Schaltungsentwurf und Aufbautechnologie hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Rautschke, Felix (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin 2019
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Beschreibung:XVII, 132 Blätter Illustrationen, Diagramme
DOI:10.14279/depositonce-9113

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