Nanometer variation-tolerant SRAM: circuits and statistical design for yield
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Abu-Rahma, Mohamed H. (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: New York Springer c2013
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Beschreibung:Includes bibliographical references and index
Beschreibung:1 Online-Ressource (170 p.)
ISBN:9781461417491
146141749X
9781283640183

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