APA (7th ed.) Citation

Rautschke, F. (2019). Schaltungsentwurf und Aufbautechnologie hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113

Chicago Style (17th ed.) Citation

Rautschke, Felix. Schaltungsentwurf Und Aufbautechnologie Hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. Berlin, 2019. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113.

MLA (9th ed.) Citation

Rautschke, Felix. Schaltungsentwurf Und Aufbautechnologie Hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. 2019. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113.