Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Dresden
TUDpress
2015
|
Schriftenreihe: | Dresdner Beiträge zur Sensorik
57 |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | XVII, 122 Seiten Illustrationen, Diagramme |
ISBN: | 9783959080149 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV043331609 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20160321 | ||
007 | t | ||
008 | 160201s2015 a||| m||| 00||| ger d | ||
020 | |a 9783959080149 |9 978-3-95908-014-9 | ||
035 | |a (OCoLC)951598726 | ||
035 | |a (DE-599)GBV844432253 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rda | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-83 | ||
084 | |a ZM 7680 |0 (DE-625)160562: |2 rvk | ||
084 | |a ZN 4174 |0 (DE-625)157368: |2 rvk | ||
100 | 1 | |a Pötschick, Pierre |d 1981- |e Verfasser |0 (DE-588)1081213817 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten |c Pierre Pötschick |
264 | 1 | |a Dresden |b TUDpress |c 2015 | |
300 | |a XVII, 122 Seiten |b Illustrationen, Diagramme | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 1 | |a Dresdner Beiträge zur Sensorik |v 57 | |
502 | |b Dissertation |c Technische Universität Dresden |d 2014 | ||
650 | 0 | 7 | |a Amorpher Halbleiter |0 (DE-588)4001756-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a PECVD-Verfahren |0 (DE-588)4267316-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Magnetronsputtern |0 (DE-588)4208514-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Amorpher Halbleiter |0 (DE-588)4001756-4 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |D s |
689 | 0 | 3 | |a PECVD-Verfahren |0 (DE-588)4267316-1 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Magnetronsputtern |0 (DE-588)4208514-7 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
830 | 0 | |a Dresdner Beiträge zur Sensorik |v 57 |w (DE-604)BV011109099 |9 57 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=028751771&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-028751771 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804175877903220736 |
---|---|
adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS X III
SYM BOLVERZEICHNIS X V
1. E INLEITU N G UND A UFGABENSTELLUNG 1
1.1. E IN
LEITUNG....................................................................................................
1
1.2.
AUFGABENSTELLUNG........................................................................................
3
2. G RUNDLAGEN 5
2.1 PLASMABASIERTE
BESCHICHTUNGSPROZESSE......................................................
5
2.1.1. PLASMA FUER BESCHICHTUNGSVERFAHREN
.............................................
5
2.1.2 SCHICHTABSCHEIDUNG MITTELS PVD- UND CVD-VERFAHREN ..... 10
2.1.3. M
AGNETRONSPUTTERN........................................................................
11
2.1.4. MAGNETRON-PECVD-PROZESS
.........................................................
14
2.2. AMORPHES S ILIZIU M
.....................................................................................
15
2.2.1. AUFBAU UND EIGENSCHAFTEN
...........................................................
15
2.2.2. SCHICHTWACHSTUM IM PECVD-PROZESS
..........................................
20
2.3. MIKROKRISTALLINES
SILIZIUM............................................................................
24
3. VERFAHREN ZUR A BSCHEIDUNG VON AM ORPHEN UND M IKROKRISTALLINEN SI-
LIZIUM SCHICHTEN 27
4. E XPERIM ENTELLER AUFBAU UND VERW ENDETE U NTERSUCHUNGSM ETHODEN 29
4.1. BESCHICHTUNGSANLAGE ............................ 29
4.1.1. CLUSTER-ANLAGE CLUSTER 300. ....... ............. 29
4.1.2. DOPPEL-RING-MAGNETRON
...............................................................
30
4.1.3. STROMVERSORGUNG DES M AGNETRONS
................................................
32
4.2.
PROZESSCHARAKTERISIERUNG......................................................
33
4.2.1.
LANGMUIR-SONDENMESSUNG...........................................................
33
4.2.2. BESTIMMUNG DER SUBSTRATTEM PERATUR
..........................................
37
4.3.
SCHICHTCHARAKTERISIERTING............................................................................
37
4.3.1. LEITFAEHIGKEITSUNTERSUCHUNGEN...
...............................................
37
4.3.2 OPTISCHE SPEKTROSKOPIE
.................................................................
38
4.3.3. FTIR-SPEKTROSKOPIE
.................................................................... 42
4.3.4
RAMAN-SPEKTROSKOPIE....................................................................
43
4.3.5. OPTISCHE GLIMMENTLADUNGSSPEKTROSKOPIE
....................................
45
6 A BSCHEIDUNG VON AM ORPHEN SILIZIUM SCHICHTEN
6.1. PROZESSINBETRIEBNAHME.............................................
...
6.1.1 VERSUCHE ZUM PULSMODUS
.............................................................
6.1.2. TARGETBEDECKUNG UND LANGZEITSTABILITAET
.....................................
6.1.3. EINBAU VON TARGETMATERIAL
...... ..............
6.1.4.
BESCHICHTUNGSRATE............................................................................
6.1.5. BESTIMMUNG WEITERER SCHICHTEIGENSCHAFTEN ............
6.1.6
ZUSAMMENFASSUNG............................................................................
6.2 EINBAU VON KOHLENSTOFF UND S
AUERSTOFF....................................................
6.2.1. QUELLEN VON
SCHICHTVERUNREINIGUNGEN...........................................
6.2.2. EIN* S VON VERUNREINIGUNGEN AUF
* .
6.3 EINFLUSS DER SUBSTRATTEM
PERATUR................................................................
6.4. EINFLUSS DES
WASSERSTOFFFLUSSES...................................................................
6.5. MIKROSTRUKTURPARAMETER UND
WASSERSTOFFGEHALT........................................
6.6 EINFLUSS DES ARGONFLUSSES
....................................
