Device simulation of high-performance SiGe heterojunction bipolar transistors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Korn, Julian (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Berlin 2018
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Beschreibung:1 Online-Ressource (vii, 145 Seiten) Illustrationen, Diagramme
DOI:10.14279/depositonce-7045

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