Fortschritte auf dem Gebiet der Kristallchemie der Silikate: 243. Sitzung am 2. Juni 1976 in Düsseldorf
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Liebau, Friedrich 1926-2011 (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Wiesbaden VS Verlag für Sozialwissenschaften 1978
Schriftenreihe:Rheinisch-Westfälische Akademie der Wissenschaften, Natur-, Ingenieur- und Wirtschaftswissenschaften. Vorträge 277
Schlagworte:
Online-Zugang:FLA01
UBY01
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Beschreibung:Ein kristallchemisches Verständnis der außerordentlich großen Zahl von Silikatstrukturen setzt eine geeignete Klassifikation der Silikate voraus. Eine solche, auf den Silizium-Sauerstoff-Polyedern und deren Verknüpfung beruhende Klassifikation verwendet folgende Einteilungsprinzipien: (1) [SiO]-Tetraeder und [SiO]-Oktaeder, (2) Verknüpfung 4 6 der [SiOn]-Polyeder über Ecken und Kanten, (3) Verknüpfung der [SiO]-Tetraeder zu Mehrfachtetraedern, Ringen, Ketten, Schichten 4 und Gerüsten, (4) Unterteilung nach der Anzahl der [SiO]-Tetraeder 4 in der Identitätsperiode der Ketten, aus denen die hochkondensierten Silikatanionen aufgebaut werden konnen, (5) weitere Unterteilung - vor allem der SiO-ärmeren Silikate - nach Art und Verknüpfung der 2 Kationen-Sauerstoff -Polyeder. Da die mittlere Bindungsenergie der Si-O-Bindung wesentlich größer ist als die der Si-Si-und der Si-H-Bindung, bildet Silizium bevorzugt [SiOn]-Polyeder im Gegensatz zum homologen Kohlenstoff, der sehr häufig C-C-Bindungen bildet, da die Bindungen C-C, C-H und c-o von etwa gleicher Stärke sind. Die im Vergleich zu anderen anorganischen Verbindungsklassen große Anzahl von Silikaten wird durch 4 die in der Reihe Si+-p5+-S6+-CF+ zunehmende Abstoßung der Zentralatome der [XOn]-Polyeder erklärt. Die Tendenz zur Ausbildung von [SiO]-Oktaedern anstelle von [SiO]-Tetraedern nimmt in Verbindungen 6 4 vom Typ pA",0n . qSiO sowohl mit steigendem Nichtmetallcharakter 2 des Elements A als auch mit steigendem Druck zu. Silikate bilden bevorzugt Anionen der höchsten Dimensionalität, die für ein vorgegebenes Si: O-Verhältnis möglich ist. Diese Beobachtung läßt sich durch das Streben nach elektrostatischem Ladungsausgleich auf kleinstem Raum erklären
Beschreibung:1 Online-Ressource (53S.)
ISBN:9783322856241
9783531082776
DOI:10.1007/978-3-322-85624-1

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