Elektrische Evaluierung silizidierter und dotierter Anschlussbereiche von FET-Kontaktgräben mit zunehmendem Aspektverhältnis:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hößler, Diana (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
English
Veröffentlicht: Dresden [2019?]
Schlagworte:
Beschreibung:Tag der Verteidigung: 10.12.2019
Beschreibung:xiii, 139 Seiten Illustrationen, Diagramme

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