Entwicklung des Float-Zone-Verfahrens zur Herstellung von Siliziumeinkristallen für solare Anwendungen.:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer Verlag
[2019]
|
Schriftenreihe: | Solare Energie- und Systemforschung
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltstext Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | ix, 134, XI Seiten zahlr. Abb. u. Tab. - Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm |
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adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
INHALTSVERZEICHNIS
I
I
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
IV
II
TABELLENVERZEICHNIS
VIII
III
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
IX
1
EINLEITUNG
1
2
FLOAT-ZONE-PROZESSENTWICKLUNG
4
2.1
STAND
DER
TECHNIK
4
2.2
FLOAT-ZONE-PROZESSABLAUF
6
2.2.1
PROZESSVORBEREITUNG
7
2.2.2
ANIMPFEN
UND
DUENNHALSZIEHEN
7
2.2.3
KONUS
UND
STABZUECHTUNG
9
2.2.4
ENDKONUS
UND
ABFAHREN
DES
PROZESSES
10
2.3
WAERMEEINTRAG
DURCH
INDUKTIONSERWAERMUNG
13
2.3.1
HF-GENERATORTYPEN
14
2.3.2
DIE
INDUKTIONSSPULE
16
2.3.3
WIRKENDE
KRAEFTE
IN
DER
SCHMELZZONE
21
2.4
PROZESSPARAMETER
BEI
DER
FZ-KRISTALLISATION
22
2.4.1
ZIEHGESCHWINDIGKEIT
22
2.4.2
NACHFAHRGESCHWINDIGKEIT
DES
VORRATSSTABS
23
2.4.3
VORRATSSTABROTATION
24
2.4.4
KRISTALLROTATION
24
2.4.5
GENERATORLEISTUNG
(U,
I
UND
P
STEUERUNG)
25
2.4.6
ANLAGENDRUCK
25
2.4.7
GASSTROEMUNG
26
2.5
ANFORDERUNGEN
AN
DEN
VORRATSSTAB
27
2.6
HERSTELLUNG
VON
VORRATSSTAEBEN
30
2.6.1
DAS
SIEMENS-VERFAHREN
30
2.6.2
GRANULAT
ALS
VORRATSSTABMATERIAL
-
GFZ
33
2.6.3
CFZ
-
KOMBINIERTES
CZOCHRALSKI-
UND
FLOAT-ZONE-VERFAHREN
35
2.7
DAS
PRE-PULLED-FLOAT-ZONE-VERFAHREN
(PPFZ)
36
2.8
VERSUCHSDURCHFUHRUNGSBEISPIEL
EINER
PP-FZ-KRISTALLISATION
39
2.9
BERECHNUNG
DER
DOTIERSTOFFVERTEILUNG
42
2.9.1
HERLEITUNG
DES
MODELLS
ZUR
BESTIMMUNG
DES
VERUNREINIGUNGSPROFILS
43
2.10
DOTIERUNG
VON
FZ-KRISTALLEN
MITTELS
GASPHASE
47
2.10.1
AUFBAU
DER
GASDOTIERUNG
48
2.10.2
P-TYP
DOTIERUNG
MITTELS
DIBORAN
(B
2
H
6
)
50
2.10.3
N-TYP
DOTIERUNG
MITTELS
PHOSPHIN
(PHZ)
51
2.10.4
VALIDIERUNG
DES
DOTIERMODELLS
52
2.11
ZUSAMMENFASSUNG
UND
ERGEBNISSE
DER
PROZESSENTWICKLUNG
53
3
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
55
3.1
LEBENSDAUERMESSUNGEN
55
3.1.1
JIPCD
56
3.1.2
QSSPC
57
3.1.3
QSSPL
59
3.2
VIER-PUNKT-MESSUNG
