Park, B., Ishiwara, H., Okuyama, M., Sakai, S., & Yoon, S. (2016). Ferroelectric-gate field effect transistor memories: Device physics and applications. Springer.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Park, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, und Sung-Min Yoon. Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Dordrecht: Springer, 2016.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Park, Byung-Eun, et al. Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Springer, 2016.
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