Untersuchungen zum Einsatz von unipolaren SiC Leistungshalbleiterbauelementen in Antriebsstromrichtern:
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Aachen
Shaker
2009
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
NOMENKLATUR III
EINLEITUNG 1
ZUR PHYSIK VON SIC BAUELEMENTEN 7
2.1 ALLGEMEINES 7
2.2 EINIGE ASPEKTE ZUR SIC BAUELEMENTETECHNOLOGIE 10
2.3 EIGENLEITUNGSDICHTE 14
2.4 KRITISCHE FELDSTAERKE 16
2.5 OHMSCHER WIDERSTAND DES DRIFTGEBIETS 19
2.6 SCHLEUSENSPANNUNG 27
2.7 ABSCHAETZUNG DER MAXIMALEN SPERRSCHICHTTEMPERATUR IM
BETRIEB 27
ENTWICKLUNGEN BEI SIC LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTEN 35
3.1 DIODEN 35
3.1.1 SCHOTTKY-DIODEN 35
3.1.2 PIN-DIODEN 37
3.2 TRANSISTOREN 38
3.2.1 MOS-FELDGESTEUERTE TRANSISTOREN 38
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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DIGITALISIERT DURCH
INHALTSVERZEICHNIS
3.2.2 STROMGESTEUERTE TRANSISTOREN 40
3.2.3 SPERRSCHICHT-FELDGESTEUERTE TRANSISTOREN 42
4 EIGENSCHAFTEN DES NORMALLY-ON SIC JFETS 51
4.1 STATISCHES VERHALTEN 52
4.1.1 AUSGANGSKENNLINIEN 52
4.1.2 UEBERTRAGUNGSKENNLINIEN 64
4.1.3 STEUERKENNLINIEN 66
4.2 DYNAMISCHES VERHALTEN 68
4.2.1 KONSTANT-GATESTROM-VERSUCH 69
4.2.2 KAPAZITAETSBESTIMMUNG 78
5 JFET GATEANSTEUERUNG 87
5.1 INDIREKTE GATEANSTEUERUNG 88
5.2 DIREKTE GATEANSTEUERUNG 95
5.2.1 SPANNUNGSBASIERTE TREIBERKONZEPTE 96
5-2.2 STROMBASIERTE TREIBERKONZEPTE 98
5.2.3 PASSIVE SCHALTHANDLUNGEN 104
5.2.4 PRAKTISCHE ERGEBNISSE 114
6 VERLUSTREDUZIERTE ANTRIEBSSTROMRICHTER 123
6.1 ANSTEUERLEISTUNG 124
6.2 STATISCHE VERLUSTE IM LEISTUNGSKREIS 130
6.3 DYNAMISCHE VERLUSTE IM LEISTUNGSKREIS 137
6.4 HALBLEITERVERLUSTBILANZ VON ANTRIEBSSTROMRICHTERN 152
7 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 169
7.1 ZUSAMMENFASSUNG 169
7.2 AUSBLICK 170
8 ANHANG 173
LITERATURVERZEICHNIS 176
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