Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2004
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 245 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3832225323 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV042279142 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20150223 | ||
| 007 | t| | ||
| 008 | 150120s2004 xx ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 04N180589 |2 dnb | ||
| 015 | |a 04A250911 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 970818327 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3832225323 |c kart. : EUR 49.80 (DE) |9 3-8322-2532-3 | ||
| 035 | |a (OCoLC)76485754 | ||
| 035 | |a (DE-599)GBV385306385 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-83 | ||
| 084 | |a ZN 3460 |0 (DE-625)157317: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Baumann, Jens |d 1965- |e Verfasser |0 (DE-588)128971959 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen |c Jens Baumann |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2004 | |
| 300 | |a 245 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 502 | |a Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Magnetronsputtern |0 (DE-588)4208514-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kupfer |0 (DE-588)4033734-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Metallisieren |0 (DE-588)4169599-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Nitride |0 (DE-588)4171929-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Diffusionsbarriere |0 (DE-588)4289693-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Siliciumhalbleiter |0 (DE-588)4274465-9 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Metallisieren |0 (DE-588)4169599-9 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Kupfer |0 (DE-588)4033734-0 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Diffusionsbarriere |0 (DE-588)4289693-9 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Nitride |0 (DE-588)4171929-3 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Magnetronsputtern |0 (DE-588)4208514-7 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027716540 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1817522491307851776 |
|---|---|
| adam_text | |
| any_adam_object | |
| author | Baumann, Jens 1965- |
| author_GND | (DE-588)128971959 |
| author_facet | Baumann, Jens 1965- |
| author_role | aut |
| author_sort | Baumann, Jens 1965- |
| author_variant | j b jb |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV042279142 |
| classification_rvk | ZN 3460 |
| ctrlnum | (OCoLC)76485754 (DE-599)GBV385306385 |
| discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV042279142</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20150223</controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">150120s2004 xx ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">04N180589</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">04A250911</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">970818327</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832225323</subfield><subfield code="c">kart. : EUR 49.80 (DE)</subfield><subfield code="9">3-8322-2532-3</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76485754</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)GBV385306385</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 3460</subfield><subfield code="0">(DE-625)157317:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Baumann, Jens</subfield><subfield code="d">1965-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)128971959</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen</subfield><subfield code="c">Jens Baumann</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">245 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Magnetronsputtern</subfield><subfield code="0">(DE-588)4208514-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kupfer</subfield><subfield code="0">(DE-588)4033734-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Metallisieren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4169599-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4171929-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Diffusionsbarriere</subfield><subfield code="0">(DE-588)4289693-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumhalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4274465-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Metallisieren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4169599-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Kupfer</subfield><subfield code="0">(DE-588)4033734-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Diffusionsbarriere</subfield><subfield code="0">(DE-588)4289693-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Nitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4171929-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Magnetronsputtern</subfield><subfield code="0">(DE-588)4208514-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027716540</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV042279142 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-12-04T15:01:59Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832225323 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027716540 |
| oclc_num | 76485754 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-83 |
| owner_facet | DE-83 |
| physical | 245 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2004 |
| publishDateSearch | 2004 |
| publishDateSort | 2004 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Baumann, Jens 1965- Verfasser (DE-588)128971959 aut Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen Jens Baumann Aachen Shaker 2004 245 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003 Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd rswk-swf Kupfer (DE-588)4033734-0 gnd rswk-swf Metallisieren (DE-588)4169599-9 gnd rswk-swf Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Nitride (DE-588)4171929-3 gnd rswk-swf Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s Metallisieren (DE-588)4169599-9 s Kupfer (DE-588)4033734-0 s Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 s Nitride (DE-588)4171929-3 s Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 s DE-604 |
| spellingShingle | Baumann, Jens 1965- Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd Kupfer (DE-588)4033734-0 gnd Metallisieren (DE-588)4169599-9 gnd Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Nitride (DE-588)4171929-3 gnd Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4208514-7 (DE-588)4033734-0 (DE-588)4169599-9 (DE-588)4274465-9 (DE-588)4171929-3 (DE-588)4289693-9 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen |
| title_auth | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen |
| title_exact_search | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen |
| title_full | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen Jens Baumann |
| title_fullStr | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen Jens Baumann |
| title_full_unstemmed | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen Jens Baumann |
| title_short | Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen |
| title_sort | herstellung charakterisierung und bewertung von leitfahigen diffusionsbarrieren auf basis von ta ti und w fur die kupfermetallisierung von siliciumschaltkreisen |
| topic | Magnetronsputtern (DE-588)4208514-7 gnd Kupfer (DE-588)4033734-0 gnd Metallisieren (DE-588)4169599-9 gnd Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd Nitride (DE-588)4171929-3 gnd Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd |
| topic_facet | Magnetronsputtern Kupfer Metallisieren Siliciumhalbleiter Nitride Diffusionsbarriere Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT baumannjens herstellungcharakterisierungundbewertungvonleitfahigendiffusionsbarrierenaufbasisvontatiundwfurdiekupfermetallisierungvonsiliciumschaltkreisen |