Silizium-Halbleitertechnologie:
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hilleringmann, Ulrich (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 2002
Ausgabe:3. überarbeitete und ergänzte Auflage
Schriftenreihe:Silizium-Halbleitertechnologie
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Beschreibung:Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Schaltungshersteller erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrotechnologie, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die überarbeitete und ergänzte 3. Auflage enthält zusätzliche Abschnitte zur Fotolithografie, zur Ätztechnik und zum chemisch-mechanischen Polieren
Beschreibung:1 Online-Ressource (XIII, 309S. 157 Abb)
ISBN:9783322941190
9783519201496
DOI:10.1007/978-3-322-94119-0

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