Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Elektronisch E-Book |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Kassel, Germany
Kassel University Press
2014
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | FAW01 FAW02 |
Beschreibung: | Description based on online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed September 19, 2014) |
Beschreibung: | 1 online resource (192 pages) illustrations (some color) |
ISBN: | 9783862197538 3862197530 9783862197521 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nmm a2200000zc 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV043782855 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20170818 | ||
007 | cr|uuu---uuuuu | ||
008 | 160920s2014 |||| o||u| ||||||ger d | ||
020 | |a 9783862197538 |9 978-3-86219-753-8 | ||
020 | |a 3862197530 |9 3-86219-753-0 | ||
020 | |a 9783862197521 |9 978-3-86219-752-1 | ||
035 | |a (ZDB-4-EBA)ocn891382299 | ||
035 | |a (OCoLC)891382299 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV043782855 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-1046 |a DE-1047 | ||
082 | 0 | |a 621.317 |2 23 | |
100 | 1 | |a Heeb, Michael |d 1978- |e Verfasser |0 (DE-588)1051827698 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |c Michael Heeb |
264 | 1 | |a Kassel, Germany |b Kassel University Press |c 2014 | |
264 | 4 | |c © 2014 | |
300 | |a 1 online resource (192 pages) |b illustrations (some color) | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b c |2 rdamedia | ||
338 | |b cr |2 rdacarrier | ||
500 | |a Description based on online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed September 19, 2014) | ||
505 | 8 | |a ""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus "" | |
505 | 8 | |a ""3.4.1 Bestimmung der Induktivität im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der Zwischenkreisinduktivität Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der Leitungsinduktivitäten ""; ""3.6 Temperaturabhängige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 Ortsabhängige Driftgeschwindigkeit "" | |
505 | 8 | |a ""4.3 Driftgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Löcherstromdichte """"4.4 Temperaturabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der Halbleiterkapazität ""; ""5.3 Bestimmung parasitärer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats "" | |
505 | 8 | |a ""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover "" | |
650 | 7 | |a TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical |2 bisacsh | |
650 | 7 | |a Computer simulation |2 fast | |
650 | 7 | |a Power semiconductors |2 fast | |
650 | 4 | |a Computer simulation | |
650 | 4 | |a Power semiconductors | |
650 | 4 | |a Power semiconductors |a Computer simulation | |
776 | 0 | 8 | |i Erscheint auch als |n Druck-Ausgabe |a Heeb, Michael |t Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
912 | |a ZDB-4-EBA | ||
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029193915 | ||
966 | e | |u http://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=881730 |l FAW01 |p ZDB-4-EBA |q FAW_PDA_EBA |x Aggregator |3 Volltext | |
966 | e | |u http://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=881730 |l FAW02 |p ZDB-4-EBA |q FAW_PDA_EBA |x Aggregator |3 Volltext |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804176614450266112 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Heeb, Michael 1978- |
author_GND | (DE-588)1051827698 |
author_facet | Heeb, Michael 1978- |
author_role | aut |
author_sort | Heeb, Michael 1978- |
author_variant | m h mh |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV043782855 |
collection | ZDB-4-EBA |
contents | ""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus "" ""3.4.1 Bestimmung der Induktivität im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der Zwischenkreisinduktivität Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der Leitungsinduktivitäten ""; ""3.6 Temperaturabhängige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 Ortsabhängige Driftgeschwindigkeit "" ""4.3 Driftgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Löcherstromdichte """"4.4 Temperaturabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der Halbleiterkapazität ""; ""5.3 Bestimmung parasitärer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats "" ""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover "" |
ctrlnum | (ZDB-4-EBA)ocn891382299 (OCoLC)891382299 (DE-599)BVBBV043782855 |
dewey-full | 621.317 |
dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
dewey-ones | 621 - Applied physics |
dewey-raw | 621.317 |
dewey-search | 621.317 |
dewey-sort | 3621.317 |
dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
format | Electronic eBook |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>04301nmm a2200493zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV043782855</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20170818 </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">160920s2014 |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783862197538</subfield><subfield code="9">978-3-86219-753-8</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3862197530</subfield><subfield code="9">3-86219-753-0</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783862197521</subfield><subfield code="9">978-3-86219-752-1</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(ZDB-4-EBA)ocn891382299</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)891382299</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV043782855</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-1047</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.317</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Heeb, Michael</subfield><subfield code="d">1978-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1051827698</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen</subfield><subfield code="c">Michael Heeb</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Kassel, Germany</subfield><subfield code="b">Kassel University Press</subfield><subfield code="c">2014</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="4"><subfield code="c">© 2014</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 online resource (192 pages)</subfield><subfield code="b">illustrations (some color)</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Description based on online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed September 19, 2014)</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="8" ind2=" "><subfield code="a">""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus ""</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="8" ind2=" "><subfield code="a">""3.4.1 Bestimmung der Induktivität im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der Zwischenkreisinduktivität Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der Leitungsinduktivitäten ""; ""3.6 Temperaturabhängige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 Ortsabhängige Driftgeschwindigkeit ""</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="8" ind2=" "><subfield code="a">""4.3 Driftgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Löcherstromdichte """"4.4 Temperaturabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der Halbleiterkapazität ""; ""5.3 Bestimmung parasitärer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats ""</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="8" ind2=" "><subfield code="a">""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover ""</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical</subfield><subfield code="2">bisacsh</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Computer simulation</subfield><subfield code="2">fast</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Power semiconductors</subfield><subfield code="2">fast</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Computer simulation</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Power semiconductors</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Power semiconductors</subfield><subfield code="a">Computer simulation</subfield></datafield><datafield tag="776" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">Erscheint auch als</subfield><subfield code="n">Druck-Ausgabe</subfield><subfield code="a">Heeb, Michael</subfield><subfield code="t">Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-4-EBA</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029193915</subfield></datafield><datafield tag="966" ind1="e" ind2=" "><subfield code="u">http://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=881730</subfield><subfield code="l">FAW01</subfield><subfield code="p">ZDB-4-EBA</subfield><subfield code="q">FAW_PDA_EBA</subfield><subfield code="x">Aggregator</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="966" ind1="e" ind2=" "><subfield code="u">http://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&AN=881730</subfield><subfield code="l">FAW02</subfield><subfield code="p">ZDB-4-EBA</subfield><subfield code="q">FAW_PDA_EBA</subfield><subfield code="x">Aggregator</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield></record></collection> |
id | DE-604.BV043782855 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-10T07:34:59Z |
institution | BVB |
isbn | 9783862197538 3862197530 9783862197521 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-029193915 |
oclc_num | 891382299 |
open_access_boolean | |
owner | DE-1046 DE-1047 |
owner_facet | DE-1046 DE-1047 |
physical | 1 online resource (192 pages) illustrations (some color) |
psigel | ZDB-4-EBA ZDB-4-EBA FAW_PDA_EBA |
publishDate | 2014 |
publishDateSearch | 2014 |
publishDateSort | 2014 |
publisher | Kassel University Press |
record_format | marc |
spelling | Heeb, Michael 1978- Verfasser (DE-588)1051827698 aut Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen Michael Heeb Kassel, Germany Kassel University Press 2014 © 2014 1 online resource (192 pages) illustrations (some color) txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Description based on online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed September 19, 2014) ""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus "" ""3.4.1 Bestimmung der Induktivität im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der Zwischenkreisinduktivität Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der Leitungsinduktivitäten ""; ""3.6 Temperaturabhängige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 Ortsabhängige Driftgeschwindigkeit "" ""4.3 Driftgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Löcherstromdichte """"4.4 Temperaturabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der Halbleiterkapazität ""; ""5.3 Bestimmung parasitärer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats "" ""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover "" TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical bisacsh Computer simulation fast Power semiconductors fast Computer simulation Power semiconductors Power semiconductors Computer simulation Erscheint auch als Druck-Ausgabe Heeb, Michael Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
spellingShingle | Heeb, Michael 1978- Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen ""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus "" ""3.4.1 Bestimmung der Induktivität im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der Zwischenkreisinduktivität Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der Leitungsinduktivitäten ""; ""3.6 Temperaturabhängige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 Ortsabhängige Driftgeschwindigkeit "" ""4.3 Driftgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Löcherstromdichte """"4.4 Temperaturabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der Halbleiterkapazität ""; ""5.3 Bestimmung parasitärer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats "" ""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover "" TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical bisacsh Computer simulation fast Power semiconductors fast Computer simulation Power semiconductors Power semiconductors Computer simulation |
title | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
title_auth | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
title_exact_search | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
title_full | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen Michael Heeb |
title_fullStr | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen Michael Heeb |
title_full_unstemmed | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen Michael Heeb |
title_short | Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen |
title_sort | modellierung der parasitaren passiven elemente in igbt hochleistungsmodulen |
topic | TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical bisacsh Computer simulation fast Power semiconductors fast Computer simulation Power semiconductors Power semiconductors Computer simulation |
topic_facet | TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical Computer simulation Power semiconductors Power semiconductors Computer simulation |
work_keys_str_mv | AT heebmichael modellierungderparasitarenpassivenelementeinigbthochleistungsmodulen |