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Elektronik: Grundlagen

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Bernstein, Herbert 1946- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Berlin ; Boston De Gruyter Oldenbourg [2016]
Schriftenreihe:	De Gruyter Oldenbourg : Studium
Schlagworte:	Analogschaltung Elektronische Analogschaltung Fachhochschul-/Hochschulausbildung Lehrbuch
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	xi, 380 Seiten Illustrationen, Diagramme 17 cm x 24 cm
ISBN:	3110463105 9783110463101

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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS VORWORT V 1 HALBLEITERTECHNIK 1 1.1 GRUNDSAETZLICHE EIGENSCHAFTEN VON H ALBLEITERSTOFFEN ...................................... 1 1.1.1 E IGENLEITUNG......................................................................................................... 3 1.1.2 DOTIERUNG MIT AKZEPTOREN UND DONATOREN ...................................................... 4 1.1.3 STOERSTELLENLEITUNG IM N- UND IM P -M ATERIAL ...................................................... 6 1.1.4 PN-UEBERGANG ALS PRINZIP DER HALBLEITERDIODE................................................... 7 1.1.5 SCHWELLENSPANNUNG UND DURCHBRUCHSPANNUNG................................................ 8 1.2 TEMPERATURVERHALTEN VON H ALBLEITERN ................................................................ 10 1.2.1 TEMPERATURVERHALTEN............................................................................................ 12 1.2.2 WAERMEABLEITENDE K UEHLKOERPER ............................................................................ 14 1.2.3 MONTAGE EINES TRANSISTORS MIT K UE H LK OE RP E R ...................................................... 16 1.2.4 BERECHNUNGEN VON TRANSISTOREN MIT KUEHLKOERPERN............................................. 21 1.2.5 BERUECKSICHTIGUNG DER ZULAESSIGEN VERLUSTLEISTUNG EINES BAUELEMENTS IM KENNLINIENFELD...................................................................................................... 22 2 EINSCHICHTHALBLEITER-BAUELEMENTE 27 2.1 SPEZIFISCHER WIDERSTAND UND TEM PERATURKOEFFIZIENT ...................................... 27 2.2 NTC-WIDERSTAENDE (HEISSLEITER/THERMISTOREN)................................................... 29 2.3 PTC-WIDERSTAENDE (K ALTLEITER) ............................................................................ 37 2.4 LASERGETRIMMTE TEM PERATURSENSOREN................................................................ 42 2.5 VARISTOREN (VDR-W IDERSTAENDE)......................................................................... 45 2.6 HALL- ODER FELDPLATTEN (HALLSONDEN)................................................................... 48 2.7 FOTOW IDERSTAENDE................................................................................................... 53 2.8 DEHNUNGSMESSSTREIFEN......................................................................................... 56 3 DIODEN, GRUNDLAGEN UND ANWENDUNGEN 61 3.1 FUNKTIONSWEISE DES P N -UE BERGANGS................................................................... 61 3.1.1 DIFFUSIONSSPANNUNG............................................................................................ 63 3.1.2 KENNLINIE EINER D IO D E ......................................................................................... 65 3.1.3 STATISCHER UND DYNAMISCHER INNENWIDERSTAND................................................... 68 3.1.4 DYNAMISCHE AUFNAHME DER KENNLINIE................................................................ 69 3.1.5 EINFACHE MESSUNGEN UND PRUEFUNGEN AN D IODEN................................................ 71 3.1.6 KENNLINIEN VERSCHIEDENER D IO D E N ...................................................................... 73 3.1.7 AUFBAU VON D ATENBLAETTERN .................................................................................. 75 3.1.8 BEGRIFFSERKLAERUNGEN ZU D IO D E N ......................................................................... 76 3.2 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN MIT D IO D E N ................................................................ 79 3.2.1 EINWEGGLEICHRICHTUNG......................................................................................... 80 3.2.2 ZWEI WEGGLEICHRICHTER......................................................................................... 82 3.2.3 BRUECKENGLEICHRICHTER............................................................................................ 83 3.2.4 DREHSTROM-MITTELPUNKT-SCHALTUNG...................................................................... 84 3.2.5 DREHSTROM-BRUECKENGLEICHRICHTER ...................................................................... 86 3.2.6 EINPHASENGLEICHRICHTER MIT LADEKONDENSATOR................................................... 88 3.2.7 DOPPEL WEGGLEICHRICHTER MIT L ADEKONDENSATOR ............................................... 91 3.2.8 SIEBSCHALTUNGEN.................................................................................................. 