Dopants and defects in semiconductors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: McCluskey, Matthew D. (VerfasserIn), Haller, Eugene E. (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Boca Raton CRC Press 2020
Ausgabe:second edition
Schlagworte:
Beschreibung:xxii, 350 Seiten Illustrationen, Diagramme 26 cm
ISBN:9780367781439
0367781433

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