Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik: Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Elektronisch E-Book |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Wiesbaden
Vieweg+Teubner Verlag
1984
|
| Schriftenreihe: | Teubner Studienskripten
99 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Beschreibung: | Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfähigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu erzeugen. Es folgte eine Periode stürmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Frequenzen dominierenden Röhren auf spezielle Hochleistungsanwendungen abdrängten. Darüberhinaus wurden für Halbleiter Frequenzbereiche erschlossen, die bisher unzugänglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente für das Mikrowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer höheren Frequenzen vorstoßen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschränkung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heißen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halbleiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemente, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transistoren gehören ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfügbar sind und damit weit in das hier interessierende Frequenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen |
| Beschreibung: | 1 Online-Ressource (261 S.) |
| ISBN: | 9783663102458 9783519000990 |
| DOI: | 10.1007/978-3-663-10245-8 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nmm a2200000zcb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV042438645 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20200310 | ||
| 007 | cr|uuu---uuuuu | ||
| 008 | 150320s1984 |||| o||u| ||||||ger d | ||
| 020 | |a 9783663102458 |c Online |9 978-3-663-10245-8 | ||
| 020 | |a 9783519000990 |c Print |9 978-3-519-00099-0 | ||
| 024 | 7 | |a 10.1007/978-3-663-10245-8 |2 doi | |
| 035 | |a (OCoLC)864069744 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV042438645 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e aacr | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-634 |a DE-92 |a DE-573 |a DE-706 |a DE-1046 |a DE-1047 | ||
| 082 | 0 | |a 620 |2 23 | |
| 084 | |a DAT 000 |2 stub | ||
| 084 | |a TEC 000 |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Schlachetzki, Andreas |d 1938- |e Verfasser |0 (DE-588)133869768 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik |b Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren |c von Andreas Schlachetzki |
| 264 | 1 | |a Wiesbaden |b Vieweg+Teubner Verlag |c 1984 | |
| 300 | |a 1 Online-Ressource (261 S.) | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b c |2 rdamedia | ||
| 338 | |b cr |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Teubner Studienskripten |v 99 | |
| 500 | |a Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfähigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu erzeugen. Es folgte eine Periode stürmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Frequenzen dominierenden Röhren auf spezielle Hochleistungsanwendungen abdrängten. Darüberhinaus wurden für Halbleiter Frequenzbereiche erschlossen, die bisher unzugänglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente für das Mikrowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer höheren Frequenzen vorstoßen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschränkung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heißen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halbleiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemente, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transistoren gehören ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfügbar sind und damit weit in das hier interessierende Frequenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen | ||
| 650 | 4 | |a Engineering | |
| 650 | 4 | |a Engineering, general | |
| 650 | 4 | |a Ingenieurwissenschaften | |
| 650 | 0 | 7 | |a Hochfrequenztechnik |0 (DE-588)4025202-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Hochfrequenztechnik |0 (DE-588)4025202-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |D s |
| 689 | 0 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Teubner Studienskripten |v 99 |w (DE-604)BV035416840 |9 99 | |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.1007/978-3-663-10245-8 |x Verlag |3 Volltext |
| 912 | |a ZDB-2-STI |a ZDB-2-BAD | ||
| 940 | 1 | |q ZDB-2-STI_Archive | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873975 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804153128759590912 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Schlachetzki, Andreas 1938- |
| author_GND | (DE-588)133869768 |
| author_facet | Schlachetzki, Andreas 1938- |
| author_role | aut |
| author_sort | Schlachetzki, Andreas 1938- |
| author_variant | a s as |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV042438645 |
| classification_tum | DAT 000 TEC 000 |
| collection | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD |
| ctrlnum | (OCoLC)864069744 (DE-599)BVBBV042438645 |
| dewey-full | 620 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 620 - Engineering and allied operations |
| dewey-raw | 620 |
| dewey-search | 620 |
| dewey-sort | 3620 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Technik Technik Informatik |
| doi_str_mv | 10.1007/978-3-663-10245-8 |
| format | Electronic eBook |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03383nmm a2200493zcb4500</leader><controlfield tag="001">BV042438645</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200310 </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">150320s1984 |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783663102458</subfield><subfield code="c">Online</subfield><subfield code="9">978-3-663-10245-8</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783519000990</subfield><subfield code="c">Print</subfield><subfield code="9">978-3-519-00099-0</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.1007/978-3-663-10245-8</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)864069744</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV042438645</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">aacr</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-573</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-1047</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DAT 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">TEC 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schlachetzki, Andreas</subfield><subfield code="d">1938-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)133869768</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik</subfield><subfield code="b">Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren</subfield><subfield code="c">von Andreas Schlachetzki</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wiesbaden</subfield><subfield code="b">Vieweg+Teubner Verlag</subfield><subfield code="c">1984</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource (261 S.)