92 3.3 SPANNUNGSVERVIELFACHERSCHALTUNGEN.................................................................... 97 3.3.1 DELON- ODER GREINACHERSCHALTUNG...................................................................... 97 3.3.2 V ILLARDSCHALTUNG.................................................................................................. 98 3.3.3 KASKADENSCHALTUNG ............................................................................................ 99 3.4 BEGRENZERSCHALTUNGEN............................................................................................100 3.4.1 POSITIVE KLIPPERSCHALTUNG MIT D I O D E .................................................................. 100 3.4.2 NEGATIVE KLIPPERSCHALTUNG MIT D IO D E .................................................................. 101 3.4.3 BIDIREKTIONALE KLIPPERSCHALTUNG MIT D I O D E N ..................................................... 101 3.5 ELEKTRONISCHE SCHALTERFUNKTIONEN MIT D IODEN ..................................................... 103 3.5.1 DIODE ALS S C H A LTE R.................................................................................................. 103 3.5.2 DIODENSCHALTER TYP I UND I I .................................................................................. 103 3.5.3 DIODEN ALS ENTKOPPLUNGSELEMENTE.........................................................................107 3.5.4 D IODENDECODIERER.................................................................................................. 107 3.5.5 ODER-GATTER IN R D L -T ECHNIK............................................................................108 3.5.6 UND-GATTER IN R D L-TECHNIK............................................................................... 110 3.6 FREILAUFDIODE............................................................................................................111 4 DIODEN MIT SPEZIELLEN EIGENSCHAFTEN 113 4.1 Z -D IODEN..................................................................................................................114 4.1.1 GRUNDSAETZLICHER AUFBAU UND W IRKUNGSW EISE ..................................................... 114 4.1.2 STATISCHE KENNLINIENAUFNAHME EINER Z -D IODE......................................................117 4.1.3 DYNAMISCHE KENNLINIENAUFNAHME VON Z -D IODEN ............................................... 119 4.1.4 SPANNUNGS-STABILISIERUNGSSCHALTUNGEN MIT Z-D IODEN.........................................121 4.1.5 KLIPPERSCHALTUNGEN MIT Z-DIODE .........................................................................123 4.1.6 SPANNUNGSSTABILISIERUNG MIT Z -D IO D E N ............................................................... 125 4.1.7 STABILITAET BEI EINGANGSSCHWANKUNGEN .................................................................. 128 4.2 LEUCHTDIODEN ..........................................................................................................130 4.2.1 WIRKUNGSWEISE VON LEUCHTDIODEN.........................................................................130 4.2.2 AUFBAU VON LEUCHTDIODEN......................................................................................132 4.2.3 SIMULATION VON L EUCHTDIODEN............................................................................... 134 4.3 KAPAZITAETSDIODEN......................................................................................................139 4.3.1 WIRKUNGSWEISE VON KAPAZITAETSDIODEN...................................................................140 4.3.2 FREQUENZABSTIMMUNG MIT K APAZITAETSDIODE......................................................... 142 5 TRANSISTOREN 145 5.1 BIPOLARE T RA N SISTO RE N ............................................................................................ 145 5.1.1 N P N -T RANSISTOR......................................................................................................146 5.1.2 PNP-TRANSISTOR.........................................................................................................148 5.1.3 SPANNUNGEN UND STROEME DES T RA N S IS TO RS ............................................................ 149 5.1.4 HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BAUFORMEN BIPOLARER T RA N SISTO RE N ......................... 150 5.1.5 TRANSISTORGRUNDSCHALTUNGEN .................................................................................. 155 5.1.6 ZUSAMMENFASSUNG DER DREI G RUNDSCHALTUNGEN...................................................162 5.1.7 GRENZ- UND KENNDATEN BIPOLARER TRANSISTOREN......................................................163 5.1.8 STATISCHE UND DYNAMISCHE K ENNDATEN...................................................................166 5.2 VIERPOLGROESSEN VON TRANSISTOREN..............................................................................168 5.2.1 ARBEITEN MIT H-PARAMETEM......................................................................................169 5.2.2 VIERPOLGROESSEN DER LEITWERTMATRIX.........................................................................170 5.2.3 KENNLINIENFELDER EINES NPN-TRANSISTORS IN EMITTERSCHALTUNG ............................ 