Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Park, Byung-Eun (HerausgeberIn), Ishiwara, Hiroshi 1945- (HerausgeberIn), Okuyama, Masanori (HerausgeberIn), Sakai, Shigeki (HerausgeberIn), Yoon, Sung-Min (HerausgeberIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Dordrecht Springer [2016]
Schriftenreihe:Topics in Applied Physics volume 131
Schlagworte:
Online-Zugang:TUM01
UBT01
Volltext
Beschreibung:1 Online-Ressource (XVIII, 347 p. 254 illus., 150 illus. in color)
ISBN:9789402408416
DOI:10.1007/978-94-024-0841-6

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