Bänderstruktur und Stromtransport:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Elektronisch E-Book |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1976
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Schriftenreihe: | Halbleiter-Elektronik
3 |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Beschreibung: | Der vorliegende dritte Band der Buchreihe "Halbleiterelektronik" soll den in den beiden Einführungsbanden gegebenen Überblick hinsichtlich der fundamentalen physikalischen Eigenschaften vertiefen. So werden ebenso wie im folgenden Technologieband Fragen behandelt, die für alle Halbleiterbauelemente wesentlich sind. So basiert der an Bedeutung rasant zunehmende Komplex der opto elektronischen Bauelemente auf den Begriffen der direkten und indirekten Band-Band-Übergange und auf der spezifischen Wirkungsweise flacher und tiefer Störstellen. Die auf dem Gunneffekt beruhenden Mikrowellengeneratoren und -Verstärker können nur auf Grund eines fundierten Einblickes in die Struktur der Energiebänder verstanden werden. Für die Feldeffekttransistoren ist die Bandstruktur im Kanal nahe der Halbleiteroberflache von großer Bedeutung. Darüber hinaus aber sind es die heHlen Elektronen, die die Wirkungsweise der bereits erwähnten Halbleiterbauelemente ebenso wie die von modernen Bipolartransistoren und Lawinenlaufzeitdioden entscheidend beeinflussen. Ziel des vorliegenden Bandes ist die Erarbeitung eines vertieften, über das rein Formale hinausgehenden Verständnisses der eben angesprochenen Fragen. Da der Ingenieur und der anwendungsorientierte Physiker bevorzugt angesprochen werden sollen, war auf die Anschaulichkeit bei der Erfassung der Begriffe und bei den physikalischen Begründungen der allergrößte Wert zu legen. Nur so bleiben die Überlegungen im Gedächtnis haften und werden zu einem stets verfügbaren gedanklichen Werkzeug. Nirgends konnte dabei Vollständigkeit angestrebt werden. Sowohl die Auswahl des Stoffes als auch die der zitierten Literaturstellen erfolgte nach didaktischen Gesichtspunkten 7, weshalb Fragen der Priorität außer Acht gelassen werden mußten |
Beschreibung: | 1 Online-Ressource |
ISBN: | 9783642963087 9783540075653 |
ISSN: | 0172-5882 |
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spelling | Heywang, Walter Verfasser aut Bänderstruktur und Stromtransport von Walter Heywang, Hans Wolfgang Pötzl Berlin, Heidelberg Springer Berlin Heidelberg 1976 1 Online-Ressource txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Halbleiter-Elektronik 3 0172-5882 Der vorliegende dritte Band der Buchreihe "Halbleiterelektronik" soll den in den beiden Einführungsbanden gegebenen Überblick hinsichtlich der fundamentalen physikalischen Eigenschaften vertiefen. So werden ebenso wie im folgenden Technologieband Fragen behandelt, die für alle Halbleiterbauelemente wesentlich sind. So basiert der an Bedeutung rasant zunehmende Komplex der opto elektronischen Bauelemente auf den Begriffen der direkten und indirekten Band-Band-Übergange und auf der spezifischen Wirkungsweise flacher und tiefer Störstellen. Die auf dem Gunneffekt beruhenden Mikrowellengeneratoren und -Verstärker können nur auf Grund eines fundierten Einblickes in die Struktur der Energiebänder verstanden werden. Für die Feldeffekttransistoren ist die Bandstruktur im Kanal nahe der Halbleiteroberflache von großer Bedeutung. Darüber hinaus aber sind es die heHlen Elektronen, die die Wirkungsweise der bereits erwähnten Halbleiterbauelemente ebenso wie die von modernen Bipolartransistoren und Lawinenlaufzeitdioden entscheidend beeinflussen. Ziel des vorliegenden Bandes ist die Erarbeitung eines vertieften, über das rein Formale hinausgehenden Verständnisses der eben angesprochenen Fragen. Da der Ingenieur und der anwendungsorientierte Physiker bevorzugt angesprochen werden sollen, war auf die Anschaulichkeit bei der Erfassung der Begriffe und bei den physikalischen Begründungen der allergrößte Wert zu legen. Nur so bleiben die Überlegungen im Gedächtnis haften und werden zu einem stets verfügbaren gedanklichen Werkzeug. Nirgends konnte dabei Vollständigkeit angestrebt werden. Sowohl die Auswahl des Stoffes als auch die der zitierten Literaturstellen erfolgte nach didaktischen Gesichtspunkten 7, weshalb Fragen der Priorität außer Acht gelassen werden mußten Engineering Engineering, general Ingenieurwissenschaften Elektronischer Transport (DE-588)4210733-7 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd rswk-swf Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd rswk-swf Transportprozess (DE-588)4185932-7 gnd rswk-swf Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf Elektrizitätsleitung (DE-588)4151747-7 gnd rswk-swf Elektronentransport (DE-588)4014344-2 gnd rswk-swf Elektrische Leitung (DE-588)4014201-2 gnd rswk-swf Bandstruktur (DE-588)4143994-6 gnd rswk-swf Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd rswk-swf Bändermodell (DE-588)4143892-9 gnd rswk-swf Ladungstransport (DE-588)4166400-0 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 s Bändermodell (DE-588)4143892-9 s Ladungsträger (DE-588)4166397-4 s Transportprozess (DE-588)4185932-7 s Elektrizitätsleitung (DE-588)4151747-7 s 1\p DE-604 Bandstruktur (DE-588)4143994-6 s Elektronischer Transport (DE-588)4210733-7 s 2\p DE-604 Ladungstransport (DE-588)4166400-0 s 3\p DE-604 Elektrische Leitung (DE-588)4014201-2 s 4\p DE-604 Elektronentransport (DE-588)4014344-2 s 5\p DE-604 Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 s 6\p DE-604 Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s 7\p DE-604 Pötzl, Hans 1930-1993 Sonstige (DE-588)137612192 oth Halbleiter-Elektronik 3 (DE-604)BV035415828 3 https://doi.org/10.1007/978-3-642-96308-7 Verlag Volltext 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 2\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 3\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 4\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 5\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 6\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 7\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
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