Dopants and defects in semiconductors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: McCluskey, Matthew D. (VerfasserIn), Haller, Eugene E. (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Boca Raton ; London ; New York CRC Press 2018
Ausgabe:Second edition
Schlagworte:
Online-Zugang:Inhaltsverzeichnis
Klappentext
Beschreibung:xxii, 350 Seite Illustrationen, Diagramme
ISBN:9781138035195

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