4361785-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Schaltvorgang |0 (DE-588)4179394-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
653 | |a Halbleiterschaltermodellierung, Schaltungssimulation, GaN-Transistoren, high-electron-mobility transistors (HEMTs), Ausgangskennfeldvermessung, Leistungselektronik | ||
653 | |a Semiconductor device modeling, Circuit simulation, GaN Transistors, High-electron-mobility transistors (HEMTs), Output characteristics measurement, Power electronics | ||
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Schaltvorgang |0 (DE-588)4179394-8 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Simulation |0 (DE-588)4055072-2 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Eigenerwärmung |0 (DE-588)4361785-2 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
689 | 1 | 0 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |D s |
689 | 1 | 1 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |D s |
689 | 1 | 2 | |a Leistungselektronik |0 (DE-588)4035235-3 |D s |
689 | 1 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 0 | |u https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334 |x Resolving-System |z kostenfrei |3 Volltext |
856 | 4 | 0 | |u https://d-nb.info/1239898479/34 |x Langzeitarchivierung Nationalbibliothek |z kostenfrei |3 Volltext |
856 | 4 | 0 | |q application/pdf |u https://open.fau.de/handle/openfau/17033 |x Verlag |z kostenfrei |3 Volltext |
912 | |a ebook | ||
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032853089 | ||
883 | 0 | |8 1\p |a aepkn |c 0,99453 |d 20210828 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#aepkn | |
883 | 0 | |8 2\p |a aepsg |c 0,99806 |d 20210828 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#aepsg | |
883 | 1 | |8 3\p |a npi |d 20210827 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#npi |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804182750240964608 |
---|---|
adam_txt | |
any_adam_object | |
any_adam_object_boolean | |
author | Endruschat, Achim |
author_GND | (DE-588)1240401221 |
author_facet | Endruschat, Achim |
author_role | aut |
author_sort | Endruschat, Achim |
author_variant | a e ae |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV047451094 |
collection | ebook |
ctrlnum | (OCoLC)1268176023 (DE-599)DNB1239898479 |
format | Thesis Electronic eBook |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03373nmm a2200685zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV047451094</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20220311 </controlfield><controlfield tag="006">a m||| 00||| </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">210902s2021 gw |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">21,O09</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1239898479</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334</subfield><subfield code="2">urn</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1268176023</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1239898479</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">3\p</subfield><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-BY</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-384</subfield><subfield code="a">DE-473</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-1051</subfield><subfield code="a">DE-824</subfield><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield><subfield code="a">DE-1049</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-739</subfield><subfield code="a">DE-898</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-20</subfield><subfield code="a">DE-1102</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-2174</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">621.381528</subfield><subfield code="2">23ksdnb</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="a">621.3</subfield><subfield code="2">23sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Endruschat, Achim</subfield><subfield code="0">(DE-588)1240401221</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Achim Endruschat</subfield></datafield><datafield tag="246" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Simulation model for a GaN-HEMT with Schottky p-GaN-Gate</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Erlangen ; Nürnberg</subfield><subfield code="b">Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg</subfield><subfield code="c">2021</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg</subfield><subfield code="d">2021</subfield></datafield><datafield tag="583" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet</subfield><subfield code="5">DE-101</subfield><subfield code="2">pdager</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leistungselektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4035235-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Simulation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055072-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Eigenerwärmung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4361785-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schaltvorgang</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179394-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Halbleiterschaltermodellierung, Schaltungssimulation, GaN-Transistoren, high-electron-mobility transistors (HEMTs), Ausgangskennfeldvermessung, Leistungselektronik</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Semiconductor device modeling, Circuit simulation, GaN Transistors, High-electron-mobility transistors (HEMTs), Output characteristics measurement, Power electronics</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Schaltvorgang</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179394-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Simulation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055072-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Eigenerwärmung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4361785-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Leistungselektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4035235-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334</subfield><subfield