Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging:
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
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Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer Verlag
[2016]
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 7
2 DREIDIMENISONALE INTEGRATION IM WAFER LEVEL PACKAGING 8
2.1 HINTERGRUND UND MOTIVATION VON DREIDIMENSIONALER IN TE G RA TIO N
.
8
2.2 LAGENAUFBAU VON CMOS-WAFERN UND DEREN ANKONTAKTIERUNG MITTELS
THROUGH
SILICON VIAS
(TSVS).
11
2.3 PROZESSFLUSS EINER 3D-INTEGRATION MIT TS VS VON DER R UECKSEITE
.
17
2.4 ABSCHAETZUNG DER GEOMETRIE VON TSV-STRUKTUREN MIT SCHRAEGEM SEITENWIN
KEL FUER DAS WAFER LEVEL
PACKAGING.
21
2.5 STAND DER TECHNIK ZUR ERZEUGUNG VON LOECHERN IN S ILIZIUM
.
24
2.6 F A Z
IT.
31
3 PLASMAAETZEN VON SILIZIUM 33
3.1 EINGRENZUNG DES BEGRIFFES PLASMA FUER DIE SILIZIUMBEARBEITUNG
.
33
3.2 ANLAGENTECHNIK UND
PLASMARANDSCHICHT.
35
3.3 AETZMECHANISMEN AUF DER SUBSTRATOBERFLAECHE IM P LASM A
.
39
3.4 WINKELABHAENGIGKEIT DES IONENBOMBARDEMENTS AUS DEM P L A S M A
.
41
3.5 ERZEUGUNG UND KONTROLLE VON ANISOTROPEN AETZUNGEN
.
43
3.6 F A Z
IT.
46
4 MODELL ZUR KONTROLLE DES FLANKENWINKELS VON TSVS BEI DER AETZUNG MIT
SCHWE
FELHEXAFLUORID UND SAUERSTOFF 47
4.1 STATISTISCHES MODELL DER CHEMISCHEN VORGAENGE BEIM STATIONAEREN AETZEN
. . 47
4.2 ABSCHAETZUNG DER LOKALEN FLUESSE DER AM AETZ VORGANG BETEILIGTEN
SPEZIES IM
VIA MITTELS MONTE CARLO SIMULATION
. 53
4.2.1 MODELLIERUNG DER PARTIKEL-SEITENWANDINTERAKTIONEN
.
53
4.2.2 LOKALE VERTEILUNG DER PARTIKEL IM TSV IN ABHAENGIGKEIT UNTER
SCHIEDLICHER
FLANKENWINKEL.
58
4.3 AETZFORTSCHRITT AN DER S EITEN W AN D
. 65
4.4 EINFLUSS VON PARAMETERAENDERUNGEN AUF DIE ENTWICKLUNG DES VIAPROFILS
. . . 74
4.5 AETZFORTSCHRITT AM S TRU K TU RB O D EN
. 79
4.6 F A Z IT
.
82
5 EXPERIMENTELLER ANSATZ UND VERWENDETE GERAETETECHNIK 84
5.1 AUFBAU DES SILIZIUM
AETZERS.
84
5.2
PROBENPRAEPARATION.
85
5.3 BEWERTUNG DER E
RGEBNISSE.
85
6 VERIFIKATION DES NEUEN MODELLS ZUR AETZUNG VON TSVS MIT KONTROLLIERTEM
FLAN
KENWINKEL 88
6.1 AUSWIRKUNGEN EINZELNER PROZESSPARAMETER AUF DIE V IAFORM
.
88
6.2 UNTERSUCHUNG VON PARAMETERWECHSELWIRKUNGEN AUF DIE V IAFO RM
.
98
6.2.1 VORGEHENS W E ISE
.
99
6.2.2
ERGEBNISSE.
100
6.2.3 A USW
ERTUNG.
102
6.3 F A Z
IT.
109
7 ANWENDUNG VON TSVS MIT SCHRAEGER SEITENWAND FUER DEN EINSATZ BEI DER
HER
STELLUNG VON HOCHMINIATURISIERTEN KAMERAMODULEN 111
7.1 SPEZIFIKATION DES B ILDSENSORCHIPS
.
111
7.2 AUFBAUKONZEPT AUF WAFER L E V E L
.
112
7.3 HERSTELLUNG VON TSVS MIT SCHRAEGER SEITENWAND MIT POLYMERER
NIEDERTEM-
PERATURUM
VERDRAHTUNG.
114
7.4 INTEGRATION VON OPTIK- UND BILDSENSORWAFER UND VEREINZELUNG
.
124
7.5 TEST DER K AM ERAM
ODULE.
124
7.6 F A Z
IT.
126
8 ZUSAMMENFASSUNG 129
9 SUMMARY 132
SYMBOLVERZEICHNIS 136
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 140
LITERATUR 142 |
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spelling | Wilke, Martin Verfasser (DE-588)112159493X aut Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging von Martin Wilke Stuttgart Fraunhofer Verlag [2016] © 2016 151 Seiten Illustrationen, Diagramme 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Dissertation Technische Universität Berlin 2016 Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Plasmaätzen (DE-588)4174821-9 gnd rswk-swf Dreidimensionale Integration (DE-588)4218841-6 gnd rswk-swf Durchkontaktieren (DE-588)4150891-9 gnd rswk-swf Wafer level packaging (DE-588)1058582143 gnd rswk-swf TDP Angewandte Forschung Aufbautechnologie Elektronik Entwicklungsingenieure Komponente Mikrosystemtechnologen Plasmaätzen Schaltung Verbindungstechnologie Verfahrensingenieure (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Durchkontaktieren (DE-588)4150891-9 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Plasmaätzen (DE-588)4174821-9 s Dreidimensionale Integration (DE-588)4218841-6 s Wafer level packaging (DE-588)1058582143 s DE-604 Fraunhofer IRB-Verlag (DE-588)4786605-6 pbl http://www.verlag.tu-berlin.de/abstracts/diss/wilke_martin_abstract.pdf Abstract http://www.verlag.tu-berlin.de/abstracts/diss/wilke_martin_inhalt.pdf Inhaltsverzeichnis X:MVB text/html http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=aec4ab0491f84fa1b8711f91ebe7f68d&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm Inhaltstext B:DE-101 application/pdf http://d-nb.info/1115816373/04 Inhaltsverzeichnis DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=029454305&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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Beschreibung