</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Teubner Studienskripten</subfield><subfield code="v">99</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfähigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu erzeugen. Es folgte eine Periode stürmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Frequenzen dominierenden Röhren auf spezielle Hochleistungsanwendungen abdrängten. Darüberhinaus wurden für Halbleiter Frequenzbereiche erschlossen, die bisher unzugänglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente für das Mikrowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer höheren Frequenzen vorstoßen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschränkung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heißen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halbleiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemente, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transistoren gehören ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfügbar sind und damit weit in das hier interessierende Frequenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering, general</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Ingenieurwissenschaften</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochfrequenztechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4025202-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Hochfrequenztechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4025202-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Teubner Studienskripten</subfield><subfield code="v">99</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV035416840</subfield><subfield code="9">99</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.1007/978-3-663-10245-8</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-2-STI</subfield><subfield code="a">ZDB-2-BAD</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_Archive</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873975</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV042438645 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T01:21:41Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783663102458 9783519000990 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873975 |
| oclc_num | 864069744 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-706 DE-1046 DE-1047 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-706 DE-1046 DE-1047 |
| physical | 1 Online-Ressource (261 S.) |
| psigel | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD ZDB-2-STI_Archive |
| publishDate | 1984 |
| publishDateSearch | 1984 |
| publishDateSort | 1984 |
| publisher | Vieweg+Teubner Verlag |
| record_format | marc |
| series | Teubner Studienskripten |
| series2 | Teubner Studienskripten |
| spelling | Schlachetzki, Andreas 1938- Verfasser (DE-588)133869768 aut Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren von Andreas Schlachetzki Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 1984 1 Online-Ressource (261 S.) txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Teubner Studienskripten 99 Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfähigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu erzeugen. Es folgte eine Periode stürmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Frequenzen dominierenden Röhren auf spezielle Hochleistungsanwendungen abdrängten. Darüberhinaus wurden für Halbleiter Frequenzbereiche erschlossen, die bisher unzugänglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente für das Mikrowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer höheren Frequenzen vorstoßen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschränkung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heißen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halbleiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemente, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transistoren gehören ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfügbar sind und damit weit in das hier interessierende Frequenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Hochfrequenztechnik (DE-588)4025202-4 gnd rswk-swf Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf Hochfrequenztechnik (DE-588)4025202-4 s Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s 1\p DE-604 Teubner Studienskripten 99 (DE-604)BV035416840 99 https://doi.org/10.1007/978-3-663-10245-8 Verlag Volltext 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Schlachetzki, Andreas 1938- Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren Teubner Studienskripten Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Hochfrequenztechnik (DE-588)4025202-4 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4025202-4 (DE-588)4113826-0 |
| title | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren |
| title_auth | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren |
| title_exact_search | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren |
| title_full | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren von Andreas Schlachetzki |
| title_fullStr | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren von Andreas Schlachetzki |
| title_full_unstemmed | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren von Andreas Schlachetzki |
| title_short | Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik |
| title_sort | halbleiterbauelemente der hochfrequenztechnik laufzeitdioden gunn elemente mikrowellen feldeffekttransistoren |
| title_sub | Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren |
| topic | Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Hochfrequenztechnik (DE-588)4025202-4 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd |
| topic_facet | Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Hochfrequenztechnik Halbleiterbauelement |
| url | https://doi.org/10.1007/978-3-663-10245-8 |
| volume_link | (DE-604)BV035416840 |
| work_keys_str_mv | AT schlachetzkiandreas halbleiterbauelementederhochfrequenztechniklaufzeitdiodengunnelementemikrowellenfeldeffekttransistoren |