.......................................
6.7 EINFLUSS DER ELEKTRISCHEN L EISTU N G
.............................................................
6.8.
ZUSAMMENFASSUNG...............................................................................
7. A BSCHEIDUNG VON MIKROKRISTALLINEN SILIZIUM SCHICHTEN 97
7.1 MIKROKRISTALLINES W ACH STU M
......................................................................
98
7.2.
KRISTALLITGROSSE................................................................................................100
7.3 SCHICHTSPANNUNGEN * * ......* .* * * .* 103
7
.
4
.
ZUSAMMENFASSUNG .............................. 104
8 ZUSAM M ENFASSUNG UND A USBLICK 105
A A NHANG 109
*.1 GDOES-SPEKTREN
..........................................................................................
109
*.2. T A U C -P LO
T............................................................ 110
*.3. FTIR-SPEKTREN . .
.
...........................................................................
111
*.4. R AM
AN-SPEKTREN..........................................................................................
112
LITERATURVERZEICHNIS 122
5 B ESTIM M UNG DER PLASM APARAM ETER IN GEP U LSTEN D C -P LASM EN 47
5.1. VERGLEICH VON PULS- UND PROZESSMODI BEIM MAGNETRON-PECVD-PROZESS 47
5.2. VARIATION DES
WASSERSTOFFFLUSSES.................................................................
49
5.3. VARIATION DES
SILANFLUSSES.............................................................................
55
5.4. VARIATION DES ARGONFLUSSES
.........................................................................
57
5.5.
ZUSAMMENFASSUNG.........................................................................................
59
63
63
63
64
65
67
71
73
75
75
77
78
82
86
89
92
94
|
any_adam_object | 1 |
author | Pötschick, Pierre 1981- |
author_GND | (DE-588)1081213817 |
author_facet | Pötschick, Pierre 1981- |
author_role | aut |
author_sort | Pötschick, Pierre 1981- |
author_variant | p p pp |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV043331609 |
classification_rvk | ZM 7680 ZN 4174 |
ctrlnum | (OCoLC)951598726 (DE-599)GBV844432253 |
discipline | Werkstoffwissenschaften / Fertigungstechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02066nam a2200469 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV043331609</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20160321 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">160201s2015 a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783959080149</subfield><subfield code="9">978-3-95908-014-9</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)951598726</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)GBV844432253</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZM 7680</subfield><subfield code="0">(DE-625)160562:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4174</subfield><subfield code="0">(DE-625)157368:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Pötschick, Pierre</subfield><subfield code="d">1981-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1081213817</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten</subfield><subfield code="c">Pierre Pötschick</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Dresden</subfield><subfield code="b">TUDpress</subfield><subfield code="c">2015</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XVII, 122 Seiten</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Dresdner Beiträge zur Sensorik</subfield><subfield code="v">57</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Technische Universität Dresden</subfield><subfield code="d">2014</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4001756-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">PECVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4267316-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Magnetronsputtern</subfield><subfield code="0">(DE-588)4208514-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Amorpher Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4001756-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">PECVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4267316-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Magnetronsputtern</subfield><subfield code="0">(DE-588)4208514-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Dresdner Beiträge zur Sensorik</subfield><subfield code="v">57</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV011109099</subfield><subfield code="9">57</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=028751771&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-028751771</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV043331609 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-10T07:23:17Z |
institution | BVB |
isbn | 9783959080149 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-028751771 |
oclc_num | 951598726 |
open_access_boolean | |
owner | DE-83 |
owner_facet | DE-83 |
physical | XVII, 122 Seiten Illustrationen, Diagramme |
publishDate | 2015 |
publishDateSearch | 2015 |
publishDateSort | 2015 |
publisher | TUDpress |
record_format | marc |
series | Dresdner Beiträge zur Sensorik |
series2 | Dresdner Beiträge zur Sensorik |
spelling | Pötschick, Pierre 1981- Verfasser (DE-588)1081213817 aut Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten Pierre Pötschick Dresden TUDpress 2015 XVII, 122 Seiten Illustrationen, Diagramme txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Dresdner Beiträge zur Sensorik 57 Dissertation Technische Universität Dresden 2014 Amorpher Halbleiter (DE-588)4001756-4 gnd rswk-swf PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd rswk-swf Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Amorpher Halbleiter (DE-588)4001756-4 s Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 s Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 s DE-604 Dresdner Beiträge zur Sensorik 57 (DE-604)BV011109099 57 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=028751771&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Pötschick, Pierre 1981- Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten Dresdner Beiträge zur Sensorik Amorpher Halbleiter (DE-588)4001756-4 gnd PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
subject_GND | (DE-588)4001756-4 (DE-588)4267316-1 (DE-588)4208514-7 (DE-588)4136925-7 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
title | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten |
title_auth | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten |
title_exact_search | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten |
title_full | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten Pierre Pötschick |
title_fullStr | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten Pierre Pötschick |
title_full_unstemmed | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten Pierre Pötschick |
title_short | Magnetron-aktivierte plasmachemische Dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen Siliziumschichten |
title_sort | magnetron aktivierte plasmachemische dampfphasenabscheidung von amorphen und mikrokristallinen wasserstoffartigen siliziumschichten |
topic | Amorpher Halbleiter (DE-588)4001756-4 gnd PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
topic_facet | Amorpher Halbleiter PECVD-Verfahren Magnetronsputtern Dünne Schicht Silicium Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=028751771&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
volume_link | (DE-604)BV011109099 |
work_keys_str_mv | AT potschickpierre magnetronaktivierteplasmachemischedampfphasenabscheidungvonamorphenundmikrokristallinenwasserstoffartigensiliziumschichten |