A physically based reliability modelling framework for nm-CMOS RF devices and circuits undergoing RF stress: = Physikalisch-basierte Zuverlässigkeitsmodellierung von nm-CMOS-Bauelementen und -Schaltungen unter HF-Stress
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
München
Verlag Dr. Hut
2015
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| Ausgabe: | 1. Auflage |
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| Beschreibung: | xxiv, 124 Seiten, i - xxx Seiten Illustrationen, Diagramme |
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