Telezentrische Deflektometrie zur Nanotopographiemessung von Halbleiterscheiben:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Erlangen ; Nürnberg
[2017]
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| adam_text | I NHALTSVERZEICHNIS
KURZFASSUNG 1
ABSTRACT 3
INHALTSVERZEICHNIS 5
1 EINLEITUNG 9
2 GRUNDLAGEN 13
2.1 HERSTELLUNG EINER
HALBLEITERSCHEIBE...................................................................14
2.2 GEOMETRIE EINER
HALBLEITERSCHEIBE....................................................................22
2.2.1 GLOBALE F ORM
...........................................................................................23
2.2.2
EBENHEIT....................................................................................................26
2.2.3
NANOTOPOGRAPHIE.....................................................................................
29
3 MOTIVATION UND AUFGABENSTELLUNG 33
3.1 MOTIVATION ZUR MESSUNG VON
NANOTOPOGRAPHIE..............................................33
3.2 GERAETE UND VERFAHREN ZUR NANOTOPOGRAPHIEMESSUNG VON
HALBLEITERSCHEIBEN..............................................................................................
34
3.3 ANFORDERUNGEN AN EINE NEUE
MESSTECHNIK........................................................36
4 STAND DER TECHNIK DEFLEKTOMETRISCHER MESSMETHODEN 41
4.1 MESSUNG SPIEGELNDER
OBERFLAECHEN.....................................................................41
4.2 SHADOWGRAPHIE UND DIE MAKYOH-METHODE
......................................................
43
4.3
SCHLIEREN-METHODEN............................................................................................47
4.4
DEFLEKTOMETRIE....................................................................................................
50
4.5 SHACK-HARTMANN
METHODE.................................................................................51
4.6 POTENTIAL DEFLEKTOMETRISCHER
METHODEN...........................................................53
5 TELEZENTRISCHE DEFLEKTOMETRIE 57
5.1
MESSPRINZIP........................................................................................................
57
5.2 MESS-
UND
AUS
WERTEPROZEDUR
...........................................................................
64
5.2.1 MUSTERKODIERUNG:
PHASENSCHIEBEVERFAHREN............................................64
5.2.2
NEIGUNGSBERECHNUNG................................................................................
67
5.2.3 REKONSTRUKTION DER TOPOGRAPHIE
...........................................................
72
6 TECHNISCHE UMSETZUNG 75
6.1 V
ERSUCHSAUFBAU...................................................................................................
77
6.2
DEMONSTRATOR......................................................................................................
79
6.3 ERSTER
PROTOTYP...................................................................................................82
6.4 ZWEITER
PROTOTYP.................................................................................................87
6.4.1 TELEZENTRISCHES OBJEKTIV
.........................................................................
88
6.4.2
BELEUCHTUNGSMODUL.................................................................................101
6.4.3
KAMERASENSOR.........................................................................................
105
6.4.4 AUFLAGE DER HALBLEITERSCHEIBE UND
KIPPTISCH......................................107
6.4.5
SOFTWARE..................................................................................................
110
6.4.6
FAZIT.........................................................................................................112
7 KALIBRIERUNG 113
7.1 ABBILDUNGSMASSSTAB UND KORREKTUR DER VERZEICHNUNG
.................................
115
7.2 LINEARISIERUNG DES
DISPLAYS.............................................................................
117
7.3 BESTIMMUNG DES
MUSTERABSTANDES.................................................................
119
7.4
NULLMESSUNG......................................................................................................
120
7.5 NEIGUNGSABHAENGIGE
ABWEICHUNGEN.................................................................
123
8 PHYSIKALISCHE UND TECHNISCHE GRENZEN 125
8.1 LATERALE
AUFLOESUNG...........................................................................................126
8.2
MESSBEREICH........................................................................................................127
8.3 WIEDERHOLGENAUIGKEIT UND STATISTISCHE MESSABWEICHUNGEN
.........................
129
8.4 ABSOLUTGENAUIGKEIT UND SYSTEMATISCHE MESSABWEICHUNGEN
.........................
141
8.4.1 EINFLUSS DER ABWEICHUNG DES MUSTERABSTANDES
..................................
142
8.4.2 EINFLUSS EINER NICHTLINEARITAET DES DISPLAYS
..........................................
144
8.4.3 EINFLUSS EINER NICHT LINEARITAET DER K AM ERA
..........................................
157
8.4.4 EINFLUSS DER QUANTISIERUNG DES DISPLAYS
.............................................
160
8.5 WAHL DES
MUSTERABSTANDES.............................................................................
161
9 MESSUNGEN 165
9.1 MULTIKRISTALLINE
SILICIUMOBERFLAECHE.................................................................
165
9.2
HALBLEITERSCHEIBEN............................................................................................
174
9.2.1 AUSWERTEPROZEDUR FUER NANOTOPOGRAPHIE
.............................................
175
9.2.2 AUSWERTEPROZEDUR FUER DIE FORM
...........................................................
179
9.2.3 DETAILS ZU DEN MESSUNGEN
.....................................................................
182
9.2.4 GESCHLIFFENE
HALBLEITERSCHEIBE...............................................................185
9.2.5 GEAETZTE HALBLEITERSCHEIBE
.....................................................................
189
9.2.6 EINSEITIG POLIERTE
HALBLEITERSCHEIBEN....................................................191
9.2.7 BEIDSEITIG POLIERTE
HALBLEITERSCHEIBE....................................................197
9.2.8 EPITAXIERTE
HALBLEITERSCHEIBE................................................................200
9.2.9 TEILPROZESSIERTE HALBLEITERSCHEIBE (GRABENINSOLATION)
.......................
203
9.2.10 VERGLEICH DER
SCHELLENWERT-KURVEN......................................................206
10 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 209
LITERATURVERZEICHNIS 217
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
231
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