Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method: = "Hochdotiertes n-Typ Silicium und die Versetzungsentstehung während seiner Züchtung mittels des Czochralskiverfahrens"
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stockmeier, Ludwig (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Erlangen ; Nürnberg 2018
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Volltext
Volltext
Beschreibung:1 Online-Ressource
Format:Langzeitarchivierung gewährleistet, LZA

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand! Volltext öffnen