Raster-Elektronenmikroskopie:
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Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1973
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Beschreibung: | Die Raster-Elektronenmikroskopie hat sich nach einer schnellen Entwicklung als unentbehrliches Hilfsmittel für die mikromorphologische Untersuchung von Oberflächen erwiesen. Außer einer Oberflächenabbildung großer Schärfentiefe und einem Auflösungsvermögen von ca. 50-200 A besteht u. a. die Möglichkeit in integrierten Halbleiterschaltungen Kontraste durch elektrische Potentiale oder bei ferromagnetischen Proben durch magnetische Streufelder zu erhalten. Sehr bald wurden neben der reinen Betrachtung von Oberflächen auch analytische Methoden ausgenutzt. Der Anstieg des Rückstreukoeffizienten mit wachsender Ordnungszahl erlaubt eine Materialdifferenzierung. Mit ChannellingDiagrammen kann eine Orientierungsbestimmung und Kristall-Identifizierung von 1 I-tm großen Bereichen durchgeführt werden. Zusätzlich ermöglichen die Emission von Röntgenquanten und Auger-Elektronen eine Materialanalyse, und es können durch Kathodolumineszenz ausgelöste Lichtquanten zur Bilderzeugung ausgenutzt werden. Auch in der Transmissions-Elektronenmikroskopie breitet sich das Rasterprinzip für spezielle Anwendungen aus. Bislang fehlte in der deutschsprachigen Literatur eine geschlossene Darstellung der physikalischen und technischen Grundlagen der Raster-Elektronenmikroskopie einschließlich präparativer Hinweise für ihre Anwendung. Mit dem vorliegenden Buch soll diese Lücke geschlossen werden. Den mit einem RasterElektronenmikroskop arbeitenden Wissenschaftlern und Technikern soll das Buch als Einführung und Arbeitsgrundlage dienen. Da es für die Bildinterpretation nützlich ist, die wichtigsten Grundlagen der Elektronendiffusion zu kennen, und jeder, der sich der Raster-Elektronenmikroskopie zuwendet, nach kurzer Zeit z. B. mit Problemen der Sekundärelektronenemission oder der Austrittstiefe der rückgestreuten Elektronen konfrontiert wird, ist der Wechselwirkung ElektronObjekt ein ausführliches Kapitel gewidmet |
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