Grundlagen der Halbleiter-Elektronik:
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Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1987
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Ausgabe: | Fünfte, durchgesehene Auflage |
Schriftenreihe: | Halbleiter-Elektronik
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Beschreibung: | Unter Halbleitern versteht man die Elemente oder Verbindungen, deren spezifischer Widerstand zwischen dem der Metalle und dem der Isola 4 12 toren liegt, d.h., Werte zwischen etwa 10- und 10+ n cm hat. Abb. 1 zeigt den spezifischen Widerstand einiger Elemente und Verbindungen. 10~ Sial Qcm 10'6 ( (Diamant) 10'1 hochreines GoAs CdS 10 1 I hochreines Si Q, - ---- 10' hochreines Ge Si GaAs Ge 10··1---- I----(u Abb. 1. Spezifischer Widerstand e verschiedener Stoffe bei Zimmertemperatur. Bei den heute technisch bedeutsamen Halbleitern Silizium (Si), Ger manium (Ge), Galliumarsenid (GaAs) usw. erfolgt der Ladungstransport durch Elektronen, weshalb diese auch elektronische Halbleiter genannt werden, im Gegensatz zu den Ionenhalbleitern, bei denen mit dem elek trischen Strom ein Materialtransport verbunden ist. 17 55 I Mrd I I DM I I 50 I I 45 I I I I I 40 / / / / / ~ 35 ;:7/ / 30 V 25 / / / / / / 20 ~ ~ i/ ,/~ ~~ /' 15 ~- USA ~ = ..,.." .... .,,"'" ~~ ~~ ~ 10 Japan V V- V Bundesrepublik r~~~~F--- - o 1979 BO BI B2 B3 B4 B5 Abb.2. Jahresumsatz der Halbleiter-Bauelemente [Quelle: Siemens]. Es ist bemerkenswert, daß der Anteil der BRDeutschland in den Jahren von 1979 bis 1983 von nahezu 10 % auf etwa 5 % zurückgegangen ist |
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