Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German English |
Veröffentlicht: |
Dresden
[2019?]
|
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Tag der Verteidigung: 10.12.2019 |
Beschreibung: | xiii, 139 Seiten Illustrationen, Diagramme |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV046342497 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20200819 | ||
007 | t | ||
008 | 200120s2019 gw a||| m||| 00||| ger d | ||
035 | |a (OCoLC)1137262087 | ||
035 | |a (DE-599)KXP1686887590 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
041 | 0 | |a ger |a eng | |
044 | |a gw |c XA-DE-SN | ||
049 | |a DE-83 | ||
100 | 1 | |a Hößler, Diana |e Verfasser |0 (DE-588)1202543081 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis |c Diana Hößler geborene Geringswald |
264 | 1 | |a Dresden |c [2019?] | |
300 | |a xiii, 139 Seiten |b Illustrationen, Diagramme | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
500 | |a Tag der Verteidigung: 10.12.2019 | ||
502 | |b Dissertation |c Technische Universität Dresden |d 2019 | ||
546 | |a Kurzzusammenfassung auf Englisch | ||
650 | 0 | 7 | |a Dotant |0 (DE-588)4150490-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Halbleiter |0 (DE-588)4022993-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Miniaturisierung |0 (DE-588)4406753-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Elektrischer Kontakt |0 (DE-588)4151733-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Halbleiter |0 (DE-588)4022993-2 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Elektrischer Kontakt |0 (DE-588)4151733-7 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
689 | 1 | 0 | |a Dotant |0 (DE-588)4150490-2 |D s |
689 | 1 | 1 | |a Miniaturisierung |0 (DE-588)4406753-7 |D s |
689 | 1 | 2 | |a Elektrischer Kontakt |0 (DE-588)4151733-7 |D s |
689 | 1 | |5 DE-604 | |
751 | |a Dresden |0 (DE-588)4012995-0 |2 gnd |4 uvp | ||
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-031719133 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804180842237394944 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Hößler, Diana |
author_GND | (DE-588)1202543081 |
author_facet | Hößler, Diana |
author_role | aut |
author_sort | Hößler, Diana |
author_variant | d h dh |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV046342497 |
ctrlnum | (OCoLC)1137262087 (DE-599)KXP1686887590 |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01790nam a2200469 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV046342497</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200819 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">200120s2019 gw a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1137262087</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)KXP1686887590</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield><subfield code="a">eng</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-SN</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Hößler, Diana</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1202543081</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis</subfield><subfield code="c">Diana Hößler geborene Geringswald</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Dresden</subfield><subfield code="c">[2019?]</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">xiii, 139 Seiten</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Tag der Verteidigung: 10.12.2019</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Technische Universität Dresden</subfield><subfield code="d">2019</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Kurzzusammenfassung auf Englisch</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dotant</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150490-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4022993-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Miniaturisierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4406753-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektrischer Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151733-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4022993-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Elektrischer Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151733-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Dotant</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150490-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Miniaturisierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4406753-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Elektrischer Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151733-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="751" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Dresden</subfield><subfield code="0">(DE-588)4012995-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="4">uvp</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-031719133</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV046342497 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-10T08:42:11Z |
institution | BVB |
language | German English |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-031719133 |
oclc_num | 1137262087 |
open_access_boolean | |
owner | DE-83 |
owner_facet | DE-83 |
physical | xiii, 139 Seiten Illustrationen, Diagramme |
publishDate | 2019 |
publishDateSearch | 2019 |
publishDateSort | 2019 |
record_format | marc |
spelling | Hößler, Diana Verfasser (DE-588)1202543081 aut Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis Diana Hößler geborene Geringswald Dresden [2019?] xiii, 139 Seiten Illustrationen, Diagramme txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Tag der Verteidigung: 10.12.2019 Dissertation Technische Universität Dresden 2019 Kurzzusammenfassung auf Englisch Dotant (DE-588)4150490-2 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd rswk-swf Miniaturisierung (DE-588)4406753-7 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Elektrischer Kontakt (DE-588)4151733-7 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Halbleiter (DE-588)4022993-2 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Elektrischer Kontakt (DE-588)4151733-7 s DE-604 Dotant (DE-588)4150490-2 s Miniaturisierung (DE-588)4406753-7 s Dresden (DE-588)4012995-0 gnd uvp |
spellingShingle | Hößler, Diana Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis Dotant (DE-588)4150490-2 gnd Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd Miniaturisierung (DE-588)4406753-7 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Elektrischer Kontakt (DE-588)4151733-7 gnd |
subject_GND | (DE-588)4150490-2 (DE-588)4022993-2 (DE-588)4406753-7 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4151733-7 (DE-588)4113937-9 |
title | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis |
title_auth | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis |
title_exact_search | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis |
title_full | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis Diana Hößler geborene Geringswald |
title_fullStr | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis Diana Hößler geborene Geringswald |
title_full_unstemmed | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis Diana Hößler geborene Geringswald |
title_short | Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis |
title_sort | elektrische evaluierung silizidierter und dotierter anschlussbereiche von fet kontaktgraben mit zunehmendem aspektverhaltnis |
topic | Dotant (DE-588)4150490-2 gnd Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd Miniaturisierung (DE-588)4406753-7 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Elektrischer Kontakt (DE-588)4151733-7 gnd |
topic_facet | Dotant Halbleiter Miniaturisierung Silicium Elektrischer Kontakt Hochschulschrift |
work_keys_str_mv | AT hoßlerdiana elektrischeevaluierungsilizidierterunddotierteranschlussbereichevonfetkontaktgrabenmitzunehmendemaspektverhaltnis |