Silizium-Halbleitertechnologie:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Elektronisch E-Book |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Wiesbaden
Vieweg+Teubner Verlag
1996
|
| Schriftenreihe: | Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik
149 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Beschreibung: | Das vorliegende Studien skript "Silizium-Halbleitertechnologie" ist aus der Vorlesung "Halbleitertechnologie" entstanden, die erstmalig im Wintersemester 1989/90 von Prof. Dr.-Ing. K. Schumacher an der Universität Dortmund gehalten wurde. Um die rasante Entwicklung der Prozeßtechnik berücksichtigen zu können, ist der Inhalt der inzwischen auf zwei Semester ausgedehnten Vorlesung um fortschrittliche Integrationstechniken erweitert worden. Ziel dieses Buches ist es, den Studenten der Elektrotechnik, Informatik, Physik, aber auch den Schaltungstechnikem und den Ingenieuren in der Prozeßtechnik, die Realisierung und den Aufbau integrierter Schaltungen zu veranschaulichen. Es umfaßt die Kristallherstellung, die verschiedenen Prozeßschritte der Planartechnik und die Montagetechnik für integrierte Schaltungen. Ergänzend dazu sind grundlegende weiterführende Integrationstechniken berücksichtigt worden, um dem interessierten Leser die Verfahren der Höchstintegration verständlich darlegen zu können. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Eigene Erfahrungen aus der CMOS-Technologielinie des Lehrstuhls Bauelemente der Elektrotechnik / Arbeitsgebiet Mikroelektronik der Universität Dortmund runden den Inhalt des Buches ab. An dieser Stelle möchte ich Herrn Prof. K. Schumacher herzlich für die gewissenhafte Ausarbeitung der Unterlagen zur Vorlesung "Halbleitertechnologie" danken, die als Grundlage für dieses Buch dienten. Für die Durchsicht der Druckvorlage danke ich Herrn Dipl.-Ing. John T. Horstmann. Mein Dank gilt auch Herrn Prof. K. Goser für die Möglichkeit, dieses Buch zu verfassen. Ganz herzlich danke ich meiner Familie für ihre Unterstützung während der zeitintensiven Ausarbeitung der Unterlagen. |
| Beschreibung: | 1 Online-Ressource (XI, 280 S.) |
| ISBN: | 9783663058533 9783519001492 |
| DOI: | 10.1007/978-3-663-05853-3 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nmm a2200000zcb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV042438438 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20200604 | ||
| 007 | cr|uuu---uuuuu | ||
| 008 | 150320s1996 |||| o||u| ||||||ger d | ||
| 020 | |a 9783663058533 |c Online |9 978-3-663-05853-3 | ||
| 020 | |a 9783519001492 |c Print |9 978-3-519-00149-2 | ||
| 024 | 7 | |a 10.1007/978-3-663-05853-3 |2 doi | |
| 035 | |a (OCoLC)863871208 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV042438438 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e aacr | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-634 |a DE-92 |a DE-573 |a DE-706 |a DE-860 |a DE-1046 |a DE-Aug4 | ||
| 082 | 0 | |a 621.381 |2 23 | |
| 082 | 0 | |a 620 |2 23 | |
| 084 | |a ZN 3460 |0 (DE-625)157317: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4100 |0 (DE-625)157351: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4800 |0 (DE-625)157408: |2 rvk | ||
| 084 | |a UP 3100 |0 (DE-625)146372: |2 rvk | ||
| 084 | |a DAT 000 |2 stub | ||
| 084 | |a ELT 270f |2 stub | ||
| 084 | |a TEC 000 |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Hilleringmann, Ulrich |e Verfasser |0 (DE-588)136888992 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Silizium-Halbleitertechnologie |c von Ulrich Hilleringmann |
| 264 | 1 | |a Wiesbaden |b Vieweg+Teubner Verlag |c 1996 | |
| 300 | |a 1 Online-Ressource (XI, 280 S.) | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b c |2 rdamedia | ||
| 338 | |b cr |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik |v 149 | |
| 500 | |a Das vorliegende Studien skript "Silizium-Halbleitertechnologie" ist aus der Vorlesung "Halbleitertechnologie" entstanden, die erstmalig im Wintersemester 1989/90 von Prof. Dr.-Ing. K. Schumacher an der Universität Dortmund gehalten wurde. Um die rasante Entwicklung der Prozeßtechnik berücksichtigen zu können, ist der Inhalt der inzwischen auf zwei Semester ausgedehnten Vorlesung um fortschrittliche Integrationstechniken erweitert worden. Ziel dieses Buches ist es, den Studenten der Elektrotechnik, Informatik, Physik, aber auch den Schaltungstechnikem und den Ingenieuren in der Prozeßtechnik, die Realisierung und den Aufbau integrierter Schaltungen zu veranschaulichen. Es umfaßt die Kristallherstellung, die verschiedenen Prozeßschritte der Planartechnik und die Montagetechnik für integrierte Schaltungen. Ergänzend dazu sind grundlegende weiterführende Integrationstechniken berücksichtigt worden, um dem interessierten Leser die Verfahren der Höchstintegration verständlich darlegen zu können. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Eigene Erfahrungen aus der CMOS-Technologielinie des Lehrstuhls Bauelemente der Elektrotechnik / Arbeitsgebiet Mikroelektronik der Universität Dortmund runden den Inhalt des Buches ab. An dieser Stelle möchte ich Herrn Prof. K. Schumacher herzlich für die gewissenhafte Ausarbeitung der Unterlagen zur Vorlesung "Halbleitertechnologie" danken, die als Grundlage für dieses Buch dienten. Für die Durchsicht der Druckvorlage danke ich Herrn Dipl.-Ing. John T. Horstmann. Mein Dank gilt auch Herrn Prof. K. Goser für die Möglichkeit, dieses Buch zu verfassen. Ganz herzlich danke ich meiner Familie für ihre Unterstützung während der zeitintensiven Ausarbeitung der Unterlagen. | ||
| 650 | 4 | |a Electronics and Microelectronics, Instrumentation | |
