Einführung in die geometrische und physikalische Kristallographie: und in deren Arbeitsmethoden
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Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Vienna
Springer Vienna
1958
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Beschreibung: | Läßt man nun ein Chromalaunoktaeder in einer Lösung von Aluminiumalaun weiterwachsen, so kann man den Ansatz paralleler Schichten vor Augen führen: ein Kern von violettem Chromalaun ist dann nach Beendigung des Versuches von einer parallel gelagerten Schicht von farblosem Aluminiumalaun umgeben. Freilich handelt es sich in diesem Falle schon um zwei verschiedene Kristallarten, die nur insofern als gleichartig aufgefaßt werden konnen, als sie sowohl nach ihrer chemischen Konstitution als auch in bezug auf ihre Kristallform 1 als analog zu betrachten sind . Die Abb. 1 bis 3 geben Beispiele solchen Schichtenwachstums; Abb. 2 zeigt das Entstehen einer sog. "Sanduhrstruktur", Abb. 3 stellt ähnliche Anwachspyramiden bei Calcitkristallen dar. Abb.3. Anwachspyramiden an Kaspatkristallen von Rabenstein Aus diesen Beobachtungen ist zu schließen, daß sich in gewissen Zeitabständen auf jede Kristallfläche eine parallele Schicht neuer Kristallsubstanz anlagert. Betrachten wir nun einen Kristall etwas näher, der von verschiedenartigen Flächen begrenzt ist. Dann erkennen wir die beachtenswerte Tatsache, daß die auf verschiedenartigen Flächen, Fa, F , F , angelagerten b c Schichten ungleich dick sind (Abb. 4). Hier haben wir schon die eingangs erwähnte Richtungsabhängigkeit! Geometrisch können wir diesen physikalischen Vorgang des Wachstums am einfachsten vektoriell erfassen |
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