Silizium-Halbleitertechnologie:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Elektronisch E-Book |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Wiesbaden
Vieweg+Teubner Verlag
2004
|
Ausgabe: | 4., durchgesehene und ergänzte Auflage |
Schriftenreihe: | Teubner Studienskripten Soziologie
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Beschreibung: | Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003 |
Beschreibung: | 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb) |
ISBN: | 9783322940728 9783519301493 |
DOI: | 10.1007/978-3-322-94072-8 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nmm a2200000zc 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV042430885 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20200604 | ||
007 | cr|uuu---uuuuu | ||
008 | 150320s2004 |||| o||u| ||||||ger d | ||
020 | |a 9783322940728 |c Online |9 978-3-322-94072-8 | ||
020 | |a 9783519301493 |c Print |9 978-3-519-30149-3 | ||
024 | 7 | |a 10.1007/978-3-322-94072-8 |2 doi | |
035 | |a (OCoLC)863880449 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV042430885 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e aacr | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-91 |a DE-634 |a DE-92 |a DE-573 |a DE-Aug4 |a DE-860 |a DE-1046 |a DE-706 |a DE-703 |a DE-1028 |a DE-83 | ||
082 | 0 | |a 621.381 |2 23 | |
084 | |a ZN 3460 |0 (DE-625)157317: |2 rvk | ||
084 | |a ZN 4100 |0 (DE-625)157351: |2 rvk | ||
084 | |a ZN 4800 |0 (DE-625)157408: |2 rvk | ||
084 | |a UP 3100 |0 (DE-625)146372: |2 rvk | ||
084 | |a DAT 000 |2 stub | ||
084 | |a ELT 270f |2 stub | ||
084 | |a TEC 000 |2 stub | ||
100 | 1 | |a Hilleringmann, Ulrich |e Verfasser |0 (DE-588)136888992 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Silizium-Halbleitertechnologie |c von Ulrich Hilleringmann |
250 | |a 4., durchgesehene und ergänzte Auflage | ||
264 | 1 | |a Wiesbaden |b Vieweg+Teubner Verlag |c 2004 | |
300 | |a 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb) | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b c |2 rdamedia | ||
338 | |b cr |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Teubner Studienskripten Soziologie | |
500 | |a Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003 | ||
650 | 4 | |a Engineering | |
650 | 4 | |a Electronics | |
650 | 4 | |a Electronics and Microelectronics, Instrumentation | |
650 | 4 | |a Ingenieurwissenschaften | |
650 | 0 | 7 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
689 | 1 | 0 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |D s |
689 | 1 | |8 1\p |5 DE-604 | |
856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8 |x Verlag |3 Volltext |
912 | |a ZDB-2-STI |a ZDB-2-BAD | ||
940 | 1 | |q ZDB-2-STI_Archive | |
940 | 1 | |q ZDB-2-STI_2000/2004 | |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216 | ||
883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804153113341329408 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Hilleringmann, Ulrich |
author_GND | (DE-588)136888992 |
author_facet | Hilleringmann, Ulrich |
author_role | aut |
author_sort | Hilleringmann, Ulrich |
author_variant | u h uh |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV042430885 |
classification_rvk | ZN 3460 ZN 4100 ZN 4800 UP 3100 |
classification_tum | DAT 000 ELT 270f TEC 000 |
collection | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD |
ctrlnum | (OCoLC)863880449 (DE-599)BVBBV042430885 |
dewey-full | 621.381 |
dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
dewey-ones | 621 - Applied physics |
dewey-raw | 621.381 |
dewey-search | 621.381 |
dewey-sort | 3621.381 |
dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
discipline | Physik Technik Technik Informatik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
doi_str_mv | 10.1007/978-3-322-94072-8 |
edition | 4., durchgesehene und ergänzte Auflage |
format | Electronic eBook |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03263nmm a2200613zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV042430885</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200604 </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">150320s2004 |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783322940728</subfield><subfield code="c">Online</subfield><subfield code="9">978-3-322-94072-8</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783519301493</subfield><subfield code="c">Print</subfield><subfield code="9">978-3-519-30149-3</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.1007/978-3-322-94072-8</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)863880449</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV042430885</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">aacr</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-573</subfield><subfield code="a">DE-Aug4</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-1028</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.381</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 3460</subfield><subfield code="0">(DE-625)157317:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4100</subfield><subfield code="0">(DE-625)157351:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DAT 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">TEC 000</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Hilleringmann, Ulrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)136888992</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silizium-Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="c">von Ulrich Hilleringmann</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">4., durchgesehene und ergänzte Auflage</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wiesbaden</subfield><subfield code="b">Vieweg+Teubner Verlag</subfield><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Teubner Studienskripten Soziologie</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Engineering</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Electronics and Microelectronics, Instrumentation</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Ingenieurwissenschaften</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-2-STI</subfield><subfield code="a">ZDB-2-BAD</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_Archive</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">ZDB-2-STI_2000/2004</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
id | DE-604.BV042430885 |
illustrated | Not Illustrated |
indexdate | 2024-07-10T01:21:27Z |
institution | BVB |
isbn | 9783322940728 9783519301493 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027866216 |
oclc_num | 863880449 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-Aug4 DE-860 DE-1046 DE-706 DE-703 DE-1028 DE-83 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-634 DE-92 DE-573 DE-Aug4 DE-860 DE-1046 DE-706 DE-703 DE-1028 DE-83 |
physical | 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb) |
psigel | ZDB-2-STI ZDB-2-BAD ZDB-2-STI_Archive ZDB-2-STI_2000/2004 |
publishDate | 2004 |
publishDateSearch | 2004 |
publishDateSort | 2004 |
publisher | Vieweg+Teubner Verlag |
record_format | marc |
series2 | Teubner Studienskripten Soziologie |
spelling | Hilleringmann, Ulrich Verfasser (DE-588)136888992 aut Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann 4., durchgesehene und ergänzte Auflage Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 2004 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb) txt rdacontent c rdamedia cr rdacarrier Teubner Studienskripten Soziologie Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003 Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s 1\p DE-604 https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8 Verlag Volltext 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
spellingShingle | Hilleringmann, Ulrich Silizium-Halbleitertechnologie Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4274465-9 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4158814-9 |
title | Silizium-Halbleitertechnologie |
title_auth | Silizium-Halbleitertechnologie |
title_exact_search | Silizium-Halbleitertechnologie |
title_full | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
title_fullStr | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
title_full_unstemmed | Silizium-Halbleitertechnologie von Ulrich Hilleringmann |
title_short | Silizium-Halbleitertechnologie |
title_sort | silizium halbleitertechnologie |
topic | Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd |
topic_facet | Engineering Electronics Electronics and Microelectronics, Instrumentation Ingenieurwissenschaften Siliciumhalbleiter Silicium Halbleitertechnologie |
url | https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8 |
work_keys_str_mv | AT hilleringmannulrich siliziumhalbleitertechnologie |