code="x">Resolving-System</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://d-nb.info/1239898479/34</subfield><subfield code="x">Langzeitarchivierung Nationalbibliothek</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">https://open.fau.de/handle/openfau/17033</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ebook</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032853089</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">aepkn</subfield><subfield code="c">0,99453</subfield><subfield code="d">20210828</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#aepkn</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="a">aepsg</subfield><subfield code="c">0,99806</subfield><subfield code="d">20210828</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#aepsg</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">3\p</subfield><subfield code="a">npi</subfield><subfield code="d">20210827</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#npi</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV047451094 |
illustrated | Not Illustrated |
index_date | 2024-07-03T18:03:16Z |
indexdate | 2024-07-10T09:12:30Z |
institution | BVB |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032853089 |
oclc_num | 1268176023 |
open_access_boolean | 1 |
owner | DE-384 DE-473 DE-BY-UBG DE-703 DE-1051 DE-824 DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-19 DE-BY-UBM DE-1049 DE-92 DE-739 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-706 DE-20 DE-1102 DE-860 DE-2174 |
owner_facet | DE-384 DE-473 DE-BY-UBG DE-703 DE-1051 DE-824 DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-19 DE-BY-UBM DE-1049 DE-92 DE-739 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-706 DE-20 DE-1102 DE-860 DE-2174 |
physical | 1 Online-Ressource Illustrationen, Diagramme |
psigel | ebook |
publishDate | 2021 |
publishDateSearch | 2021 |
publishDateSort | 2021 |
publisher | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg |
record_format | marc |
spelling | Endruschat, Achim (DE-588)1240401221 aut Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate vorgelegt von Achim Endruschat Simulation model for a GaN-HEMT with Schottky p-GaN-Gate Erlangen ; Nürnberg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2021 1 Online-Ressource Illustrationen, Diagramme txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Dissertation Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2021 Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet DE-101 pdager Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd rswk-swf HEMT (DE-588)4211873-6 gnd rswk-swf Transistor (DE-588)4060646-6 gnd rswk-swf Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd rswk-swf Simulation (DE-588)4055072-2 gnd rswk-swf Eigenerwärmung (DE-588)4361785-2 gnd rswk-swf Schaltvorgang (DE-588)4179394-8 gnd rswk-swf Halbleiterschaltermodellierung, Schaltungssimulation, GaN-Transistoren, high-electron-mobility transistors (HEMTs), Ausgangskennfeldvermessung, Leistungselektronik Semiconductor device modeling, Circuit simulation, GaN Transistors, High-electron-mobility transistors (HEMTs), Output characteristics measurement, Power electronics (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content HEMT (DE-588)4211873-6 s Schaltvorgang (DE-588)4179394-8 s Transistor (DE-588)4060646-6 s Simulation (DE-588)4055072-2 s Eigenerwärmung (DE-588)4361785-2 s DE-604 Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 s Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 s https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334 Resolving-System kostenfrei Volltext https://d-nb.info/1239898479/34 Langzeitarchivierung Nationalbibliothek kostenfrei Volltext application/pdf https://open.fau.de/handle/openfau/17033 Verlag kostenfrei Volltext 1\p aepkn 0,99453 20210828 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#aepkn 2\p aepsg 0,99806 20210828 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#aepsg 3\p npi 20210827 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#npi |
spellingShingle | Endruschat, Achim Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Simulation (DE-588)4055072-2 gnd Eigenerwärmung (DE-588)4361785-2 gnd Schaltvorgang (DE-588)4179394-8 gnd |
subject_GND | (DE-588)4035235-3 (DE-588)4211873-6 (DE-588)4060646-6 (DE-588)4375592-6 (DE-588)4055072-2 (DE-588)4361785-2 (DE-588)4179394-8 (DE-588)4113937-9 |
title | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |
title_alt | Simulation model for a GaN-HEMT with Schottky p-GaN-Gate |
title_auth | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |
title_exact_search | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |
title_exact_search_txtP | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |
title_full | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate vorgelegt von Achim Endruschat |
title_fullStr | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate vorgelegt von Achim Endruschat |
title_full_unstemmed | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate vorgelegt von Achim Endruschat |
title_short | Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate |
title_sort | simulationsmodell fur einen gan hemt mit schottky p gan gate |
topic | Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Simulation (DE-588)4055072-2 gnd Eigenerwärmung (DE-588)4361785-2 gnd Schaltvorgang (DE-588)4179394-8 gnd |
topic_facet | Leistungselektronik HEMT Transistor Galliumnitrid Simulation Eigenerwärmung Schaltvorgang Hochschulschrift |
url | https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-170334 https://d-nb.info/1239898479/34 https://open.fau.de/handle/openfau/17033 |
work_keys_str_mv | AT endruschatachim simulationsmodellfureinenganhemtmitschottkypgangate AT endruschatachim simulationmodelforaganhemtwithschottkypgangate |