Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2015
|
| Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2015,2 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | V, 180 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 9783844034950 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a22000008cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV042473284 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20150819 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 150326s2015 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 15,N11 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 1067780173 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 9783844034950 |c Pb. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 61.00 (freier Pr.) |9 978-3-8440-3495-0 | ||
| 024 | 3 | |a 9783844034950 | |
| 035 | |a (OCoLC)907291254 | ||
| 035 | |a (DE-599)DNB1067780173 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c XA-DE-NW | ||
| 049 | |a DE-29 |a DE-29T |a DE-83 | ||
| 082 | 0 | |a 621.3815284 |2 22/ger | |
| 082 | 0 | |a 621.3 | |
| 084 | |a ZN 4800 |0 (DE-625)157408: |2 rvk | ||
| 084 | |a 621.3 |2 sdnb | ||
| 100 | 1 | |a Strenger, Christian |d 1982- |e Verfasser |0 (DE-588)106896118X |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid |c Christian Strenger |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2015 | |
| 300 | |a V, 180 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2015,2 | |
| 502 | |a Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2014 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Grenzfläche |0 (DE-588)4021991-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a n-Kanal-FET |0 (DE-588)4218590-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kondensator |0 (DE-588)4128311-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ladungsträgerbeweglichkeit |0 (DE-588)4166398-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Gate-Oxid |0 (DE-588)4269383-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Elektrische Eigenschaft |0 (DE-588)4193812-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS |0 (DE-588)4130209-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 653 | |a Transistor | ||
| 653 | |a SiC | ||
| 653 | |a MOSFET | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Kondensator |0 (DE-588)4128311-9 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a MOS |0 (DE-588)4130209-6 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Grenzfläche |0 (DE-588)4021991-4 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Gate-Oxid |0 (DE-588)4269383-4 |D s |
| 689 | 0 | 6 | |a Ladungsträgerbeweglichkeit |0 (DE-588)4166398-6 |D s |
| 689 | 0 | 7 | |a Elektrische Eigenschaft |0 (DE-588)4193812-4 |D s |
| 689 | 0 | 8 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 0 | 9 | |a n-Kanal-FET |0 (DE-588)4218590-7 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2015,2 |w (DE-604)BV010300264 |9 2015,2 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027908410&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027908410 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804153197025034240 |
|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 THEORETISCHE GRUNDLAGEN 7
2.1 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONEN IM HALBLEITER 7
2.1.1 INTRINSISCHE LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION 7
2.1.2 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION IM DOTIERTEN HALBLEITER 8
2.2 MOS-KONDENSATOR 10
2.2.1 IDEALER MOS-KONDENSATOR 11
2.2.2 REALER MOS-KONDENSATOR 16
2.2.2.1 AUSTRITTSARBEIT 16
2.2.2.2 LADUNGEN IM OXID 17
2.2.2.3 GRENZFLAECHENZUSTAENDE 20
2.2.2.4 EINFIUSS VON LADUNGEN AUF DIE C-U-KENNLINIE 23
2.2.2.5 LEITUNGSMECHANISMEN IM SILICIUMDIOXID 24
2.3 MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR 28
2.3.1 EINSATZSPANNUNG 29
2.3.2 STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE 30
2.3.3 FELDEFFEKT-BEWEGLICHKEIT 31
2.3.4 HALL-EFFEKT 32
2.3.5 GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE IN DER NAEHE DES LEITUNGSBANDES 34
2.3.6 LADUNGSTRAEGER-BEWEGLICHKEIT 38
2.3.7 MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT VERGRABENEM KANAL 39
3 EXPERIMENTELLE VERFAHREN 43
3.1 TECHNOLOGISCHER ABLAUF 43
3.2 NICHTELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 47
3.3 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 50
3.3.1 KAPAZITAETS-SPAIMUNGS-MESSUNG 50
3.3.2 STROM-SPANNUNGS-MESSUNG 51
III
HTTP://D-NB.INFO/1067780173
IV
*3.3.2.1 LECKSTROM-CHARAKTERISIERUNG 52
3.3.2.2 KONSTANT-SPANNUNGS-STRESS 53
3.3.2.3 SCHICHT- UND KONTAKT,WIDERSTAND 54
3.3.3 MOSFET-CHARAKTERISIERUNG 54
3.3.3.1 EINSATZSPANNUNGSBESTIMMUNG 54
3.3.3.2 LEITFAEHIGKEITS- UND HALL-EFFEKT-MESSUNGEN 55
4 ERGEBNISSE UND DISKUSSION ZU MOS-KONDENSATOREN 59
4.1 EINFLUSS DER OXIDATIONSATMOSPHAERE AUF DIE ELEKTRISCHEN UND
STRUKTURELLEN EI
GENSCHAFTEN 59
4.1.1 C-U-KENNLINIE UND GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE 60