| 650 | 4 | |a Circuits and Systems | |
| 650 | 4 | |a Electronic Circuits and Devices | |
| 650 | 4 | |a Semiconductors | |
| 650 | 4 | |a Engineering | |
| 650 | 4 | |a Engineering, general | |
| 650 | 4 | |a Ingenieurwissenschaften | |
| 650 | 4 | |a Electronics | |
| 650 | 4 | |a Systems engineering | |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |D s |
| 689 | 1 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik |v 149 |w (DE-604)BV035416840 |9 149 | |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3 |x Verlag |3 Volltext |
| 912 | |a ZDB-2-STI |a ZDB-2-BAD | ||
| 940 | 1 | |q ZDB-2-STI_Archive | |
| 940 | 1 | |q ZDB-2-STI_1990/1999 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873767 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804153128330723328 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Hilleringmann, Ulrich |
| author_GND | (DE-588)136888992 |
| author_facet | Hilleringmann, Ulrich |
| author_role | aut |
| author_sort | Hilleringmann, Ulrich |
| author_variant | u h uh |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV042438438 |
| classification_rvk | ZN 3460 ZN 4100 ZN 4800 UP 3100 |
| classification_tum | DAT 000 ELT 270f TEC 000 |
| collection | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD |
| ctrlnum | (OCoLC)863871208 (DE-599)BVBBV042438438 |
| dewey-full | 621.381 620 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 621 - Applied physics 620 - Engineering and allied operations |
| dewey-raw | 621.381 620 |
| dewey-search | 621.381 620 |
| dewey-sort | 3621.381 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Physik Technik Technik Informatik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| doi_str_mv | 10.1007/978-3-663-05853-3 |
| format | Electronic eBook |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>04355nmm a2200685zcb4500</leader><controlfield tag="001">BV042438438</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200604 </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">150320s1996 |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783663058533</subfield><subfield code="c">Online</subfield><subfield code="9">978-3-663-05853-3</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783519001492</subfield><subfield code="c">Print</subfield><subfield code="9">978-3-519-00149-2</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.1007/978-3-663-05853-3</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)863871208</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV042438438</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">aacr</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-573</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-Aug4</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.381</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 3460</subfield><subfield code="0">(DE-625)157317:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4100</subfield><subfield code="0">(DE-625)157351:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DAT 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">TEC 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Hilleringmann, Ulrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)136888992</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silizium-Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="c">von Ulrich Hilleringmann</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wiesbaden</subfield><subfield code="b">Vieweg+Teubner Verlag</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource (XI, 280 S.)</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik</subfield><subfield code="v">149</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Das vorliegende Studien skript "Silizium-Halbleitertechnologie" ist aus der Vorlesung "Halbleitertechnologie" entstanden, die erstmalig im Wintersemester 1989/90 von Prof. Dr.-Ing. K. Schumacher an der Universität Dortmund gehalten wurde. Um die rasante Entwicklung der Prozeßtechnik berücksichtigen zu können, ist der Inhalt der inzwischen auf zwei Semester ausgedehnten Vorlesung um fortschrittliche Integrationstechniken erweitert worden. Ziel dieses Buches ist es, den Studenten der Elektrotechnik, Informatik, Physik, aber auch den Schaltungstechnikem und den Ingenieuren in der Prozeßtechnik, die Realisierung und den Aufbau integrierter Schaltungen zu veranschaulichen. Es umfaßt die Kristallherstellung, die verschiedenen Prozeßschritte der Planartechnik und die Montagetechnik für integrierte Schaltungen. Ergänzend dazu sind grundlegende weiterführende Integrationstechniken berücksichtigt worden, um dem interessierten Leser die Verfahren der Höchstintegration verständlich darlegen zu können. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Eigene Erfahrungen aus der CMOS-Technologielinie des Lehrstuhls Bauelemente der Elektrotechnik / Arbeitsgebiet Mikroelektronik der Universität Dortmund runden den Inhalt des Buches ab. An dieser Stelle möchte ich Herrn Prof. K. Schumacher herzlich für die gewissenhafte Ausarbeitung der Unterlagen zur Vorlesung "Halbleitertechnologie" danken, die als Grundlage für dieses Buch dienten. Für die Durchsicht der Druckvorlage danke ich Herrn Dipl.-Ing. John T. Horstmann. Mein Dank gilt auch Herrn Prof. K. Goser für die Möglichkeit, dieses Buch zu verfassen. Ganz herzlich danke ich meiner Familie für ihre Unterstützung während der zeitintensiven Ausarbeitung der Unterlagen.