Herstellung und Charakterisierung oxidischer Feld-Effekt-Transistoren und integrierter Schaltkreise:
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2013
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 4
1.1 FELD-EFFEKT-TRANSISTOREN UND PROBLEME DER SKALIERUNG 7
1.2 ANSAETZE ZUR LOESUNG VON SKALIERUNGSPROBLEMEN 18
2 FUNKTIONALE OXIDISCHE HETEROSTRUKTUREN 19
2.1 EINFUEHRUNG IN DIE STRUKTUR UND ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN VON
OXIDEN . 19
2.2 EINFUEHRUNG IN DIE ELEKTRONISCHEN EIGENSCHAFTEN OXIDISCHER
GRENZFLAECHEN . 23
2.3 DIE N-TYP LAA103/SRTI03-GRENZFLAECHE ALS MODELLSYSTEM 25
3 HERSTELLUNG OXIDISCHER STRUKTUREN 34
3.1 SUBSTRATPRAEPARATION 34
3.2 SCHICHTHERSTELLUNG MITTELS GEPULSTER LASERABLATION 35
3.3 KONTAKTIERUNG DER GRENZFLAECHEN 42
3.4 HERSTELLUNG WEITERER OXIDISCHER SCHICHTEN 43
4 STRUKTURIERUNG DES LAA103/SRTI03-ELEKTRONENSYSTEMS 49
4.1 STRUKTURIERUNG DES ELEKTRONISCHEN SYSTEMS MITTELS OPTISCHER
PHOTOLITHO GRAPHIE UND ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE 49
4.2 HERSTELLUNG ZWEIER TYPEN VON TRANSISTOREN 54
4.3 STRUKTURIERUNG DES ELEKTRONISCHEN SYSTEMS MITTELS MODIFIZIERTER
RASTER KRAFTMIKROSKOPIE 63
5 EIGENSCHAFTEN UND ANWENDUNG OXIDISCHER FELD-EFFEKT-TRANSISTOREN 74
5.1 FELD-EFFEKT-TRANSISTOREN VOM TYP 1 74
5.2 FELD-EFFEKT TRANSISTOREN VOM TYP 2 83
5.3 VERGLEICH BEIDER TRANSISTORTYPEN 94
5.4 REALISIERUNG EINES INTEGRIERTEN SCHALTKREISES (IC) 97
6 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 111
A ZUSAMMENARBEITEN 115
B KAPAZITAETSBESTIMMUNGEN 122
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