GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Ture, Erdin (VerfasserIn)
Körperschaft: Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Institut für Mikrosystemtechnik (MitwirkendeR)
Format: Abschlussarbeit Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Freiburg 2016
Schlagworte:
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