Geometrie-Charakerisierung von Halbleiter-Mikrostrukturen mittels Infrarot-Strahlung:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2014
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| Beschreibung: | 120 S. Ill., graph. Darst. |
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|---|---|
| adam_text | ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 6
1 EINLEITUNG 9
2 GRUNDLAGEN 12
2.1 EINLEITUNG 12
2.2 INFRAROT ABSORPTIONSSPEKTROSKOPIE 12
2.3 INFRAROT REFLEKTOMETRIE 19
2.3.1 REFLEKTOMETER 20
2.3.2 EILIPSOMETER 22
3 EXPERIMENT 24
3.1 PROBENLAGERUNG 24
3.2 DRAM STRUKTURIERUNG 24
3.2.1 STRUKTURIERUNG DES TRANSISTORMODULS 25
3.2.2 STRUKTURIERUNG DES KAPAZITAETSMODULS 27
3.2.3 METALLISIERUNG UND PASSIVIERUNG 30
3.3 PROBENCHARAKTERISIERUNG 30
3.3.1 ANWENDUNG DER FOURIER TRANSFORMATION ANALYSE 30
3.3.2 TECHNISCHE BESCHREIBUNG VON PROBEN UND MESSUNGEN 33
3.3.3 ANWENDUNG UND WAHL VON ABSORPTIONSPARAMETERN 34
3.3.4 DEFINITION VON PARAMETERKOPPLUNG ZUR AUSWERTUNG 39
3.3.5 VORAUSSETZUNGEN UND KORRELATIONSVERHALTEN FUER DIE METHODE DER WAHL
40
4 ERGEBNISSE 58
4.1 BESCHREIBUNG DER DRAM KONDENSATOR-GEOMETRIE MITTELS
ABSORPTIONSPARAMETERN 58
4.1.1 QUALITAET DER AETZUNG 58
4.1.2 MASSENVERLUST NACH DER AETZUNG 63
4.1.3 SIMULATIONEN 67
4.1.3.1 KORRELATIONEN VON EINZELPARAMETERN 68
4.1.3.2 KORRELATIONEN VON GEKOPPELTEN PARAMETERN 70
4.1.4 EXPERIMENTELLE BESTIMMUNG DER GEOMETRIEPARAMETER 73
4.1.4.1 BESCHREIBUNG DES MITTLEREN FREIEN VOLUMENS 76
4.1.4.2 BESCHREIBUNG DER KONIZITAET DER KONDENSATORSTRUKTUR 82
4.2 CHARAKTERISIERUNG DER KANTENBEDECKUNG VOM ABGESCHIEDENEN
HOCH-EPSILON DIELEKTRIKUM 91
4.2.1 MOTIVATION UND PROBLEMATIK 91
4.2.2 METHODENENTWICKLUNG 94
3
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4.2.2.1 FTIR MESSUNG IM STRUKTURIERTEM GEBIET 94
4.2.2.2 ELLIPSOMETRISCHE SCHICHTDICKENBESTIMMUNG AUF EINER BEHELFSSTELLE
97
4.2.2.3 ZUSAMMENFUEHRUNG BEIDER METHODEN ZUR BESTIMMUNG DER
KANTENBEDECKUNG 97
4.2.3 VARIATION DER DEPOSITIONSPARAMETER FUER VERSCHIEDENE
KANTENBEDECKUNGEN 98
4.2.4 DARSTELLUNG UND ERGEBNISSE DER KANTENBEDECKUNG 99
4.2.5 URSACHE UND ERKLAERUNG SCHLECHTER KANTENBEDECKUNG 101
5 ZUSAMMENFASSUNG 107
LITERATURVERZEICHNIS 113
4
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