Holdings: Silizium-Halbleitertechnologie

Silizium-Halbleitertechnologie:

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Hilleringmann, Ulrich (Author)
Format:	Electronic eBook
Language:	German
Published:	Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 2004
Edition:	4., durchgesehene und ergänzte Auflage
Series:	Teubner Studienskripten Soziologie
Subjects:	Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter Silicium Halbleitertechnologie
Online Access:	Volltext
Item Description:	Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003
Physical Description:	1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)
ISBN:	9783322940728 9783519301493
DOI:	10.1007/978-3-322-94072-8

Staff View

MARC


LEADER	00000nmm a2200000zc 4500
001	BV042430885
003	DE-604
005	20200604
007	cr\|uuu---uuuuu
008	150320s2004 \|\|\|\| o\|\|u\| \|\|\|\|\|\|ger d
020			\|a 9783322940728 \|c Online \|9 978-3-322-94072-8
020			\|a 9783519301493 \|c Print \|9 978-3-519-30149-3
024	7		\|a 10.1007/978-3-322-94072-8 \|2 doi
035			\|a (OCoLC)863880449
035			\|a (DE-599)BVBBV042430885
040			\|a DE-604 \|b ger \|e aacr
041	0		\|a ger
049			\|a DE-91 \|a DE-634 \|a DE-92 \|a DE-573 \|a DE-Aug4 \|a DE-860 \|a DE-1046 \|a DE-706 \|a DE-703 \|a DE-1028 \|a DE-83
082	0		\|a 621.381 \|2 23
084			\|a ZN 3460 \|0 (DE-625)157317: \|2 rvk
084			\|a ZN 4100 \|0 (DE-625)157351: \|2 rvk
084			\|a ZN 4800 \|0 (DE-625)157408: \|2 rvk
084			\|a UP 3100 \|0 (DE-625)146372: \|2 rvk
084			\|a DAT 000 \|2 stub
084			\|a ELT 270f \|2 stub
084			\|a TEC 000 \|2 stub
100	1		\|a Hilleringmann, Ulrich \|e Verfasser \|0 (DE-588)136888992 \|4 aut
245	1	0	\|a Silizium-Halbleitertechnologie \|c von Ulrich Hilleringmann
250			\|a 4., durchgesehene und ergänzte Auflage
264		1	\|a Wiesbaden \|b Vieweg+Teubner Verlag \|c 2004
300			\|a 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b c \|2 rdamedia
338			\|b cr \|2 rdacarrier
490	0		\|a Teubner Studienskripten Soziologie
500			\|a Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003
650		4	\|a Engineering
650		4	\|a Electronics
650		4	\|a Electronics and Microelectronics, Instrumentation
650		4	\|a Ingenieurwissenschaften
650	0	7	\|a Siliciumhalbleiter \|0 (DE-588)4274465-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Silicium \|0 (DE-588)4077445-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleitertechnologie \|0 (DE-588)4158814-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
689	0	0	\|a Silicium \|0 (DE-588)4077445-4 \|D s
689	0	1	\|a Halbleitertechnologie \|0 (DE-588)4158814-9 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a Siliciumhalbleiter \|0 (DE-588)4274465-9 \|D s
689	1		\|8 1\p \|5 DE-604
856	4	0	\|u https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8 \|x Verlag \|3 Volltext
912			\|a ZDB-2-STI \|a ZDB-2-BAD
940	1		\|q ZDB-2-STI_Archive
940	1		\|q ZDB-2-STI_2000/2004
999			\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216
883	1		\|8 1\p \|a cgwrk \|d 20201028 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk

