Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
München
Verlag Dr. Hut
2018
|
Ausgabe: | 1. Auflage |
Schriftenreihe: | Elektrotechnik
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltstext http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3764-1.html |
Beschreibung: | vii, 310, 1 ungezählte Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm, 482 g |
ISBN: | 9783843937641 3843937648 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a22000008c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV045227732 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20191221 | ||
007 | t | ||
008 | 181010s2018 gw a||| m||| 00||| ger d | ||
015 | |a 18,N41 |2 dnb | ||
016 | 7 | |a 1168170117 |2 DE-101 | |
020 | |a 9783843937641 |c Paperback : EUR 57.00 (DE), EUR 58.60 (AT) |9 978-3-8439-3764-1 | ||
020 | |a 3843937648 |9 3-8439-3764-8 | ||
024 | 3 | |a 9783843937641 | |
035 | |a (OCoLC)1056973786 | ||
035 | |a (DE-599)DNB1168170117 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c XA-DE-BY | ||
049 | |a DE-29T |a DE-29 |a DE-12 |a DE-91 |a DE-83 |a DE-706 | ||
084 | |a ZN 4800 |0 (DE-625)157408: |2 rvk | ||
084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
100 | 1 | |a Heckel, Thomas Michael |e Verfasser |0 (DE-588)1169835619 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN |c vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg |
250 | |a 1. Auflage | ||
264 | 1 | |a München |b Verlag Dr. Hut |c 2018 | |
300 | |a vii, 310, 1 ungezählte Seiten |b Illustrationen, Diagramme |c 21 cm x 14.8 cm, 482 g | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Elektrotechnik | |
502 | |b Dissertation |c Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg |d 2018 | ||
650 | 0 | 7 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Leistungshalbleiter |0 (DE-588)4167286-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
653 | |a Messtechnik | ||
653 | |a SiC- und GaN-Transistoren | ||
653 | |a Modellbildung | ||
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Leistungshalbleiter |0 (DE-588)4167286-0 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
710 | 2 | |a Verlag Dr. Hut (München) |0 (DE-588)10174118-2 |4 pbl | |
856 | 4 | 2 | |m X:MVB |q text/html |u http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=48e545e1caae4fa092dd92fed1678286&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm |3 Inhaltstext |
856 | 4 | 2 | |m X:MVB |u http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3764-1.html |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030616196 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804178952152940544 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Heckel, Thomas Michael |
author_GND | (DE-588)1169835619 |
author_facet | Heckel, Thomas Michael |
author_role | aut |
author_sort | Heckel, Thomas Michael |
author_variant | t m h tm tmh |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV045227732 |
classification_rvk | ZN 4800 |
classification_tum | ELT 321d |
ctrlnum | (OCoLC)1056973786 (DE-599)DNB1168170117 |
discipline | Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
edition | 1. Auflage |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02361nam a22005658c 4500</leader><controlfield tag="001">BV045227732</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20191221 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">181010s2018 gw a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">18,N41</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1168170117</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783843937641</subfield><subfield code="c">Paperback : EUR 57.00 (DE), EUR 58.60 (AT)</subfield><subfield code="9">978-3-8439-3764-1</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3843937648</subfield><subfield code="9">3-8439-3764-8</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783843937641</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1056973786</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1168170117</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-BY</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Heckel, Thomas Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1169835619</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Auflage</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">München</subfield><subfield code="b">Verlag Dr. Hut</subfield><subfield code="c">2018</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">vii, 310, 1 ungezählte Seiten</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield><subfield code="c">21 cm x 14.8 cm, 482 g</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Elektrotechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg</subfield><subfield code="d">2018</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Messtechnik</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">SiC- und GaN-Transistoren</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Modellbildung</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="710" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">Verlag Dr. Hut (München)</subfield><subfield code="0">(DE-588)10174118-2</subfield><subfield code="4">pbl</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">X:MVB</subfield><subfield code="q">text/html</subfield><subfield code="u">http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=48e545e1caae4fa092dd92fed1678286&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm</subfield><subfield code="3">Inhaltstext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">X:MVB</subfield><subfield code="u">http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3764-1.html</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030616196</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV045227732 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-10T08:12:08Z |
institution | BVB |
institution_GND | (DE-588)10174118-2 |
isbn | 9783843937641 3843937648 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030616196 |
oclc_num | 1056973786 |
open_access_boolean | |
owner | DE-29T DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-83 DE-706 |
owner_facet | DE-29T DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-83 DE-706 |
physical | vii, 310, 1 ungezählte Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm, 482 g |
publishDate | 2018 |
publishDateSearch | 2018 |
publishDateSort | 2018 |
publisher | Verlag Dr. Hut |
record_format | marc |
series2 | Elektrotechnik |
spelling | Heckel, Thomas Michael Verfasser (DE-588)1169835619 aut Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg 1. Auflage München Verlag Dr. Hut 2018 vii, 310, 1 ungezählte Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm x 14.8 cm, 482 g txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Elektrotechnik Dissertation Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2018 Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd rswk-swf Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf Messtechnik SiC- und GaN-Transistoren Modellbildung (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 s Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 s Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s DE-604 Verlag Dr. Hut (München) (DE-588)10174118-2 pbl X:MVB text/html http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=48e545e1caae4fa092dd92fed1678286&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm Inhaltstext X:MVB http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3764-1.html |
spellingShingle | Heckel, Thomas Michael Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
subject_GND | (DE-588)4113826-0 (DE-588)4167286-0 (DE-588)4375592-6 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4113937-9 |
title | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN |
title_auth | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN |
title_exact_search | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN |
title_full | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg |
title_fullStr | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg |
title_full_unstemmed | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Michael Heckel aus Nürnberg |
title_short | Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN |
title_sort | charakterisierung dynamischer eigenschaften und modellbildung neuartiger leistungshalbleiterbauelemente auf basis von sic und gan |
topic | Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
topic_facet | Halbleiterbauelement Leistungshalbleiter Galliumnitrid Siliciumcarbid Hochschulschrift |
url | http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=48e545e1caae4fa092dd92fed1678286&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3764-1.html |
work_keys_str_mv | AT heckelthomasmichael charakterisierungdynamischereigenschaftenundmodellbildungneuartigerleistungshalbleiterbauelementeaufbasisvonsicundgan AT verlagdrhutmunchen charakterisierungdynamischereigenschaftenundmodellbildungneuartigerleistungshalbleiterbauelementeaufbasisvonsicundgan |