172 5.2.4 STATISCHE KENNLINIENAUFNAHME EINES NPN-TRANSISTORS IN EMITTERSCHALTUNG . 175 5.2.5 DYNAMISCHE KENNLINIENAUFNAHME EINES NPN-TRANSISTORS IN EMITTERSCHALTUNG 180 5.2.6 ERMITTLUNG DER H-PARAMETER AUS DEM K ENNLINIENFELD ......................................... 180 5.2.7 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG.........................................................................................182 5.2.8 ARBEITSGERADE FUER GLEICH- UND W ECHSELSTROM ......................................................185 5.3 KLEINSIGNAL V E RSTAERK ER..............................................................................................190 5.3.1 GLEICHSPANNUNGSVERSTAERKER .................................................................................. 191 5.3.2 ANSTEUERUNG MIT R ECHTECKSIGNALEN......................................................................196 5.3.3 GEGENKOPPLUNG BEI DER EM ITTERSCHALTUNG............................................................200 5.3.4 AUSGANGS WIDERSTAND BEI STROM GEGENKOPPLUNG .................................................. 206 5.3.5 WECHSELSPANNUNGS- UND STROMANPASSUNG............................................................211 5.3.6 ZWEISTUFIGER V E RSTAE RK E R........................................................................................ 217 5.3.7 ZWEISTUFIGER VERSTAERKER MIT G EGENKOPPLUNG ..................................................... 221 5.4 LEISTUNGSVERSTAERKER................................................................................................ 225 5.4.1 LEISTUNGSVERSTAERKER IM A -B ETRIEB ............................ 226 5.4.2 LEISTUNGSVERSTAERKER IM B -B ETRIEB ........................................................................ 233 5.4.3 LEISTUNGSVERSTAERKER IM A B -B ETRIEB ..................................................................... 235 6 UNIPOLARE TRANSISTOREN (FETS UND MOSFETS) 239 6.1 FE T UNDM O SFET..................................................................................................239 6.1.1 PHYSIKALISCHE FUNKTIONSWEISE DES SPERRSCHICHT-FET ........................................ 240 6.1.2 UNTERSUCHUNG EINES N-KANAL-FET........................................................................ 243 6.1.3 HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BAUFORMEN VON F E T S ...............................................247 6.1.4 GRENZ-UND K ENNDATEN........................................................................................... 248 6.1.5 KENNLINIEN IN SOURCE-GRUNDSCHALTUNG..................................................................250 6.1.6 VERSTAERKERSCHALTUNGEN MIT F E T ........................................................................... 253 6.1.7 SIGNALGEGENKOPPLUNG........................................................................................... 257 6.1.8 DER FET ALS SCHALTER UND EINSTELLBARER W IDERSTAND ........................................... 260 6.2 VM OS-LEISTUNGSTRANSISTOR.................................................................................. 261 6.2.1 AUFBAU VON V M O S-TRANSISTOREN........................................................................ 264 6.2.2 KENNLINIENFELDER.....................................................................................................267 6.2.3 KENNLINIEN DES I G B T ........................................................................................... 269 6.2.4 SCHALTVORGAENGE BEI VERSCHIEDENEN ANWENDUNGEN ............................................271 6.3 ANWENDUNGEN VON FET UND M O S F E T ............................................................... 279 6.3.1 FET-VERSTAERKER IN SOURCESCHALTUNG.....................................................................279 6.3.2 FET-VERSTAERKER IN DRAINSCHALTUNG........................................................................ 281 6.3.3 FET-VERSTAERKER IN G ATESCHALTUNG........................................................................ 283 6.3.4 KONSTANTSTROMQUELLE MIT F E T ......................................... 283 6.3.5 FET-VORVERSTAERKER..................................................................................................286 6.3.6 FET-VORVERSTAERKER MIT STROMGEGENKOPPLUNG ..................................................... 288 6.3.7 ZWEISTUFIGER FET-VORVERSTAERKER ........................................................................... 289 6.3.8 FET-VORVERSTAERKER MIT K LANGREGLER.....................................................................291 6.3.9 M ESSVORVERSTAERKER..................................................................................................293 6.3.10 FELDEFFEKTTRANSISTOR ALS A NALOGSCHALTER...............................................................294 6.3.11 DIFFERENZVERSTAERKER MIT KONSTANTSTROMQUELLE..................................................... 295 6.3.12 DIFFERENZVERSTAERKER MIT DARLINGTON-FET-EINGAENGEN ........................................ 