Grundlagen der Halbleiter-Elektronik:
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Müller, Rudolf (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin, Heidelberg Springer Berlin Heidelberg 1987
Ausgabe:Fünfte, durchgesehene Auflage
Schriftenreihe:Halbleiter-Elektronik 1
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Beschreibung:Unter Halbleitern versteht man die Elemente oder Verbindungen, deren spezifischer Widerstand zwischen dem der Metalle und dem der Isola­ 4 12 toren liegt, d.h., Werte zwischen etwa 10- und 10+ n cm hat. Abb. 1 zeigt den spezifischen Widerstand einiger Elemente und Verbindungen. 10~ Sial Qcm 10'6 ( (Diamant) 10'1 hochreines GoAs CdS 10 1 I hochreines Si Q, - ---- 10' hochreines Ge Si GaAs Ge 10··1---- I----(u Abb. 1. Spezifischer Widerstand e verschiedener Stoffe bei Zimmertemperatur. Bei den heute technisch bedeutsamen Halbleitern Silizium (Si), Ger­ manium (Ge), Galliumarsenid (GaAs) usw. erfolgt der Ladungstransport durch Elektronen, weshalb diese auch elektronische Halbleiter genannt werden, im Gegensatz zu den Ionenhalbleitern, bei denen mit dem elek­ trischen Strom ein Materialtransport verbunden ist. 17 55 I Mrd I I DM I I 50 I I 45 I I I I I 40 / / / / / ~ 35 ;:7/ / 30 V 25 / / / / / / 20 ~ ~ i/ ,/~ ~~ /' 15 ~- USA ~ = ..,.." .... .,,"'" ~~ ~~ ~ 10 Japan V V- V Bundesrepublik r~~~~F--- - o 1979 BO BI B2 B3 B4 B5 Abb.2. Jahresumsatz der Halbleiter-Bauelemente [Quelle: Siemens]. Es ist bemerkenswert, daß der Anteil der BRDeutschland in den Jahren von 1979 bis 1983 von nahezu 10 % auf etwa 5 % zurückgegangen ist
Beschreibung:1 Online-Ressource (205 S.)
ISBN:9783662075814
9783540180418
ISSN:0172-5882
DOI:10.1007/978-3-662-07581-4

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