Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker Verlag
2017
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Physik
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 117 Seiten Illustrationen, Diagramme |
| ISBN: | 9783844051827 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV044505763 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20230714 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 170919s2017 a||| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 9783844051827 |9 978-3-8440-5182-7 | ||
| 035 | |a (OCoLC)979556030 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV044505763 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-20 |a DE-83 |a DE-355 | ||
| 084 | |a UP 3150 |0 (DE-625)146377: |2 rvk | ||
| 084 | |a UH 5616 |0 (DE-625)145669: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Heidemann, Matthias |d ca. 21. Jh. |e Verfasser |0 (DE-588)1138366986 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si |c Matthias Heidemann |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker Verlag |c 2017 | |
| 300 | |a 117 Seiten |b Illustrationen, Diagramme | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Physik | |
| 502 | |b Dissertation |c Julius-Maximilians-Universität Würzburg |d 2016 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumphosphid |0 (DE-588)4155879-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleiterlaser |0 (DE-588)4139556-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Substrat |g Mikroelektronik |0 (DE-588)4229622-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Halbleiterlaser |0 (DE-588)4139556-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Substrat |g Mikroelektronik |0 (DE-588)4229622-5 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Galliumphosphid |0 (DE-588)4155879-0 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |D s |
| 689 | 0 | 6 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029905670 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804177839420866560 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Heidemann, Matthias ca. 21. Jh |
| author_GND | (DE-588)1138366986 |
| author_facet | Heidemann, Matthias ca. 21. Jh |
| author_role | aut |
| author_sort | Heidemann, Matthias ca. 21. Jh |
| author_variant | m h mh |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV044505763 |
| classification_rvk | UP 3150 UH 5616 |
| ctrlnum | (OCoLC)979556030 (DE-599)BVBBV044505763 |
| discipline | Physik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01996nam a2200493 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV044505763</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20230714 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">170919s2017 a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783844051827</subfield><subfield code="9">978-3-8440-5182-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)979556030</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV044505763</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-20</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3150</subfield><subfield code="0">(DE-625)146377:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UH 5616</subfield><subfield code="0">(DE-625)145669:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Heidemann, Matthias</subfield><subfield code="d">ca. 21. Jh.</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1138366986</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si</subfield><subfield code="c">Matthias Heidemann</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker Verlag</subfield><subfield code="c">2017</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">117 Seiten</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Physik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Julius-Maximilians-Universität Würzburg</subfield><subfield code="d">2016</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155879-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterlaser</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139556-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Substrat</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4229622-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterlaser</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139556-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Substrat</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4229622-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Galliumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155879-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="6"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029905670</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV044505763 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T07:54:27Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783844051827 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029905670 |
| oclc_num | 979556030 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-20 DE-83 DE-355 DE-BY-UBR |
| owner_facet | DE-20 DE-83 DE-355 DE-BY-UBR |
| physical | 117 Seiten Illustrationen, Diagramme |
| publishDate | 2017 |
| publishDateSearch | 2017 |
| publishDateSort | 2017 |
| publisher | Shaker Verlag |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Physik |
| spelling | Heidemann, Matthias ca. 21. Jh. Verfasser (DE-588)1138366986 aut Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si Matthias Heidemann Aachen Shaker Verlag 2017 117 Seiten Illustrationen, Diagramme txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Physik Dissertation Julius-Maximilians-Universität Würzburg 2016 Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd rswk-swf Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd rswk-swf Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf Halbleiterlaser (DE-588)4139556-6 gnd rswk-swf Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd rswk-swf Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd rswk-swf Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Halbleiterlaser (DE-588)4139556-6 s Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 s Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 s Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 s Mischkristall (DE-588)4170112-4 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 s DE-604 |
| spellingShingle | Heidemann, Matthias ca. 21. Jh Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Halbleiterlaser (DE-588)4139556-6 gnd Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4150649-2 (DE-588)4155879-0 (DE-588)4123378-5 (DE-588)4139556-6 (DE-588)4229622-5 (DE-588)4170399-6 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si |
| title_auth | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si |
| title_exact_search | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si |
| title_full | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si Matthias Heidemann |
| title_fullStr | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si Matthias Heidemann |
| title_full_unstemmed | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si Matthias Heidemann |
| title_short | Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si |
| title_sort | halbleiterlaser auf gap substraten fur die monolithische integration auf si |
| topic | Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Halbleiterlaser (DE-588)4139556-6 gnd Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| topic_facet | Drei-Fünf-Halbleiter Galliumphosphid Heterostruktur Halbleiterlaser Substrat Mikroelektronik Molekularstrahlepitaxie Mischkristall Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT heidemannmatthias halbleiterlaseraufgapsubstratenfurdiemonolithischeintegrationaufsi |