Verfügbarkeit: Integrierte Digitale Schaltungen

Integrierte Digitale Schaltungen: Vom Transistor zur optimierten Logikschaltung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Klar, Heinrich 1944-2018 (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Berlin, Heidelberg Springer 2015
Ausgabe:	3. Aufl.
Schlagworte:	Digitale integrierte Schaltung Lehrbuch
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Beschreibung:	1 Online-Ressource (XII, 711 S. 300 Abb., 20 Abb. in Farbe)
ISBN:	9783540690177
DOI:	10.1007/978-3-540-69017-7

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adam_text	INTEGRIERTE DIGITALE SCHALTUNGEN / KLAR, HEINRICH : 2015 TABLE OF CONTENTS / INHALTSVERZEICHNIS EINLEITUNG PHYSIK UND HERSTELLUNG VON MOS-TRANSISTOREN LEITUNGEN GRUNDSCHALTUNGEN TAKTE HALBLEITERSPEICHER ARITHMETISCHE MODULE VLSI-ENTWURFSMETHODEN ANHANG FUER KAPITEL 3 LITERATURVERZEICHNIS SACHVERZEICHNIS DIESES SCHRIFTSTUECK WURDE MASCHINELL ERZEUGT. INTEGRIERTE DIGITALE SCHALTUNGEN / KLAR, HEINRICH : 2015 ABSTRACT / INHALTSTEXT DIESE DRITTE AUFLAGE BIETET EINEN VOLLSTAENDIG UEBERARBEITETEN BLICK AUF ALLE ASPEKTE DER INTEGRIERTEN DIGITALEN SCHALTUNGSTECHNIK. AUFBAUEND AUF DER HALBLEITERPHYSIK MODERNER CMOS-TRANSISTOREN UND DEREN HERSTELLUNG WERDEN DIGITALE UND WENN NOETIG ANALOGE GRUNDSCHALTUNGEN BEHANDELT. WEITER WERDEN FUNKTIONSBLOECKE WIE SPEICHERSCHALTUNGEN, ADDIERER UND MULTIPLIZIERER BESPROCHEN. ALS NEUER SCHWERPUNKT DER DRITTEN AUFLAGE ZIEHEN SICH DIE AUSWIRKUNGEN DER ZEITLICHEN UND OERTLICHEN SCHWANKUNGEN DER VERSORGUNGSSPANNUNGEN UND DER TEMPERATUR SOWIE DIE EINFLUESSE DER HERSTELLUNGSBEDINGTEN SCHWANKUNGEN DER TRANSISTORPARAMETER WIE EIN ROTER FADEN DURCH ALLE KAPITEL. METHODEN ZUR MINIMIERUNG DER VERLUSTLEISTUNG BILDEN EINEN WEITEREN NEUEN SCHWERPUNKT DES BUCHES. ES WIRD, WIE IN DEN BISHERIGEN AUFLAGEN, DIE TECHNOLOGIEORIENTIERTE UND DIE SYSTEMORIENTIERTE SCHALTUNGSTECHNIK GEMEINSAM UND ZUSAMMENHAENGEND DARGESTELLT. DIE AUTOREN PROFESSOR DR.-ING.HEINRICH KLAR ERLANGTE IN DEN JAHREN 1972 UND 1976 DIE TITEL DIPL.-ING. BEZIEHUNGSWEISE DR.-ING. AN DER TECHNISCHEN UNIVERSITAET MUENCHEN. 1976 TRAT ER IN DAS FORSCHUNGSLABOR DER SIEMENS AG EIN. AM 1.10.1989 WECHSELTE ER AN DIE TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. DORT WAR ER ALS PROFESSOR AM INSTITUT FUER MIKROELEKTRONIK BIS ZU SEINER PENSIONIERUNG AM 1. 10. 2012 TAETIG. SEINE FORSCHUNGSSCHWERPUNKTE WAREN INTEGRIERTE DIGITALE SCHALTUNGEN FUER DIE SIGNALVERARBEITUNG, INSBESONDERE FUER SPIKE-VERARBEITENDE NEURONALE NETZE. IM ANALOGEN BEREICH ARBEITETE ER AN RF- (RADIO-FREQUENZ-) SCHALTUNGEN FUER DIE DRAHTLOSE KOMMUNIKATION, AN HOCHAUFLOESENDEN UND BREITBANDIGEN A/D-WANDLERN UND AN GIGABIT-SCHALTKREISEN. IM ANALOGEN BEREICH ARBEITETE ER AN RF- (RADIO-FREQUENZ-) SCHALTUNGEN FUER DIE DRAHTLOSE KOMMUNIKATION, AN HOCHAUFLOESENDEN UND BREITBANDIGEN A/D-WANDLERN UND AN GIGABIT-SCHALTKREISEN.IM ANALOGEN BEREICH ARBEITETE ER AN RF- (RADIO-FREQUENZ-) SCHALTUNGEN FUER DIE DRAHTLOSE KOMMUNIKATION, AN HOCHAUFLOESENDEN UND BREITBANDIGEN A/D-WANDLERN UND AN GIGABIT-SCHALTKREISEN. PROFESSOR DR.-ING. TOBIAS G. NOLL STUDIERTE ELEKTROTECHNIK AN DER FACHHOCHSCHULE KOBLENZ SOWIE AN DER TECHNISCHEN UNIVERSITAET MUENCHEN UND PROMOVIERTE IM JAHRE 1989 AN DER RUHR-UNIVERSITAET BOCHUM ZUM DR.-ING. NACH TAETIGKEITEN AM MAX-PLANCK-INSTITUT FUER RADIO-ASTRONOMIE IN BONN UND IM BEREICH BAUELEMENTE SOWIE IM FORSCHUNGSLABOR DER SIEMENS AG, MUENCHEN FOLGTE ER IM JAHRE 1992 EINEM RUF AUF EINE PROFESSUR AN DER RWTH AACHEN. DORT LEHRT UND FORSCHT ER AM LEHRSTUHL FUER ALLGEMEINE ELEKTROTECHNIK UND DATENVERARBEITUNGSSYSTEME AUF DEM GEBIET DES TECHNOLOGIENAHEN ARCHITEKTUR- UND SCHALTUNGSENTWURFS VON ZUVERLAESSIGEN, FLAECHEN- UND ENERGIEEFFIZIENTEN DIGITALEN CMOS-SCHALTUNGEN FUER HOCHRATIGE ANWENDUNGEN DER DIGITALEN SIGNALVERARBEITUNG.SCHWERPUNKTE SIND DABEI DER ENTWURF FUER NANOSKALIGE CMOS-TECHNOLOGIEN UND DIE QUANTITATIVE CROSS-LAYER-OPTIMIERUNG UEBER ALLE ENTWURFSEBENEN, VON DER ALGORITHMISCHEN SYSTEMEBENE BIS ZUR PHYSIKALISCHEN IMPLEMENTIERUNGSEBENE DIESES SCHRIFTSTUECK WURDE MASCHINELL ERZEUGT.
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