4.1.2 OXIDLADUNG 62
4.1.3 ANALYSE DER LEITUNGSMECHANISMEN 65
4.1.4 DEGRADATION DES STROM-SPANNUNGS-VERHALTENS VON I
:2
0-0XIDEN ... 71
4.1.5 STRUKTURELLE EIGENSCHAFTEN 80
4.2 EINFLUSS DES GATEMATERIALS AUF DIE ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN 85
4.3 EINFLUSS DER DOTIERUNG DES OXIDS AUF DIE ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN
90
5 ERGEBNISSE UND DISKUSSION ZU MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN 97
5.1 EINFLUSS DER IMPLANTATION VON ALUMINIUM AUF DIE
BAUELEMENTEIGENSCHAFTEN . 97
5.1.1 AUSGANGS- UND TRANSFERKENNLINIEN 99
5.1.2 KAPAZITAETS-SPAMUMGS-MESSUNGEN 101
5.1.3 EINSATZSPANNUNG 102
5.1.4 SCHICHT- UND KONTAKTWIDERSTAND 108
5.1.5 FELDEFFEKT-BEWEGLICHKEIT 110
5.1.5.1 EINFLUSS DES BULKPOTENTIALS 110
5.1.5.2 EINFLUSS DER TEMPERATUR AUF DIE FELDEFFEKT-BEWEGLICHKEIT . . 115
5.1.5.3 EINFLUSS VON SERIENWIDERSTAENDEN AUF DIE
FELDEFFEKT-BEWEGLICHKEITLLOE
5.1.6 HALL-EFFEKT-MESSUNGEN 119
5.1.6.1 LADUNGSTRAEGERDICHTE IM INVERSIONSKANAL 120
5.1.6.2 OBERFLAECHENBANDVERBIEGUNG UND GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE 121
5.1.6.3 HALL-BEWEGLICHKEIT IM INVERSIONSKANAL 125
5.1.7 DEFEKTE UND KOHLENSTOFFVERTEILUNG IM BEREICH DER
SIC/SI02-GRENZFLAECHEL27
5.2 EINFLUSS DER KANALIMPLANTATION MIT STICKSTOFF AUF DIE
BAUELEMENTEIGENSCHAFTEN 131
5.2.1 AUSGANGS- UND TRANSFERKENNLINIEN 134
5.2.2 EINSATZSPANNUNG 135
5.2.3 GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE 138
5.2.4 LADUNGSTRAEGERBEWEGLICHKEIT 142
5.2.5 TOPOLOGIE DER SIC/SICVGRENZFLAECHE 149
6 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 151
LITERATURVERZEICHNIS 155
SYMBOLE, ABKUERZUNGEN UND CHEMISCHE FORMELZEICHEN 167
WISSENSCHAFTLICHE VEROEFFENTLICHUNGEN 175
LEBENSLAUF 177
DANKSAGUNG 179
|
| any_adam_object | 1 |
| author | Strenger, Christian 1982- |
| author_GND | (DE-588)106896118X |
| author_facet | Strenger, Christian 1982- |
| author_role | aut |
| author_sort | Strenger, Christian 1982- |
| author_variant | c s cs |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV042473284 |
| classification_rvk | ZN 4800 |
| ctrlnum | (OCoLC)907291254 (DE-599)DNB1067780173 |
| dewey-full | 621.3815284 621.3 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 621 - Applied physics |
| dewey-raw | 621.3815284 621.3 |
| dewey-search | 621.3815284 621.3 |
| dewey-sort | 3621.3815284 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02933nam a22006978cb4500</leader><controlfield tag="001">BV042473284</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20150819 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">150326s2015 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">15,N11</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1067780173</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783844034950</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 61.00 (freier Pr.)</subfield><subfield code="9">978-3-8440-3495-0</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783844034950</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)907291254</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1067780173</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-NW</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3815284</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">621.3</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Strenger, Christian</subfield><subfield code="d">1982-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)106896118X</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid</subfield><subfield code="c">Christian Strenger</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2015</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">V, 180 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2015,2</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2014</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Grenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021991-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">n-Kanal-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4218590-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kondensator</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128311-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ladungsträgerbeweglichkeit</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166398-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gate-Oxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269383-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193812-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Transistor</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">SiC</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">MOSFET</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Kondensator</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128311-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Grenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021991-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Gate-Oxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269383-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="6"><subfield