Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Heckel, Thomas Michael (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Erlangen ; Nürnberg 2021
Schlagworte:
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Beschreibung:1 Online-Ressource (vii, 310 Seiten) Illustrationen, Diagramme

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