GaAs-Feldeffekttransistoren:
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1. Verfasser: | |
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Format: | Elektronisch E-Book |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1985
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Schriftenreihe: | Halbleiter-Elektronik, Eine aktuelle Buchreihe für Studierende und Ingenieure
16 |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Beschreibung: | Die zunehmende Bedeutung von Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren als vielseitig einsetzbare Bauelemente in der Mikrowellentechnik und als Grundelemente integrierter Schaltungen gab den Anlaß, diesem Bauelement einen eigenen Band der Reihe "Halbleiter-Elektronik" zu widmen. Hierin werden zunächst die Grundlagen und die Theorie des Stromtransports allgemein für Hochfrequenz-FET behandelt. Kleinsignalverhalten, Rauschen, Großsignalverhalten (FET als Leistungsverstärker), Technologie und Zuverlässigkeit werden am Beispiel des Galliumarsenid Feldeffekttransistors dargestellt. Die Schlußkapitel bieten einen Ausblick auf neuere Technologie und Materialien für Feldeffekttransistoren sowie auf integrierte Schaltungen. Das Buch wendet sich an Ingenieure, Naturwissenschaftler und Studenten, die sich in die Thematik der Feldeffekttransistoren auf Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid oder Indiumphosphid einlesen oder einarbeiten wollen. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, wie sie beispielsweise in Band 1 dieser Reihe dargestellt ist. Unser Dank gilt den Herren Prof. Dr. Walter Heywang, Prof. Dr. Rudolf Müller und Dr. Jan-Erik Müller für kritische Anmerkungen zum Manuskript. Den Herren Dr. Herbert Weidlich und Dr. Ewald Pettenpaul danken wir für die Bereitstellung von Meßergebnissen an Kleinsignal-FET, Frau Jutta Striedacher und Frau Barbara Hauser für das Schreiben des Manuskripts sowie dem Springer-Verlag für die sorgfältige Gestaltung des Buches. München, im Oktober 1984 W. Kellner, H. Kniepkamp 5 Inhaltsverzeichnis Bezeichnungen und Symbole. . . . . . . . . . . . . . 11 . . Einleitung 17 2 Grundlagen 1 9 2.1 Prinzip des FET. |
Beschreibung: | 1 Online-Ressource (277 S.) |
ISBN: | 9783662073636 9783540137634 |
ISSN: | 0172-5882 |
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