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics and Microelectronics, Instrumentation</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Circuits and Systems</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronic Circuits and Devices</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Semiconductors</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering, general</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Ingenieurwissenschaften</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Systems engineering</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik</subfield><subfield code="v">149</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV035416840</subfield><subfield code="9">149</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-2-STI</subfield><subfield code="a">ZDB-2-BAD</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_Archive</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_1990/1999</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873767</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV042438438 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T01:21:41Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783663058533 9783519001492 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027873767 |
| oclc_num | 863871208 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-706 DE-860 DE-1046 DE-Aug4 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-706 DE-860 DE-1046 DE-Aug4 |
| physical | 1 Online-Ressource (XI, 280 S.) |
| psigel | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD ZDB-2-STI_Archive ZDB-2-STI_1990/1999 |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | Vieweg+Teubner Verlag |
| record_format | marc |
| series | Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik |
| series2 | Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik |
| spelling | Hilleringmann, Ulrich Verfasser (DE-588)136888992 aut Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 1996 1 Online-Ressource (XI, 280 S.) txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik 149 Das vorliegende Studien skript "Silizium-Halbleitertechnologie" ist aus der Vorlesung "Halbleitertechnologie" entstanden, die erstmalig im Wintersemester 1989/90 von Prof. Dr.-Ing. K. Schumacher an der Universität Dortmund gehalten wurde. Um die rasante Entwicklung der Prozeßtechnik berücksichtigen zu können, ist der Inhalt der inzwischen auf zwei Semester ausgedehnten Vorlesung um fortschrittliche Integrationstechniken erweitert worden. Ziel dieses Buches ist es, den Studenten der Elektrotechnik, Informatik, Physik, aber auch den Schaltungstechnikem und den Ingenieuren in der Prozeßtechnik, die Realisierung und den Aufbau integrierter Schaltungen zu veranschaulichen. Es umfaßt die Kristallherstellung, die verschiedenen Prozeßschritte der Planartechnik und die Montagetechnik für integrierte Schaltungen. Ergänzend dazu sind grundlegende weiterführende Integrationstechniken berücksichtigt worden, um dem interessierten Leser die Verfahren der Höchstintegration verständlich darlegen zu können. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Eigene Erfahrungen aus der CMOS-Technologielinie des Lehrstuhls Bauelemente der Elektrotechnik / Arbeitsgebiet Mikroelektronik der Universität Dortmund runden den Inhalt des Buches ab. An dieser Stelle möchte ich Herrn Prof. K. Schumacher herzlich für die gewissenhafte Ausarbeitung der Unterlagen zur Vorlesung "Halbleitertechnologie" danken, die als Grundlage für dieses Buch dienten. Für die Durchsicht der Druckvorlage danke ich Herrn Dipl.-Ing. John T. Horstmann. Mein Dank gilt auch Herrn Prof. K. Goser für die Möglichkeit, dieses Buch zu verfassen. Ganz herzlich danke ich meiner Familie für ihre Unterstützung während der zeitintensiven Ausarbeitung der Unterlagen. Electronics and Microelectronics, Instrumentation Circuits and Systems Electronic Circuits and Devices Semiconductors Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Electronics Systems engineering Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s 1\p DE-604 Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik 149 (DE-604)BV035416840 149 https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3 Verlag Volltext 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Hilleringmann, Ulrich Silizium-Halbleitertechnologie Teubner Studienskripten (TSS). Elektrotechnik Electronics and Microelectronics, Instrumentation Circuits and Systems Electronic Circuits and Devices Semiconductors Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Electronics Systems engineering Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4274465-9 (DE-588)4158814-9 (DE-588)4077445-4 |
| title | Silizium-Halbleitertechnologie |
| title_auth | Silizium-Halbleitertechnologie |
| title_exact_search | Silizium-Halbleitertechnologie |
| title_full | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
| title_fullStr | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
| title_full_unstemmed | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
| title_short | Silizium-Halbleitertechnologie |
| title_sort | silizium halbleitertechnologie |
| topic | Electronics and Microelectronics, Instrumentation Circuits and Systems Electronic Circuits and Devices Semiconductors Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Electronics Systems engineering Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Electronics and Microelectronics, Instrumentation Circuits and Systems Electronic Circuits and Devices Semiconductors Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Electronics Systems engineering Siliciumhalbleiter Halbleitertechnologie Silicium |
| url | https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3 |
| volume_link | (DE-604)BV035416840 |
| work_keys_str_mv | AT hilleringmannulrich siliziumhalbleitertechnologie |