Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen:
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Arzig, Matthias (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Düren Shaker Verlag 2021
Ausgabe:1. Auflage
Schriftenreihe:Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:
Online-Zugang:Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:162 Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm, 249 g
ISBN:9783844081350
3844081356

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