code="a">Ladungsträgerbeweglichkeit</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166398-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193812-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="8"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="9"><subfield code="a">n-Kanal-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4218590-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2015,2</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV010300264</subfield><subfield code="9">2015,2</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027908410&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027908410</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV042473284 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T01:22:46Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783844034950 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027908410 |
| oclc_num | 907291254 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29 DE-29T DE-83 |
| owner_facet | DE-29 DE-29T DE-83 |
| physical | V, 180 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2015 |
| publishDateSearch | 2015 |
| publishDateSort | 2015 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| series2 | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| spelling | Strenger, Christian 1982- Verfasser (DE-588)106896118X aut Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Christian Strenger Aachen Shaker 2015 V, 180 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Erlanger Berichte Mikroelektronik 2015,2 Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2014 Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd rswk-swf n-Kanal-FET (DE-588)4218590-7 gnd rswk-swf Kondensator (DE-588)4128311-9 gnd rswk-swf Ladungsträgerbeweglichkeit (DE-588)4166398-6 gnd rswk-swf Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd rswk-swf Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd rswk-swf Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf MOS (DE-588)4130209-6 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf Transistor SiC MOSFET (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Kondensator (DE-588)4128311-9 s MOS (DE-588)4130209-6 s Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 s Grenzfläche (DE-588)4021991-4 s Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 s Ladungsträgerbeweglichkeit (DE-588)4166398-6 s Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 s MOS-FET (DE-588)4207266-9 s n-Kanal-FET (DE-588)4218590-7 s DE-604 Erlanger Berichte Mikroelektronik 2015,2 (DE-604)BV010300264 2015,2 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027908410&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Strenger, Christian 1982- Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Erlanger Berichte Mikroelektronik Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd n-Kanal-FET (DE-588)4218590-7 gnd Kondensator (DE-588)4128311-9 gnd Ladungsträgerbeweglichkeit (DE-588)4166398-6 gnd Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd MOS (DE-588)4130209-6 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4021991-4 (DE-588)4218590-7 (DE-588)4128311-9 (DE-588)4166398-6 (DE-588)4269383-4 (DE-588)4077447-8 (DE-588)4193812-4 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4130209-6 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid |
| title_auth | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid |
| title_exact_search | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid |
| title_full | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Christian Strenger |
| title_fullStr | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Christian Strenger |
| title_full_unstemmed | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Christian Strenger |
| title_short | Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid |
| title_sort | herstellung und charakterisierung von metall oxid halbleiter kondensatoren und feldeffekttransistoren auf 4h siliciumcarbid |
| topic | Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd n-Kanal-FET (DE-588)4218590-7 gnd Kondensator (DE-588)4128311-9 gnd Ladungsträgerbeweglichkeit (DE-588)4166398-6 gnd Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd MOS (DE-588)4130209-6 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
| topic_facet | Grenzfläche n-Kanal-FET Kondensator Ladungsträgerbeweglichkeit Gate-Oxid Siliciumdioxid Elektrische Eigenschaft MOS-FET MOS Siliciumcarbid Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027908410&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV010300264 |
| work_keys_str_mv | AT strengerchristian herstellungundcharakterisierungvonmetalloxidhalbleiterkondensatorenundfeldeffekttransistorenauf4hsiliciumcarbid |