DES
WIDERSTANDS
60
3.3
LATERAL
PHOTOVOLTAGE
SCANNING
(LPS)
62
4
FREMDATOME
UND
VERUNREINIGUNGEN
IN
PPFZ-SILIZIUM
64
4.1
NICHTMETALLISCHE
VERUNREINIGUNGEN:
SAUERSTOFF
UND
KOHLENSTOFF
64
4.1.1
SAUERSTOFF
65
4.1.2
KOHLENSTOFF
67
4.2
DEFEKTE
IN
PPFZ-KRISTALLEN
68
4.2.1
DASP-BAND
68
4.2.2
DEGRADIERTE
BEREICHE
IM
ZENTRUM
VON
PPFZ-WAFERN
71
4.3
METALLISCHE
VERUNREINIGUNGEN
75
4.3.1
METALLGEHALTE
IN
PPFZ-KRISTALLEN
75
4.3.2
GEZIELTE
VERUNREINIGUNG
VON
PPFZ-KRISTALLEN
MIT
METALLPARTIKELN
77
4.4
KUPFERVERUNREINIGUNGEN
79
4.5
EINBRINGEN
DER
KUPFERVERUNREINIGUNG
IM
PPFZ-PROZESS
80
4.6
EISENVERUNREINIGUNGEN
81
4.7
VORUNTERSUCHUNGEN
-
EISENGEHALTE
IN
VORRATSSTAEBEN
82
4.8
ZUSAMMENFASSUNG
DER
ERGEBNISSE:
VERUNREINIGUNGEN
IN
PPFZ-KRISTALLEN
85
5
CHARAKTERISIERUNG
DER
PPFZ-KRISTALLE:
LEBENSDAUERN
86
5.1
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
PPFZ-KRISTALLEN
86
5.1.1
BLOCKLEBENSDAUERMESSUNGEN
87
5.1.2
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
SCHEIBEN
UND
WAFERN
93
5.2
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
KUPFERKONTAMINIERTEN
KRISTALLEN
96
5.2.1
VERLAUF
DER
BLOCKLEBENSDAUER
96
5.2.2
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
PASSIVIERTEN
WAFERN
99
5.2.3
LEBENSDAUERMESSUNGEN
NACH
EMITTER-DIFFUSIONSSCHRITT
100
5.3
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
EISEN-KONTAMINIERTEN
KRISTALLEN
102
5.3.1
AXIALER
VERLAUF
AM
BLOCK
102
5.3.2
QUERSCHNITTS-MAPPING
DES
STARTKONUS
103
5.3.3
MESSUNGEN
AN
PROZESSIERTEN
N-TYP-WAFEM
105
5.4
FAZIT
DER
LEBENSDAUERMESSUNGEN
107
II
5.4.1
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
PPFZ-KRISTALLEN
107
5.4.2
LEBENSDAUERMESSUNGEN
AN
METALLISCH
VERUNREINIGTEN
PPFZ-KRISTALLEN
107
6
CHARAKTERISIERUNG
VON
PPFZ-KRISTALLLEN:
SOLARZELLEN
109
6.1
HERSTELLUNG
VON
PERL-SOLARZELLEN
109
6.2
ZELLEFFIZIENZEN
AUF
BASIS
EINES
PERL-PROZESSES
111
6.3
DISKUSSION
DER
ZELLERGEBNISSE
111
7
KOSTENBETRACHTUNG
113
8
ZUSAMMENFASSUNG
115
9
LITERATURVERZEICHNIS
117
1
0
ANHANG
I
10.1
ANLAGEN
ZUR
SILIZIUMEINKRISTALL-ZUECHTUNG
II
10.1.1
KRISTALLISATIONSANLAGE
P
VA
TEPLA
FZ-
14
II
10.1.2
KRISTALLISATIONSANLAGE
PVA
TEPLA
FZ-35
III
10.1.3
KRISTALLISATIONSANLAGEN
PVA
TEPLA
EKZ
2700
UND
3500
V
EIDESSTAATLICHE
ERKLAERUNG
VIII
LEBENSLAUF
IX
DANKSAGUNG
X
III
|
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