Godejohann, B. (2018). GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers. Fraunhofer Verlag.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Godejohann, Birte-Julia. GaN-based High Electron Mobility Transistors with High Al-content Barriers. Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2018.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Godejohann, Birte-Julia. GaN-based High Electron Mobility Transistors with High Al-content Barriers. Fraunhofer Verlag, 2018.
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