296 6.3.13 DIFFERENZVERSTAERKER IN F E T -T ECHNOLOGIE ........................................................... 297 6.3.14 DRAINSCHALTUNG MIT N-KANAL-MOSFET-ANREICHERUNGSTYP...............................299 6.3.15 SOURCESCHALTUNG MIT N -K ANAL-V ERARM UNGSTYP..................................................301 6.3.16 MOSFET ALS A N ALO G SCH ALTER...............................................................................302 6.3.17 CMOS-ANALOGSCHALTER........................................................................................... 303 6.3.18 NICHT-GATTER IN CM OS-TECHNIK ........................................................................ 305 6.3.19 NAND-GATTER IN CM O S-TECHNIK ........................................................................ 306 6.3.20 NOR-GATTER IN CM O S-TECHNIK ........................................................................... 308 7 INTEGRIERTE OPERATIONSVERSTAERKER 309 7.1 ANALOGE VERSTAERKERFAM ILIEN..................................................................................310 7.1.1 INTEGRIERTE V E RS TAE RK E R........................................................................................... 311 7.1.2 INTERNER SCHALTUNGSAUFBAU VON O PERATIONSVERSTAERKERN ..................................... 314 7.1.3 BETRIEBSARTEN EINES OPERATIONSVERSTAERKERS............................................................317 7.1.4 UEBERTRAGUNGSCHARAKTERISTIK BEI O PERATIONSVERSTAERKERN......................................318 7.1.5 BETRIEBSARTEN FUER EINE MIT- UND G EGEN K O P P LU N G ............................................... 320 7.1.6 INVERTIERENDER B E TRIE B ............................................................................................321 7.1.7 NICHT INVERTIERENDER B ETRIEB .................................................................................. 323 7.2 LINEARE SCHALTUNGSBEISPIELE....................................................................................326 7.2.1 ADDIERER ODER S U M M IERER ..................................................................................... 326 7.2.2 SUBTRAHIERER ODER DIFFERENZ VERSTAERKER .................................................................. 327 7.2.3 INTEGRATOR..................................................................................................................329 7.2.4 D IFFEREN ZIERER........................................................................................................ 337 7.3 STATISCHE SCHALTUNGEN MIT OPERATIONSVERSTAERKERN.................................................339 7.3.1 OPERATIONSVERSTAERKER ALS K OM PARATOR .................................................................. 339 7.3.2 SPANNUNGSVERGLEICHER IM GESAETTIGTEN VERSTAERKERBETRIEB .................................. 341 7.3.3 FENSTER-KOM PARATOR...............................................................................................342 7.3.4 SCHM ITT-T RIGGER..................................................................................................... 343 7.4 NETZGERAETE MIT OPERATIONSVERSTAERKER .................................................................. 345 7.4.1 WAHL DER RICHTIGEN SPANNUNGSREFERENZ............................................................... 346 7.4.2 EINFACHE R EFERENZSPANNUNGSQUELLEN .................................................................. 350 7.4.3 KONSTANTSPANNUNGSQUELLEN .................................................................................. 353 7.4.4 EINSTELLBARES NETZGERAET .........................................................................................356 7.4.5 ENDSTUFE MIT DARLINGTONSCHALTUNG.........................................................................357 7.4.6 EINSTELLBARES NETZGERAET MIT GEPUFFERTEM A U S G A N G ............................................359 7.4.7 EINSTELLBARES NETZGERAET MIT LAENGSTRANSISTOR.........................................................360 7.4.8 PARALLELSTABILISIERUNG MIT OPERATIONSVERSTAERKER .................................................. 361 7.4.9 PARALLELSTABILISIERUNG FUER HOEHERE AUSGANGSSTROEME ............................................363 7.4.10 KONSTANTSTROMQUELLE MIT OPERATIONSVERSTAERKER .................................................. 364 7.4.11 KONSTANTSTROMQUELLE MIT T RANSISTOR ..................................................................... 365 7.5 MESSTECHNIK MIT OPERATIONSVERSTAERKER .................................................................366 7.5.1 VERSTAERKER MIT DIFFERENTIELLEM A USGANG............................................................... 367 7.5.2 DIFFERENTIELLER VERSTAERKER MIT DIFFERENTIELLEM A USGANG......................................368 7.5.3 INSTRUMENTEN VERSTAERKER .........................................................................................369 7.5.4 STROM-SPANNUNGS- UND SPANNUNGS-STROM-WANDLER............................................371 7.5.5 SPANNUNGS- UND STROM M ESSUNG............................................................................372 LITERATURVERZEICHNIS 375 INDEX 377
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