Record in the Search Index

_version_	1804153113341329408
any_adam_object
author	Hilleringmann, Ulrich
author_GND	(DE-588)136888992
author_facet	Hilleringmann, Ulrich
author_role	aut
author_sort	Hilleringmann, Ulrich
author_variant	u h uh
building	Verbundindex
bvnumber	BV042430885
classification_rvk	ZN 3460 ZN 4100 ZN 4800 UP 3100
classification_tum	DAT 000 ELT 270f TEC 000
collection	ZDB-2-STI ZDB-2-BAD
ctrlnum	(OCoLC)863880449 (DE-599)BVBBV042430885
dewey-full	621.381
dewey-hundreds	600 - Technology (Applied sciences)
dewey-ones	621 - Applied physics
dewey-raw	621.381
dewey-search	621.381
dewey-sort	3621.381
dewey-tens	620 - Engineering and allied operations
discipline	Physik Technik Technik Informatik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
doi_str_mv	10.1007/978-3-322-94072-8
edition	4., durchgesehene und ergänzte Auflage
format	Electronic eBook
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03263nmm a2200613zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV042430885</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200604 </controlfield><controlfield tag="007">cr\|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">150320s2004 \|\|\|\| o\|\|u\| \|\|\|\|\|\|ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783322940728</subfield><subfield code="c">Online</subfield><subfield code="9">978-3-322-94072-8</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783519301493</subfield><subfield code="c">Print</subfield><subfield code="9">978-3-519-30149-3</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.1007/978-3-322-94072-8</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)863880449</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV042430885</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">aacr</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-573</subfield><subfield code="a">DE-Aug4</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-1028</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.381</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 3460</subfield><subfield code="0">(DE-625)157317:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4100</subfield><subfield code="0">(DE-625)157351:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DAT 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">TEC 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Hilleringmann, Ulrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)136888992</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silizium-Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="c">von Ulrich Hilleringmann</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">4., durchgesehene und ergänzte Auflage</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wiesbaden</subfield><subfield code="b">Vieweg+Teubner Verlag</subfield><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Teubner Studienskripten Soziologie</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics and Microelectronics, Instrumentation</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Ingenieurwissenschaften</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-2-STI</subfield><subfield code="a">ZDB-2-BAD</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_Archive</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_2000/2004</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection>
id	DE-604.BV042430885
illustrated	Not Illustrated
indexdate	2024-07-10T01:21:27Z
institution	BVB
isbn	9783322940728 9783519301493
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216
oclc_num	863880449
open_access_boolean
owner	DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-Aug4 DE-860 DE-1046 DE-706 DE-703 DE-1028 DE-83
owner_facet	DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-Aug4 DE-860 DE-1046 DE-706 DE-703 DE-1028 DE-83
physical	1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)
psigel	ZDB-2-STI ZDB-2-BAD ZDB-2-STI_Archive ZDB-2-STI_2000/2004
publishDate	2004
publishDateSearch	2004
publishDateSort	2004
publisher	Vieweg+Teubner Verlag
record_format	marc
series2	Teubner Studienskripten Soziologie
spelling	Hilleringmann, Ulrich Verfasser (DE-588)136888992 aut Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann 4., durchgesehene und ergänzte Auflage Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 2004 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb) txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Teubner Studienskripten Soziologie Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003 Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s 1\p DE-604 https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8 Verlag Volltext 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk
spellingShingle	Hilleringmann, Ulrich Silizium-Halbleitertechnologie Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd
subject_GND	(DE-588)4274465-9 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4158814-9
title	Silizium-Halbleitertechnologie
title_auth	Silizium-Halbleitertechnologie
title_exact_search	Silizium-Halbleitertechnologie
title_full	Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann
title_fullStr	Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann
title_full_unstemmed	Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann
title_short	Silizium-Halbleitertechnologie
title_sort	silizium halbleitertechnologie
topic	Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd
topic_facet	Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter Silicium Halbleitertechnologie
url	https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8
work_keys_str_mv	AT hilleringmannulrich siliziumhalbleitertechnologie

Holdings

There is no print copy available.

Interlibrary loan Place Request Caution: Not in THWS collection! Get full text

MARC

Record in the Search Index

There is no print copy available.

Similar Items