A physically based reliability modelling framework for nm-CMOS RF devices and circuits undergoing RF stress: = Physikalisch-basierte Zuverlässigkeitsmodellierung von nm-CMOS-Bauelementen und -Schaltungen unter HF-Stress
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Bibliographic Details
Main Author: Cattaneo, Andrea (Author)
Format: Thesis Book
Language:English
Published: München Verlag Dr. Hut 2015
Edition:1. Auflage
Subjects:
Physical Description:xxiv, 124 Seiten, i - xxx Seiten Illustrationen, Diagramme
ISBN:9783843923934

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